本发明公开了一种低翘曲多晶硅片，包括以下各组份按重量份制备而成：高纯石英120‑140份，焦炭100‑115份，硫酸70‑90份；氯化氢50‑65份，氢气40‑55份。
与其它处理工艺相比，工艺成熟，通过将高纯多晶硅置于离心打磨筒内，通过离心打磨筒的自转带动高纯多晶硅进行旋转，离心打磨筒内壁设置有打磨砂，通过高纯多晶硅紧贴筒体内壁进行旋转，继而对高纯多晶硅进行细微打磨，降低多晶硅的翘曲度，提高多晶产品质量。

杨世豪 顾夏斌 赖玮晟

苏州澳京光伏科技有限公司

215500 江苏省苏州市常熟经济技术开发区四海路9号2号楼203室

本发明公开了一种低翘曲多晶硅片，包括以下各组份按重量份制备而成：高纯石英120‑140份，焦炭100‑115份，硫酸70‑90份；氯化氢50‑65份，氢气40‑55份。
与其它处理工艺相比，工艺成熟，通过将高纯多晶硅置于离心打磨筒内，通过离心打磨筒的自转带动高纯多晶硅进行旋转，离心打磨筒内壁设置有打磨砂，通过高纯多晶硅紧贴筒体内壁进行旋转，继而对高纯多晶硅进行细微打磨，降低多晶硅的翘曲度，提高多晶产品质量。