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专利摘要

本发明公开了一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法及二氧化钒微米管阵列和二氧化钒微米管,该方法包含:步骤一:按预先设定的掺杂比例,分别称取金属钒原材料和用于掺杂到金属钒中的掺杂材料;步骤二:将金属钒原材料与掺杂材料熔炼成均匀混合的块体;步骤三:将块体切割为片状,得到掺杂的钒片;步骤四:采用电流加热的方法将钒片加热到1100~1900℃,保持10~20秒;步骤五:使钒片自然冷却到室温,在钒片表面得到由掺杂的二氧化钒微米管组成的二氧化钒微米管阵列;二氧化钒微米管阵列立于钒片表面,二氧化钒微米管具有中空结构,截面呈近矩形。
本发明的掺杂方法简单易行、成本低廉、对设备要求低、周期短,利于工业化实现。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010542670.1
申请日
2020-06-15
公开日
2021-01-26
公开号
CN111519257B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

赵春旺 李子剑

申请人

上海海事大学

申请人地址

201306 上海市浦东新区临港新城海港大道1550号

专利摘要

本发明公开了一种掺杂的二氧化钒微米管阵列的制备方法及二氧化钒微米管阵列和二氧化钒微米管,该方法包含:步骤一:按预先设定的掺杂比例,分别称取金属钒原材料和用于掺杂到金属钒中的掺杂材料;步骤二:将金属钒原材料与掺杂材料熔炼成均匀混合的块体;步骤三:将块体切割为片状,得到掺杂的钒片;步骤四:采用电流加热的方法将钒片加热到1100~1900℃,保持10~20秒;步骤五:使钒片自然冷却到室温,在钒片表面得到由掺杂的二氧化钒微米管组成的二氧化钒微米管阵列;二氧化钒微米管阵列立于钒片表面,二氧化钒微米管具有中空结构,截面呈近矩形。
本发明的掺杂方法简单易行、成本低廉、对设备要求低、周期短,利于工业化实现。

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