目录

专利摘要

本发明公开了一种基于聚对二甲苯薄膜与带电颗粒的放电检测系统及方法。
本发明基于薄膜沉积技术实现在复杂、封闭、微小型电气电子系统内部、电气电子系统表面嵌入式沉积聚对二甲苯薄膜;微米级聚对二甲苯薄膜与电气电子系统共形,实现电气电子系统内部大面积、全方位、无死角覆盖;基于聚对二甲苯薄膜极性技术,结合带电颗粒的静电作用,实现对整个电气电子系统的放电检测与对系统内电气电子系统的放电精准定位,以及放电关键参数的计算;本发明提高了放电检测技术的通用性,解决了现有放电检测技术无法实现的复杂、封闭、微型系统内部放电的检测和准确定位;提高了放电检测技术的有效性和精度;提高了放电检测技术抗系统内部环境干扰的鲁棒性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011221113.6
申请日
2020-11-05
公开日
2021-07-20
公开号
CN112327116B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

韩炎晖 冯跃 周子隆 饶泽泓 王运来

申请人

北京理工大学

申请人地址

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

专利摘要

本发明公开了一种基于聚对二甲苯薄膜与带电颗粒的放电检测系统及方法。
本发明基于薄膜沉积技术实现在复杂、封闭、微小型电气电子系统内部、电气电子系统表面嵌入式沉积聚对二甲苯薄膜;微米级聚对二甲苯薄膜与电气电子系统共形,实现电气电子系统内部大面积、全方位、无死角覆盖;基于聚对二甲苯薄膜极性技术,结合带电颗粒的静电作用,实现对整个电气电子系统的放电检测与对系统内电气电子系统的放电精准定位,以及放电关键参数的计算;本发明提高了放电检测技术的通用性,解决了现有放电检测技术无法实现的复杂、封闭、微型系统内部放电的检测和准确定位;提高了放电检测技术的有效性和精度;提高了放电检测技术抗系统内部环境干扰的鲁棒性。

相似专利技术