1.本技术涉及显示屏制造设备领域，尤其涉及一种掩膜组件及沉积装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，简称为oled)显示屏中的oled器件对外界环境较为敏感，例如oled器件中的有机发光单元、电极等容易在水氧及其他污染物的作用下失效。为保证oled显示屏的发光性能，一般采用无机封装层和有机封装层交替层叠的方式对oled器件进行封装。
3.相关技术中，通常采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称为cvd)的方法在待沉积基板的封装区域上形成无机封装层，以对oled器件进行封装。制作无机封装层时，将具有开口的掩膜版(mask)置于待沉积基板的上方，各开口与各封装区域一一对应；自开口向待沉积基板上沉积无机封装材料，以形成无机封装层。
4.然而，采用上述方法形成无机封装层时，易在封装区域外的非封装区域沉积有无机封装材料，造成非封装区域不平整，给后续生产工艺带来困难，降低了oled显示屏的生产良率。


技术实现要素：

5.鉴于上述问题，本技术实施例提供一种掩膜组件及沉积装置，以减小在非封装区域上沉积的无机封装材料的面积，避免非封装区域不平整，便于后续的生产工艺，提高oled显示屏的生产良率。
6.为了实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：
7.本技术实施例的第一方面提供一种掩膜组件，包括掩膜版和设置于所述掩膜版上的遮蔽板，所述掩膜版设置有多个第一开口；所述遮蔽板设置有多个第二开口，每个所述第二开口在所述掩膜版上的投影覆盖至少一个所述第一开口。
8.本技术实施例的掩膜组件，由于在掩膜版上设置有遮蔽板，因此，当使用该掩膜组件对待沉积基板进行掩膜时，通过遮蔽板可以将掩膜版压向待沉积基板，如此设置，能够减小掩膜版与待沉积基板之间的间隔，从而减小了从该间隔溢出的气体量，进而减小了沉积于无机封装区域上的无机封装材料的量，减轻或避免非封装区域的不平整，便于后续如切割等工艺的进行，提高了oled显示屏的生产良率。
9.在一种可能的实现方式中，所述第二开口的数量与所述第一开口的数量相同，每个所述第二开口在所述掩膜版上的投影覆盖对应的一个所述第一开口。
10.如此设置，遮蔽板上的第二开口与掩膜版上的第一开口一一对应设置，能够使遮蔽板精确地向掩膜版上每个第一开口的边缘区域施加压力，提高遮蔽板向掩膜版施加的压力的均匀性，进而提高掩膜版的掩膜效果。
11.在一种可能的实现方式中，所述遮蔽板包括方形框架和多个支撑条，多个所述支撑条在所述方形框架内横纵交错设置，以与所述方形框架围设成多个所述第二开口。
12.在一种可能的实现方式中，所述遮蔽板包括板状主体，所述板状主体上设置有多个通孔，所述通孔形成所述第二开口。
13.如此设置，遮蔽板为一体结构，能够提升遮蔽板自身的强度，延长遮蔽板的使用寿命。
14.在一种可能的实现方式中，在垂直于所述掩膜版的方向上，所述遮蔽板的厚度为1-3mm。
15.如此设置，遮蔽板的厚度较小，能够减轻遮蔽板的重量，并防止遮蔽板向掩膜版施加的压力过大，造成掩膜版的变形，从而对沉积于待沉积基板上的无机封装层的位置精度等产生影响，进而影响封装效果。
16.在一种可能的实现方式中，所述遮蔽板的周向边缘设置有多个支撑脚，多个所述支撑脚用于支撑所述遮蔽板。
17.如此设置，多个支撑脚可以对遮蔽板的周向边缘进行支撑，遮蔽板的中间部分在自身重力的作用下与掩膜版相接触，从而对掩膜版施加压力，进而减小遮蔽板与掩膜版之间的间隔。
18.本技术实施例的第二方面提供一种沉积装置，包括沉积腔室及位于所述沉积腔室内的上述掩膜组件。
19.由于该沉积装置包括第一方面所述的掩膜组件，因此也具有上述掩膜组件所具有的优点，具体可以参见上文相关描述。
20.在一种可能的实现方式中，所述沉积腔室的侧壁上设置有多个支撑柱，多个所述支撑柱沿遮蔽板周向间隔设置，多个所述支撑柱用于支撑所述遮蔽板的周向边缘。
21.如此设置，支撑柱能够支撑遮蔽板的周向边缘，遮蔽板的中间部分能够在自身重力的作用下与掩膜版接触，通过遮蔽板的中间部分向掩膜版施加压力，防止遮蔽板完全压在掩膜版上使得遮蔽板向掩膜版施加的压力过大，从而减轻或避免掩膜版的变形。
22.在一种可能的实现方式中，多个所述支撑柱均位于所述遮蔽板的下方，各所述支撑柱的第一端均与所述沉积腔室的侧壁连接，各所述支撑柱的第二端均抵顶所述遮蔽板的周向边缘。
23.如此设置，支撑柱可以从遮蔽板的底面承托遮蔽板的周向边缘，使得遮蔽板的中间部分可以在自身重力的作用下，与掩膜版相接触，从而对掩膜版施加压力。
