本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，该方法首先以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si上沉积CdS，制备纳米结构ITO/Si/CdS；最后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si/CdS上沉积Ag，制备纳米ITO/Si/CdS/Ag异质结。
本发明简单、高效，易于调控异质结各组分的结构和尺寸。

姬鹏飞 李勇 宋月丽 周丰群 袁书卿 田明丽

平顶山学院

467000 河南省平顶山市新城区未来路南段

本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，该方法首先以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si上沉积CdS，制备纳米结构ITO/Si/CdS；最后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si/CdS上沉积Ag，制备纳米ITO/Si/CdS/Ag异质结。
本发明简单、高效，易于调控异质结各组分的结构和尺寸。