本发明涉及传感器芯片封装领域，尤其涉及一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封装结构，包括MEMS传感器芯片和管壳，传感器芯片底部两端设有金属层区域，管壳腔体底部两端也设有对应的金属层区域；传感器芯片底部一端金属层与管壳腔体底部一端金属层粘接，芯片底部另一端金属层与管壳腔体底部另一端金属层仅接触但不粘接；为阻止粘接材料高温封装时溢向另一侧金属层区域，在传感器芯片底部两侧金属层之间，靠近其中一侧设有凹槽；MEMS传感器芯片仅底部一端与管壳封装为一体，另一端呈自由状态，且芯片与管壳侧壁留有一定的间隙，保证了高温封装时，芯片材料有一定裕度的膨胀空间，从而将传感器的封装应力降低到最小。

车录锋

浙江大学

310012 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

本发明涉及传感器芯片封装领域，尤其涉及一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封装结构，包括MEMS传感器芯片和管壳，传感器芯片底部两端设有金属层区域，管壳腔体底部两端也设有对应的金属层区域；传感器芯片底部一端金属层与管壳腔体底部一端金属层粘接，芯片底部另一端金属层与管壳腔体底部另一端金属层仅接触但不粘接；为阻止粘接材料高温封装时溢向另一侧金属层区域，在传感器芯片底部两侧金属层之间，靠近其中一侧设有凹槽；MEMS传感器芯片仅底部一端与管壳封装为一体，另一端呈自由状态，且芯片与管壳侧壁留有一定的间隙，保证了高温封装时，芯片材料有一定裕度的膨胀空间，从而将传感器的封装应力降低到最小。