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专利摘要

描述了形成传感器集成封装器件的方法和由此形成的结构。
实施例包括提供基板核,其中第一导电迹线结构和第二导电迹线结构设置在基板核上;在第一导电迹线结构和第二导电迹线结构之间形成腔体;以及将磁体放置在设置于第一和第二导电迹线结构中的每一个的部分上的抗蚀剂材料上,其中抗蚀剂材料不在腔体之上延伸。

专利状态

基础信息

专利号
CN201680018801.8
申请日
2016-02-25
公开日
2021-01-15
公开号
CN107406248B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

K.O.李 Z.周 I.A.萨拉马 F.艾德 S.N.奥斯特 L.W.孔 J.索托冈萨莱斯

申请人

英特尔公司

申请人地址

美国加利福尼亚州

专利摘要

描述了形成传感器集成封装器件的方法和由此形成的结构。
实施例包括提供基板核,其中第一导电迹线结构和第二导电迹线结构设置在基板核上;在第一导电迹线结构和第二导电迹线结构之间形成腔体;以及将磁体放置在设置于第一和第二导电迹线结构中的每一个的部分上的抗蚀剂材料上,其中抗蚀剂材料不在腔体之上延伸。

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