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专利摘要

本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法,在薄膜上形成图案时,能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损,并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。
本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法,其特征在于,在基板上形成薄膜之后,在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模,通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010580125.1
申请日
2020-06-23
公开日
2021-01-15
公开号
CN112225171A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

粕谷仁一 多田一成 水町靖

申请人

柯尼卡美能达株式会社

申请人地址

日本东京都

专利摘要

本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法,在薄膜上形成图案时,能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损,并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。
本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法,其特征在于,在基板上形成薄膜之后,在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模,通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。

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