本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域,具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法,包括下列步骤:清洗杂质;生长介质层;利用掩膜版进行光刻;级联处图形化;刻蚀介质层;生长氮化钽;衰减电阻网络图形化;生长种子层;电镀共面波导;去除种子层。
本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。
有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。
可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。
本发明用于衰减电阻的制备。
吴倩楠 朱光州 李孟委 李强 张世义
中北大学
030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号
本发明属于衰减电阻的制备方法技术领域,具体涉及一种高可靠衰减电阻的制备方法,包括下列步骤:清洗杂质;生长介质层;利用掩膜版进行光刻;级联处图形化;刻蚀介质层;生长氮化钽;衰减电阻网络图形化;生长种子层;电镀共面波导;去除种子层。
本发明提高了获取氮化钽π型网络图形的完整性以及共面波导与衰减电阻的衔接处成功率。
有效避免了应制备氮化钽薄膜的不完整性造成的衰减性能不稳定和CPW与衰减电阻虚接造成的接触不良问题。
可以将获得的π型衰减网络用于射频MEMS器件中。
本发明用于衰减电阻的制备。