本申请属于微波电子产品技术领域，具体涉及一种基于硅基MEMS技术的小型化射频同轴结构，包括硅基晶圆本体，所述硅基本体中间设置有TSV信号孔，外围设置有TSV接地孔，所述硅基本体上还设置有槽孔。
本申请在现有的硅基工艺基础上，利用硅基通腔加工工艺实现射频垂直过渡结构的小型化设计。
本申请利用TSV信号孔作为同轴线结构的内导体，四个TSV接地孔作为同轴线结构的外导体，同轴线内部的填充物质为硅介质和四个扇形结构内的空气。
该种结构将同轴结构内部挖腔相当于将一部分硅介质替换为空气介质，平均介电常数减小，在同轴线的特性阻抗保持不变的情况下，使得硅片半径减小，减少了硅片的结构体积。

李曦 宋志东 王帅

中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所

214063 江苏省无锡市梁溪路108号

本申请属于微波电子产品技术领域，具体涉及一种基于硅基MEMS技术的小型化射频同轴结构，包括硅基晶圆本体，所述硅基本体中间设置有TSV信号孔，外围设置有TSV接地孔，所述硅基本体上还设置有槽孔。
本申请在现有的硅基工艺基础上，利用硅基通腔加工工艺实现射频垂直过渡结构的小型化设计。
本申请利用TSV信号孔作为同轴线结构的内导体，四个TSV接地孔作为同轴线结构的外导体，同轴线内部的填充物质为硅介质和四个扇形结构内的空气。
该种结构将同轴结构内部挖腔相当于将一部分硅介质替换为空气介质，平均介电常数减小，在同轴线的特性阻抗保持不变的情况下，使得硅片半径减小，减少了硅片的结构体积。