本发明涉及一种晶圆处理设备，包括：处理腔室；位于所述处理腔室内的至少一个基座，所述基座用于放置待处理晶圆，所述基座能够在所述处理腔室内进行圆周运动；所述基座表面倾斜，且随着与所述圆周运动的旋转圆心之间的距离逐渐增大，所述基座表面各处高度逐渐增高。
可以减少晶圆受损。

王启光 程诗垚

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本发明涉及一种晶圆处理设备，包括：处理腔室；位于所述处理腔室内的至少一个基座，所述基座用于放置待处理晶圆，所述基座能够在所述处理腔室内进行圆周运动；所述基座表面倾斜，且随着与所述圆周运动的旋转圆心之间的距离逐渐增大，所述基座表面各处高度逐渐增高。
可以减少晶圆受损。