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专利摘要

本发明公开了一种水平液相外延石墨舟,包括至少一个刮除装置,拉动滑条至第一预设位置时,刮除装置能够刮除滑条上滞留的母液;以及至少一个吸收装置,拉动滑条至第二预设位置时,吸收装置能够吸收滑条上滞留的母液;并且拉动滑条时,滑条先滑动至衬底槽与母液滞留槽对中的位置,再滑动至第一预设位置,最后滑动至第二预设位置。
碲镉汞母液在衬底上生长出碲镉汞薄膜;拉动滑条至第一预设位置,刮除装置将滞留在滑条上的碲镉汞母液刮除;再拉动滑条至第二预设位置,吸收装置将碲镉汞母液吸收;在刮除装置和吸收装置的双重作用下,减少残留的碲镉汞母液,提高碲镉汞薄膜的质量。
本发明还公开了一种水平液相外延生长系统、外延方法和生长方法。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010994740.7
申请日
2020-09-21
公开日
2020-12-15
公开号
CN112080796A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

不公告发明人

申请人

北京智创芯源科技有限公司

申请人地址

100095 北京市北京经济技术开发区经海三路106号1幢一层

专利摘要

本发明公开了一种水平液相外延石墨舟,包括至少一个刮除装置,拉动滑条至第一预设位置时,刮除装置能够刮除滑条上滞留的母液;以及至少一个吸收装置,拉动滑条至第二预设位置时,吸收装置能够吸收滑条上滞留的母液;并且拉动滑条时,滑条先滑动至衬底槽与母液滞留槽对中的位置,再滑动至第一预设位置,最后滑动至第二预设位置。
碲镉汞母液在衬底上生长出碲镉汞薄膜;拉动滑条至第一预设位置,刮除装置将滞留在滑条上的碲镉汞母液刮除;再拉动滑条至第二预设位置,吸收装置将碲镉汞母液吸收;在刮除装置和吸收装置的双重作用下,减少残留的碲镉汞母液,提高碲镉汞薄膜的质量。
本发明还公开了一种水平液相外延生长系统、外延方法和生长方法。

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