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专利摘要

本发明公开了基于离子插层辅助的锑烯、铋烯的液相剥离方法,包括如下步骤:步骤一、锑、铋层状块体前驱物的研磨;步骤二、在惰性环境下,取粒状或粉状前驱物于有机锂盐溶液中,而后加入无水正己烷,在25~80℃下搅拌10~48h;步骤三、在上述溶液中缓慢加入水,使锂盐充分水解,同时伴随着大量气泡产生;步骤四、待不再有气泡产生时,将溶液转移至分液漏斗,用正己烷进行清洗、分层处理,反复3~5次。
本发明实现了锑烯与铋烯的大量制备,产率可达到40%~80%。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810464163.3
申请日
2018-05-15
公开日
2018-09-28
公开号
CN108588826A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张文华 杨驰 吕银花

申请人

中国工程物理研究院化工材料研究所

申请人地址

621000 四川省绵阳市绵山路64号

专利摘要

本发明公开了基于离子插层辅助的锑烯、铋烯的液相剥离方法,包括如下步骤:步骤一、锑、铋层状块体前驱物的研磨;步骤二、在惰性环境下,取粒状或粉状前驱物于有机锂盐溶液中,而后加入无水正己烷,在25~80℃下搅拌10~48h;步骤三、在上述溶液中缓慢加入水,使锂盐充分水解,同时伴随着大量气泡产生;步骤四、待不再有气泡产生时,将溶液转移至分液漏斗,用正己烷进行清洗、分层处理,反复3~5次。
本发明实现了锑烯与铋烯的大量制备,产率可达到40%~80%。

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