本发明提供了一种在（001）晶面择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列的方法。
该方法包括以下步骤：1)制备Cr掺杂二氧化钛薄膜作为籽晶层；2)将步骤1)制得的Cr掺杂二氧化钛薄膜籽晶层置于生长液中，经水热生长，得到所述择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列。
本发明的方法成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造，所制备的二氧化钛纳米线阵列在(001)方向具有良好的择优取向生长和紫外受激发光特性。

汪洋 杨永兴 楼倩 杨文静

工业和信息化部电子第五研究所华东分所

215011 江苏省苏州市高新区珠江路117号

本发明提供了一种在（001）晶面择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列的方法。
该方法包括以下步骤：1)制备Cr掺杂二氧化钛薄膜作为籽晶层；2)将步骤1)制得的Cr掺杂二氧化钛薄膜籽晶层置于生长液中，经水热生长，得到所述择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列。
本发明的方法成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造，所制备的二氧化钛纳米线阵列在(001)方向具有良好的择优取向生长和紫外受激发光特性。