24.在一种可能的实现方式中，所述遮蔽板的周向边缘设置有多个竖向的通槽，各所述支撑柱的第二端插设在一个所述通槽内，所述通槽的槽壁和槽底抵顶所述支撑柱的第二端。
25.如此设置，当遮蔽板与掩膜版之间的接触面积较小，或者遮蔽板与掩膜版之间不接触时，可向遮蔽板的周向边缘施加沿通槽延伸方向的外力，以克服通槽的槽壁和槽底与支撑柱的第二端之间的摩擦力，能够向掩膜版的方向调整遮蔽板，从而能够增大遮蔽板与掩膜版之间的接触面积，保证遮蔽板与掩膜版之间的压力，进而保证掩膜版与待沉积基板之间的间隔。
附图说明
26.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1为相关技术中掩膜版与待沉积基板位置关系的结构示意图；
28.图2为本技术一实施例提供的沉积装置的结构示意图；
29.图3为图2中的掩膜组件的结构示意图；
30.图4为图3中c-c向的局部剖视图；
31.图5为本技术另一实施例提供的掩膜组件的结构示意图；
32.图6为图本技术又一实施例的掩膜组件的结构示意图；
33.图7为图本技术另一实施例的沉积装置的结构示意图。
34.附图标记说明：
35.10、沉积腔室；
36.110、支撑柱；
37.20、掩膜组件；
38.210、掩膜版；
39.211、第一开口；
40.220、遮蔽板；
41.221、第二开口；
42.222、通槽；
43.30、待沉积基板；
44.310、oled器件层；
45.320、无机封装层。
具体实施方式
46.正如背景技术所述，相关技术中的oled显示屏，存在在制作无机封装层时，易在封装区域外的非封装区域沉积有无机封装材料，造成非封装区域不平整的问题。经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于，参考图1，待沉积基板30和掩膜版210之间具有间隔d，在具有oled器件层310的待沉积基板30上形成机封装层320时，携带有无机封装材料的气流易通过间隔d由封装区域a向非封装区域b溢出，从而在非封装区域b上也沉积有无机封装材料，造成非封装区域b不平整，给后续如切割等工艺带来困难，降低了oled显示屏的生产良率。
47.针对上述技术问题，本技术实施例提供了一种掩膜组件，在掩膜版的上方设置遮蔽板，通过该遮蔽板可以将掩膜版压向待沉积基板，减小了掩膜版与待沉积基板之间的间隔，从而减小了从该间隔溢出的气体量，进而减小了沉积于无机封装区域上的无机封装材料的量，减轻或避免非封装区域的不平整，便于后续如切割等生产工艺进行，提高了oled显示屏的生产良率。
48.为了使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本
领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本技术保护的范围。
49.oled显示屏一般包括有机发光二极管(organic light-emitting diode，简称为oled)器件层，oled器件层对外界环境较为敏感，例如oled器件层中的有机发光单元、电极等容易在水氧及其他污染物的作用下失效。为保证oled显示屏的发光性能，需要对oled器件层进行封装，一般采用薄膜封装的方式进行封装。薄膜封装通常包括交替层叠覆盖于oled器件层上的无机封装层和有机封装层。
50.其中，无机封装层可以由化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称为cvd)的方法形成。示例性地，化学气相沉积的方法包括利用含有无机元素的一种或几种气相化合物或单质，在具有oled器件层的待沉积基板的表面上进行化学反应生成无机封装层。
51.参考图2，本技术实施例提供的沉积装置包括：沉积腔室10及掩膜组件20，待沉积基板30和掩膜组件20均位于沉积腔室10内。
52.沉积腔室10可以为真空室或真空仓，用于容纳待沉积基板30和掩膜组件20，并为在待沉积基板30上采用化学气相沉积的方式形成无机封装层提供真空环境，提高形成无机封装层的合格率。
53.沉积腔室10的内部上方通常设置有气体源，可通过气体源向沉积腔室10的内部输送化学气相沉积时所需的气体。
54.沉积腔室10内可以设置有第一支撑台，第一支撑台用于支撑待沉积基板30。待沉积基板30可以具有多个封装区域，每个封装区域内设置有一oled器件层。可以理解的是，oled器件层可以包括多个oled器件，多个oled器件可呈矩阵排列。在一些实施例中，待沉积基板30内还具有用于驱动多个oled器件的驱动电路，用于驱动各oled器件发光，实现oled器件层的显示功能。
