本发明涉及可用作气体的氟烯烃组合物，所述气体用于CVD半导体制造，具体地讲用于蚀刻应用，包括通过使用活化的气体混合物从化学气相沉积室的内部清除表面沉积物的方法，以及蚀刻半导体的表面的方法。

彭晟 G.罗 大﨑善政

科慕埃弗西有限公司

美国特拉华州

本发明涉及可用作气体的氟烯烃组合物，所述气体用于CVD半导体制造，具体地讲用于蚀刻应用，包括通过使用活化的气体混合物从化学气相沉积室的内部清除表面沉积物的方法，以及蚀刻半导体的表面的方法。