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专利摘要

本发明公开了一种半导体级硅单晶炉的排气装置,针对现有的排气装置大多是单向的排气设置,容易造成单晶炉内温度的分布不均匀,从而出现制取单晶硅质量变差的问题,现提出以下方案,包括炉体,所述炉体的外壁上固定连接等距离分布的存气盒,两个所述存气盒的相邻一侧外壁上固定连接有同一个连接管,所述连接管的一侧外壁上固定连接有出气管,所述存气盒的一侧外壁上固定连接有连接块。
本发明挡风槽将转动过程中阻挡的气体在一定空间内搅乱,然后在分流槽的作用下分散在安装板附近,结合抽气泵的作用,保证了从吸气孔吸入的气体是热量混合均匀的气体,不会造成炉体内部石英坩埚周围温度不均,保证了单晶硅制备的稳定进行。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011282707.8
申请日
2020-11-16
公开日
2021-07-13
公开号
CN112410874B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

曹玉宝 李岩 李丹 马东兴 张丹

申请人

连城凯克斯科技有限公司

申请人地址

214000 江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号

专利摘要

本发明公开了一种半导体级硅单晶炉的排气装置,针对现有的排气装置大多是单向的排气设置,容易造成单晶炉内温度的分布不均匀,从而出现制取单晶硅质量变差的问题,现提出以下方案,包括炉体,所述炉体的外壁上固定连接等距离分布的存气盒,两个所述存气盒的相邻一侧外壁上固定连接有同一个连接管,所述连接管的一侧外壁上固定连接有出气管,所述存气盒的一侧外壁上固定连接有连接块。
本发明挡风槽将转动过程中阻挡的气体在一定空间内搅乱,然后在分流槽的作用下分散在安装板附近,结合抽气泵的作用,保证了从吸气孔吸入的气体是热量混合均匀的气体,不会造成炉体内部石英坩埚周围温度不均,保证了单晶硅制备的稳定进行。

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