55.在需要对待沉积基板30上形成无机封装层时，掩膜组件20放置于沉积腔室10中，且位于待沉积基板30的上方。在化学气相沉积的过程中，通过掩膜组件20进行掩膜，沉积腔室10内的气体源向待沉积基板30的封装区域上沉积无机封装材料，以在待沉积基板30的封装区域上形成覆盖oled器件层的无机封装层，实现对oled器件层的封装。
56.参考图3和图4，本技术实施例中，掩膜组件20包括掩膜版210和遮蔽板220，掩膜版210位于待沉积基板30的上方，并与待沉积基板30相对设置。示例性地，沉积腔室10内通常还设置有第二支撑台，第二支撑台用于支撑掩膜版210，以使掩膜板210保持平整性，保证掩膜精度。且第二支撑台还用于是掩模版210保持在待沉积基板30的上方，以在化学气相沉积的过程中，通过掩膜版210进行掩膜。
57.掩膜版210设置有多个第一开口211。示例性地，每个第一开口211在待沉积基板30上的投影可以与每个封装区域a重合，即多个第一开口211与多个封装区域a一一对应设置，以通过多个第一开口211向多个封装区域a沉积无机封装材料，从而形成多个无机封装层320。
58.在掩膜版210上设置有遮蔽板220，以将掩膜版210压向待沉积基板30，减小了掩膜版210与待沉积基板30之间的间隔。遮蔽板220设置有多个第二开口221，每个第二开口221在掩膜版210上的投影覆盖至少一个第一开口211。
59.本实施例中，遮蔽板220将掩膜版210压向待沉积基板30后，参考图4，掩膜版210与待沉积基板30之间具有间隔d，间隔d小于相关技术中掩膜版210与待沉积基板30之间的间隔d，使得掩膜版210与待沉积基板30之间的间隔变小，从而能够减小从间隔d溢出的气体量，进而能够减小沉积于非封装区域b上的无机封装材料的量，减轻或避免非封装区域b不平整，便于后续如切割等生产工艺的顺利进行，提高了oled显示屏的生产良率。示例性地，本实施例中，掩膜版210与待沉积基板30之间的间隔可以由0.15mm降至小于0.01mm，在非封装区域b上沉积的无机封装材料的宽度可减小约130μm，oled显示屏的良率可提升约1％。
60.示例性地，参考图3和图4，第二开口221的数量与第一开口211的数量相同，每个第二开口221在掩膜版210上的投影覆盖对应的一个第一开口211。即多个第二开口221与多个第一开口211一一对应设置。如此设置，能够使遮蔽板220精确地向掩膜版210上每个第一开口211的边缘区域施加压力，提高遮蔽板220向掩膜版210施加的压力的均匀性，减小掩膜版210上每个第一开口211的边缘区域与待沉积基板30上封装区域a之间的间隔，从而减小从该间隔溢出的气体量，进而减小沉积于非封装区域b上的无机封装材料的量。
61.可以理解的是，参考图5和图6，每个第二开口221还可以对应两个或两个以上第二开口221。
62.在本技术的一个或多个实施例中，遮蔽板220可以包括方形框架和多个支撑条。多个支撑条位于方形框架的内横纵交错设置，以与方形框架围设成多个第二开口221。示例性地，多个支撑条之间，以及多个支撑条与方形框架之间可以通过焊接的方式连接。
63.在本技术的其他实施例中，遮蔽板220还可以包括板状主体，板状主体上设置有多个通孔，通孔形成第二开口221。示例性地，板状主体上的多个通孔可通过冲压或电火花切割的方式形成。如此设置，遮蔽板220为一体结构，能够提高遮蔽板220自身的强度。
64.遮蔽板220的厚度通常设置的较小，如此能够减轻遮蔽板220的重量，防止遮蔽板220向掩膜版210施加的压力过大造成掩膜版210变形，从而对沉积于待沉积基板30上的无机封装层320的位置精度等产生影响，进而影响封装效果。示例性地，在垂直于掩膜版210的方向上，遮蔽板220的厚度可以为1-3mm，例如1mm、2mm或3mm。
65.遮蔽板220的材质可以为金属材质。示例性地，遮蔽板220的材质可以为铝或铝制合金，以减轻遮蔽板220的质量，进一步防止遮蔽板220向掩膜版210施加的压力过大，造成掩膜版210的变形。
66.在本技术的一个或多个实施例中，遮蔽板220的周向边缘设置有多个支撑脚，多个支撑脚用于支撑遮蔽板220。示例性地，支撑脚可以焊接或通过紧固螺栓连接于遮蔽板220周向边缘的底面上。支撑脚可以支撑在沉积腔室的底面或侧壁上，以对遮蔽板220的周向边缘进行支撑，遮蔽板220的中间部分在自身重力的作用下与掩膜版210相接触，遮蔽板220的中间部分对掩膜版210施加压力，从而减小遮蔽板220与掩膜版210之间的间隔。
67.在本技术的一个或多个实施例中，参考图2，沉积腔室10的侧壁上可以设置有多个支撑柱110。多个支撑柱110沿遮蔽板220的周向间隔设置，多个支撑柱110用于支撑遮蔽板220的周向边缘，以防止遮蔽板220完全压在掩膜版210上，使得遮蔽板220向掩膜版210施加的压力过大造成掩膜版210变形。
