一种高性能晶圆级硫化铅近红外光敏薄膜及其制备方法，属于光电子器件领域。
首先，对选取基底材料的表面进行清洁处理。
其次，在高背景真空度下，将气化后的氧化剂引入真空蒸镀腔体，在洁净基底表面缓慢沉积PbS薄膜，获得颗粒适中、结构疏松、取向一致的微观结构。
最后，在一定温度和压强条件下，载气携带碘蒸汽敏化处理S2所述PbS薄膜，得高性能晶圆级PbS光敏薄膜。
本发明制备方法简单、制备成本低廉、重复性好，可实现晶圆级PbS光敏薄膜的制备，利于大规模商业化生产；制备PbS光敏薄膜光电探测率高，600K黑体室温峰值探测率>8×10

邱继军 骆英民 边继明

大连理工大学

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

一种高性能晶圆级硫化铅近红外光敏薄膜及其制备方法，属于光电子器件领域。
首先，对选取基底材料的表面进行清洁处理。
其次，在高背景真空度下，将气化后的氧化剂引入真空蒸镀腔体，在洁净基底表面缓慢沉积PbS薄膜，获得颗粒适中、结构疏松、取向一致的微观结构。
最后，在一定温度和压强条件下，载气携带碘蒸汽敏化处理S2所述PbS薄膜，得高性能晶圆级PbS光敏薄膜。
本发明制备方法简单、制备成本低廉、重复性好，可实现晶圆级PbS光敏薄膜的制备，利于大规模商业化生产；制备PbS光敏薄膜光电探测率高，600K黑体室温峰值探测率>8×10