本发明涉及具有前侧、后侧、中部和周边的由单晶硅半导体晶片，并涉及所述半导体晶片的制备，所述半导体晶片包括：从所述中部延伸至所述周边的空穴占优势的中性区域；从所述前侧延伸进入所述半导体晶片的内部中至不小于20μm的深度的洁净区，其中借助于铂扩散和DLTS确定的所述洁净区中的空穴密度不超过1×10

T·米勒 M·格姆利希 A·扎特勒

硅电子股份公司

德国慕尼黑

本发明涉及具有前侧、后侧、中部和周边的由单晶硅半导体晶片，并涉及所述半导体晶片的制备，所述半导体晶片包括：从所述中部延伸至所述周边的空穴占优势的中性区域；从所述前侧延伸进入所述半导体晶片的内部中至不小于20μm的深度的洁净区，其中借助于铂扩散和DLTS确定的所述洁净区中的空穴密度不超过1×10