68.示例性地，参考图2，多个支撑柱110可以均位于遮蔽板220的下方，各支撑柱110的第一端均与沉积腔室10的侧壁连接。例如，各支撑柱110的第一端可以通过紧固螺栓连接于
沉积腔室10的侧壁上，或者可以通过焊接的方式连接于沉积腔室10的侧壁上。各支撑柱110的第二端抵顶遮蔽板220的周向边缘，使得各支撑柱110能够从遮蔽板220的底面承托遮蔽板220的周向边缘，使得遮蔽板220的中间部分可以在自身重力的作用下与掩膜版210相接触，遮蔽板220的中间部分能够对掩膜版210施加压力，从而减小掩膜版210与待沉积基板30之间的间隔。
69.在本技术的一个或多个实施例中，参考图7，遮蔽板220的周向边缘设置有多个竖向的通槽222，各支撑柱110的第二端插设在一个通槽222内，通槽222的槽壁和槽底抵顶支撑柱110的第二端。也就是说，通槽222的槽壁和槽底包裹支撑柱110的端部，且与支撑柱110的端部相接触，通槽222的槽壁和槽底与支撑柱110的端部之间产生摩擦力，该摩擦力大于遮蔽板220的重力，以防止遮蔽板220在自身重力下沿通槽222向掩膜版210滑动，而遮蔽板220的中间部分可以在自身重力的作用下，与掩膜版210相接触，从而对掩膜版210施加压力。
70.由于更换其他尺寸的遮蔽板220等原因，可能会造成遮蔽板220自身重力较小，遮蔽板220与掩膜版210之间的接触面积较小，或者遮蔽板220与掩膜版210之间不接触时，可向遮蔽板220的周向边缘施加沿通槽222延伸方向的外力，以克服通槽222的槽壁和槽底与支撑柱110的端部之间的摩擦力，向掩膜版210的方向调整遮蔽板220，从而增大遮蔽板220与掩膜版210之间的接触面积，保证遮蔽板220与掩膜版210之间的压力，进而保证掩膜版210与待沉积基板30之间的间隔。
71.在本技术的又一实施例中，各支撑柱110的第一端还可以与沉积腔室10的侧壁在垂直于待沉积基板30的方向上滑动连接，各支撑柱110的第二端均位于遮蔽板220的下方，且抵顶遮蔽板220的周向边缘。示例性地，沉积腔室10的侧壁上设置有垂直于待沉积基板30的滑槽，各支撑柱110的第一端滑设于该滑槽内。滑槽的槽壁上设置有螺纹孔，螺纹孔的轴向与滑槽的延伸方向垂直。锁紧螺栓穿设于该螺纹孔内，且抵顶支撑柱110的第一端。当需要调整支撑柱110在沉积腔室10的侧壁上的位置时，可转动锁紧螺栓，使得锁紧螺栓不与支撑柱110的第一端接触，支撑柱110的第一端可在滑槽内滑动。当支撑柱110的第一端在滑槽内滑动至预设位置时，反向转动锁紧螺栓，锁紧螺栓向支撑柱110的第一端移动，并抵顶支撑柱110的第一端，将支撑柱110的第一端锁紧于滑槽内。
72.本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
73.应当指出，在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
74.一般而言，应当至少部分地由语境下的使用来理解术语。例如，至少部分地根据语境，文中使用的术语“一个或多个”可以用于描述单数的意义的任何特征、结构或特性，或者可以用于描述复数的意义的特征、结构或特性的组合。类似地，至少部分地根据语境，还可以将诸如“一”或“所述”的术语理解为传达单数用法或者传达复数用法。
75.应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本公开中的“在
……
上”、“在
……
以
上”和“在
……
之上”，以使得“在
……
上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在
……
以上”或者“在
……
之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
76.此外，文中为了便于说明可以使用空间相对术语，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一个元件或特征相对于其他元件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的器件的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上)，并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。
77.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。