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专利摘要

本发明公开了一种用于单晶硅生长炉的坩埚装置,包括石墨主体,所述石墨主体外侧壁设置有若干个环形安装槽,环形安装槽内固定有安装架,安装架上安装有电磁感应加热器;环形安装槽底部设置有若干个卡槽,安装架包括导热基板,导热基板底面固定有与卡槽一一对应的卡销,电磁感应加热器通过第一螺栓固定在导热基板顶面;石墨主体内侧壁设置有若干个第一凹槽,第一凹槽均匀分布在环形安装槽的上边缘和下边缘。
本发明能够改进现有技术的不足,便于电磁感应加热器的拆装,保证了坩埚内温度场的精确控制。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910682441.7
申请日
2019-07-26
公开日
2021-06-22
公开号
CN110257911B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈亚雄 许颖 关绍辉

申请人

深圳市全普科技有限公司

申请人地址

518000 广东省深圳市龙华区观澜观光路1301号银星科技大厦D602

专利摘要

本发明公开了一种用于单晶硅生长炉的坩埚装置,包括石墨主体,所述石墨主体外侧壁设置有若干个环形安装槽,环形安装槽内固定有安装架,安装架上安装有电磁感应加热器;环形安装槽底部设置有若干个卡槽,安装架包括导热基板,导热基板底面固定有与卡槽一一对应的卡销,电磁感应加热器通过第一螺栓固定在导热基板顶面;石墨主体内侧壁设置有若干个第一凹槽,第一凹槽均匀分布在环形安装槽的上边缘和下边缘。
本发明能够改进现有技术的不足,便于电磁感应加热器的拆装,保证了坩埚内温度场的精确控制。

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