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工艺参数确定方法及其系统、生产系统

发明申请

申请号: CN202410207104.3

申请日期: 2024/2/26

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

溅射刻蚀方法及半导体结构

发明申请

申请号: CN202410016595.3

申请日期: 2024/1/5

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

半导体器件的制作方法以及半导体器件

发明申请

申请号: CN202410134590.0

申请日期: 2024/1/31

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种半导体器件及其制作方法

发明申请

申请号: CN202410137954.0

申请日期: 2024/2/1

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

半导体结构的制作方法及其结构

发明申请

申请号: CN202410052033.4

申请日期: 2024/1/15

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

半导体器件的制备方法

发明申请

申请号: CN202410194518.7

申请日期: 2024/2/22

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

晶圆接受测试方法

发明申请

申请号: CN202410139830.6

申请日期: 2024/2/1

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种图像传感器的制作方法

发明申请

申请号: CN202410129350.1

申请日期: 2024/1/31

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

光伏储能系统

发明申请

申请号: CN202410006052.3

申请日期: 2024/1/3

申请人: 合肥国轩高科动力能源有限公司

授权公告日:

半导体器件以及半导体器件的制作方法

发明申请

申请号: CN202410183803.9

申请日期: 2024/2/19

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种OPC修正方法、装置及掩膜版结构

发明申请

申请号: CN202410245576.8

申请日期: 2024/3/5

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种掩膜版结构及半导体晶圆的对位标记的摆放方法

发明申请

申请号: CN202410101478.7

申请日期: 2024/1/25

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

半导体结构及其制备方法

发明申请

申请号: CN202410154885.4

申请日期: 2024/2/4

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种半导体器件及其制作方法

发明申请

申请号: CN202410109634.4

申请日期: 2024/1/26

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

辅助图形的添加方法

发明申请

申请号: CN202410089436.6

申请日期: 2024/1/23

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种LDMOS器件及其制备方法

发明申请

申请号: CN202410231492.9

申请日期: 2024/3/1

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

半导体结构的制作方法、电路及芯片

发明申请

申请号: CN202410033303.7

申请日期: 2024/1/10

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种图像传感器及其制作方法

发明申请

申请号: CN202410078072.1

申请日期: 2024/1/19

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种双驱四支点AGV叉车转向死区的控制方法及系统

发明申请

申请号: CN202410091882.0

申请日期: 2024/1/23

申请人: 合肥搬易通科技发展有限公司

授权公告日:

退火方法

发明申请

申请号: CN202410231504.8

申请日期: 2024/3/1

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种层板扣

实用新型

申请号: CN202322200331.7

申请日期: 2024/3/8

申请人: 客来福家居股份有限公司

授权公告日:

储能电池的放电策略制定方法、装置及电子设备

发明申请

申请号: CN202410006051.9

申请日期: 2024/1/3

申请人: 合肥国轩高科动力能源有限公司

授权公告日:

一种LDMOS结构以及制备方法

发明申请

申请号: CN202410211055.0

申请日期: 2024/2/27

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

一种半导体结构的制作方法

发明申请

申请号: CN202410110091.8

申请日期: 2024/1/26

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

晶圆金属元素分析方法及分析系统

发明申请

申请号: CN202410101481.9

申请日期: 2024/1/25

申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司

授权公告日:

专利列表

工艺参数确定方法及其系统、生产系统

溅射刻蚀方法及半导体结构

半导体器件的制作方法以及半导体器件

一种半导体器件及其制作方法

半导体结构的制作方法及其结构

半导体器件的制备方法

晶圆接受测试方法

一种图像传感器的制作方法

光伏储能系统

半导体器件以及半导体器件的制作方法

一种OPC修正方法、装置及掩膜版结构

一种掩膜版结构及半导体晶圆的对位标记的摆放方法

半导体结构及其制备方法

一种半导体器件及其制作方法

辅助图形的添加方法

一种LDMOS器件及其制备方法

半导体结构的制作方法、电路及芯片

一种图像传感器及其制作方法

一种双驱四支点AGV叉车转向死区的控制方法及系统

退火方法

一种层板扣

储能电池的放电策略制定方法、装置及电子设备

一种LDMOS结构以及制备方法

一种半导体结构的制作方法

晶圆金属元素分析方法及分析系统

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