本发明公开了一种用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，通过如下方法制备：将分散剂、缓蚀剂、润湿剂、有机溶剂、氧化剂在搅拌下依次加入磨料，再加入消泡剂，再用pH调节剂调整溶液的pH值。
本发明抛光组合物，可用于铜互连阻挡层的化学机械抛光，抛光后表面污染物颗粒、表面蝶形凹陷以及金属的腐蚀均得到有效控制，可满足28纳米及以下工艺的要求，具有较好的应用前景。

宋伟红 蔡庆东

常州时创新材料有限公司

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本发明公开了一种用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，通过如下方法制备：将分散剂、缓蚀剂、润湿剂、有机溶剂、氧化剂在搅拌下依次加入磨料，再加入消泡剂，再用pH调节剂调整溶液的pH值。
本发明抛光组合物，可用于铜互连阻挡层的化学机械抛光，抛光后表面污染物颗粒、表面蝶形凹陷以及金属的腐蚀均得到有效控制，可满足28纳米及以下工艺的要求，具有较好的应用前景。