本发明提供了一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：A)将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的背面，得到背面有掩膜涂层的单晶硅片；所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；B)将所述背面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。
本发明以氧化硅和树脂为主要成分，在很低的温度下即可制备得到掩膜涂层，能耗小，起阻挡和掩膜作用的为树脂及氧化硅，阻挡效果更好，氧化硅除起到掩膜左右，对后续掩膜去除也起到助溶效果。

马玉超 余浩 张晓攀 单伟 何胜 徐伟智

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本发明提供了一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：A)将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的背面，得到背面有掩膜涂层的单晶硅片；所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；B)将所述背面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。
本发明以氧化硅和树脂为主要成分，在很低的温度下即可制备得到掩膜涂层，能耗小，起阻挡和掩膜作用的为树脂及氧化硅，阻挡效果更好，氧化硅除起到掩膜左右，对后续掩膜去除也起到助溶效果。