本发明公开了一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。
其包括以下步骤：采用单质硫以及硫化铋和氯化钠的混合物为原料，在衬底上通过化学气相沉积生长得到二维硫化铋晶体材料。
本发明采用硫单质作为还原剂放置于上游低温区，利用低温蒸发生成硫蒸气作为保护性气氛，通过载气把硫蒸气带到中心高温区和下游低温区，用于防止中心高温区的硫化铋被氧化。
并且在中心高温区的氯化钠作为辅助生长催化剂，能够打破硫化铋的本征一维链状晶体结构限制，可促进硫化铋由一维生长向二维生长，最终在第一衬底和第二衬底沉积得到二维硫化铋晶体材料。

乔梁 赵梅 赵洋

电子科技大学

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

本发明公开了一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。
其包括以下步骤：采用单质硫以及硫化铋和氯化钠的混合物为原料，在衬底上通过化学气相沉积生长得到二维硫化铋晶体材料。
本发明采用硫单质作为还原剂放置于上游低温区，利用低温蒸发生成硫蒸气作为保护性气氛，通过载气把硫蒸气带到中心高温区和下游低温区，用于防止中心高温区的硫化铋被氧化。
并且在中心高温区的氯化钠作为辅助生长催化剂，能够打破硫化铋的本征一维链状晶体结构限制，可促进硫化铋由一维生长向二维生长，最终在第一衬底和第二衬底沉积得到二维硫化铋晶体材料。