本申请公开了一种硅晶圆结构及其制造方法，硅晶圆结构包括：硅晶圆主体，在硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽，硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角，其中，第一尖角或第二尖角设置在第一槽和第二槽的连接处。
制造方法，包括：采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；在硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；在硅晶圆主体的背面以及第一槽的表面蒸镀薄膜；在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽；腐蚀完成后，采用可腐蚀掉上述蒸镀薄膜的腐蚀液去除该蒸镀薄膜。
本申请中硅晶圆主体的背面用抗腐蚀的薄膜保护，使正面腐蚀时可以停止在薄膜上，夹角处被保护，可以有效地避免尖角被腐蚀液迅速腐蚀。

徐建卫 徐艳 汪鹏

上海矽安光电科技有限公司

200233 上海市徐汇区桂平路680号33幢8B部位814室

本申请公开了一种硅晶圆结构及其制造方法，硅晶圆结构包括：硅晶圆主体，在硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽，硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角，其中，第一尖角或第二尖角设置在第一槽和第二槽的连接处。
制造方法，包括：采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；在硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；在硅晶圆主体的背面以及第一槽的表面蒸镀薄膜；在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽；腐蚀完成后，采用可腐蚀掉上述蒸镀薄膜的腐蚀液去除该蒸镀薄膜。
本申请中硅晶圆主体的背面用抗腐蚀的薄膜保护，使正面腐蚀时可以停止在薄膜上，夹角处被保护，可以有效地避免尖角被腐蚀液迅速腐蚀。