本发明涉及一种5G通信关键射频芯片材料，该射频芯片材料的制备过程包括如下步骤：将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后，进行精抛光处理，精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤，然后干燥，即得射频芯片材料。
本发明制备得到的射频芯片材料具有更低的表面粗糙度，表面光滑呈原子台阶形貌，且无划痕、凹坑等表面缺陷，在5G、物联网、智能汽车等应用领域有望得到广泛应用。

不公告发明人

济南鸿泰华丰机械有限公司

250000 山东省济南市济阳县太平街道济太路机械设备产业园创业路4-2号

本发明涉及一种5G通信关键射频芯片材料，该射频芯片材料的制备过程包括如下步骤：将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后，进行精抛光处理，精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤，然后干燥，即得射频芯片材料。
本发明制备得到的射频芯片材料具有更低的表面粗糙度，表面光滑呈原子台阶形貌，且无划痕、凹坑等表面缺陷，在5G、物联网、智能汽车等应用领域有望得到广泛应用。