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专利摘要

一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法,包括:交替地生长一第一层和一第二层在一基板上,其中,上述第一层与上述第二层的组成不同,且上述第一层及上述第二层为多个;以及将上述第一层和上述第二层退火,形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。

专利状态

基础信息

专利号
CN201710403667.X
申请日
2017-06-01
公开日
2021-05-25
公开号
CN107447254B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

杨博宇 洪铭辉 郭瑞年 林延勳 林耕雍 万献文 郑兆凱 卢冠傑

申请人

台湾积体电路制造股份有限公司 洪铭辉

申请人地址

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

专利摘要

一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法,包括:交替地生长一第一层和一第二层在一基板上,其中,上述第一层与上述第二层的组成不同,且上述第一层及上述第二层为多个;以及将上述第一层和上述第二层退火,形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。

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