用于制造显示装置的设备和方法以及制造掩模套件的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年8月10日在韩国知识产权局(kipo)提交的韩国专利申请号10-2020-0099937的优先权和权益，其全部公开通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的一个或多个实施方式涉及用于制造显示装置的设备、制造掩模套件的方法和制造显示装置的方法。


背景技术：

4.随着信息社会发展，以各种方式增加了对显示图像的显示装置的需求。显示装置的领域已经迅速改变至薄且轻并且具有大屏幕尺寸的平板显示器(fpd)，代替笨重的阴极射线管(crt)显示器。平板显示器可包括液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)、有机发光装置(oled)显示器和电泳显示器(epd)等。
5.显示装置当中，有机发光装置显示器可包括有机发光二极管，有机发光二极管包括对电极、像素电极和发射层(例如，由对电极、像素电极和发射层组成)。可通过使用掩模套件形成电极和发射层。
6.掩模套件的包括开口部分的掩模片可包括镍(ni)、钴(co)、镍合金和/或镍-钴合金等。可通过使用湿法蚀刻工艺形成包括上述材料的至少一种的掩模片的开口部分。可选地，掩模套件可包括作为掩模的硅基板。硅基板可包括开口部分，并且可通过干法蚀刻工艺和/或湿法蚀刻工艺形成硅基板的开口部分。


技术实现要素：

7.一个或多个实施方式的方面涉及用于制造显示装置的包括包含硅基板的掩模套件的设备、制造包括硅基板的掩模套件的方法以及制造显示装置的方法。
8.另外的方面将部分在下述描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的一个或多个实施方式的实践来了解。
9.根据一个或多个实施方式，在用于制造显示装置的设备中，设备包括掩模套件，掩模套件包括硅基板，所述硅基板具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及穿透第一表面和第二表面的第一开口部分，和在第二表面上的支撑基板，支撑基板具有连接至第一开口部分的第二开口部分。在第一表面处的第一开口部分的宽度小于在第二表面处的第一开口部分的宽度。
10.在实施方式中，支撑基板的厚度可大于硅基板的厚度。
11.在实施方式中，支撑基板可直接连接至硅基板的第二表面。
12.在实施方式中，硅基板和支撑基板中的每一个可包括在第一排列方向上和在第二排列方向上排列的多个硅原子，第二排列方向与第一排列方向交叉。在硅基板的多个硅原子当中最外侧的第一外硅原子和在支撑基板的多个硅原子当中最外侧的第二外硅原子可
彼此相邻，第二表面在第一外硅原子和第二外硅原子之间。从第一外硅原子的中心至第二外硅原子的中心的第三排列方向可与第一排列方向和第二排列方向交叉。
13.在实施方式中，支撑基板可包括在第一排列方向上和在第二排列方向上排列的多个第一硅原子，第二排列方向与第一排列方向交叉。硅基板可包括在第一排列方向上和在第三排列方向上排列的多个第二硅原子，第三排列方向与第一排列方向和第二排列方向交叉。
14.在实施方式中，第二表面可包括si2o。
15.在实施方式中，设备可进一步包括在支撑基板和硅基板之间的中间粘合构件。
16.在实施方式中，掩模套件可进一步包括具有开口区的掩模框架，和在掩模框架上的掩模片，掩模片包括上表面、与上表面相对的下表面以及穿透上表面和下表面的掩模开口部分。支撑基板可在掩模片上。硅基板的第二表面可面向掩模片的上表面。
17.在实施方式中，掩模片和支撑基板中的一个可包括面向掩模片和支撑基板中的另一个的凹面部分，并且设备可进一步包括在凹面部分中的粘合构件。
18.在实施方式中，设备可进一步包括其中具有掩模套件的腔室，和腔室中的源单元，源单元可配置为供应沉积材料。硅基板的第二表面可面向源单元。
19.根据一个或多个实施方式，提供了制造掩模套件的方法，所述方法包括制备包括第一层、第二层和第三层的掩模基板；在第一层中形成第一开口部分；在第一层上布置支撑基板，支撑基板具有连接至第一开口部分的第二开口部分；去除第三层；和去除第二层。
20.在实施方式中，第一层和第三层中的每一个可包括硅。第二层可包括硅氧化物。
21.在实施方式中，第一开口部分的形成可包括干法蚀刻第一层，以及在第一层的第一表面处和在与第一表面相对的第二表面处形成第一开口部分，在第一表面处的第一开口部分的宽度可小于在第二表面处的第一开口部分的宽度。第一表面可为面向第二层的表面。
22.在实施方式中，支撑基板的布置可包括将第一层直接连接至支撑基板。
23.在实施方式中，可在第一层中形成多个第一开口部分，多个第一开口部分包括第一开口部分。支撑基板的布置可包括将第二开口部分连接至多个第一开口部分。
24.在实施方式中，方法可进一步包括在掩模基板和支撑基板的表面上形成硅氧化物膜。
25.在实施方式中，方法可进一步包括去除硅氧化物膜，其中第二层的去除与硅氧化物膜的去除同时(例如，同步)进行。
26.在实施方式中，第三层的去除可包括将第三层抛光，和湿法蚀刻或干法蚀刻第三层。
27.在实施方式中，支撑基板的布置可包括通过使用中间粘合构件将支撑基板粘合至第一层。
28.在实施方式中，方法可进一步包括在支撑基板上布置具有掩模开口部分的掩模片和具有开口区的掩模框架。第一层可包括面向第二层的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一层的第二表面面向掩模片。
29.根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括在腔室中布置显示基板，通过使用腔室中的源单元供应沉积材料，和通过使沉积材料穿过面向源单元的掩模套件将沉
积材料沉积在显示基板上。掩模套件可包括硅基板，所述硅基板包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及穿透第一表面和第二表面的第一开口部分，和在第二表面上的支撑基板，支撑基板包括连接至第一开口部分的第二开口部分。第一表面可面向显示基板。第二表面可面向源单元。在第一表面处的第一开口部分的宽度可小于在第二表面处的第一开口部分的宽度。
30.在实施方式中，支撑基板的厚度可大于硅基板的厚度。
31.在实施方式中，支撑基板可直接连接至硅基板的第二表面。
32.在实施方式中，硅基板和支撑基板中的每一个可包括在第一排列方向上和在第二排列方向上排列的多个硅原子，第二排列方向与第一排列方向交叉。在硅基板的多个硅原子当中最外侧的第一外硅原子和在支撑基板的多个硅原子当中最外侧的第二外硅原子可彼此相邻，第二表面在第一外硅原子和第二外硅原子之间。从第一外硅原子的中心至第二外硅原子的中心的第三排列方向可与第一排列方向和第二排列方向交叉。
33.在实施方式中，支撑基板可包括在第一排列方向上和在第二排列方向上排列的多个第一硅原子，第二排列方向与第一排列方向交叉。硅基板可包括在第一排列方向上和在第三排列方向上排列的多个第二硅原子，第三排列方向与第一排列方向和第二排列方向交叉。
34.在实施方式中，第二表面可包括si2o。
35.在实施方式中，方法可进一步包括在支撑基板和硅基板之间的中间粘合构件。
36.在实施方式中，多个第一开口部分可包括第一开口部分。第二开口部分可连接至多个第一开口部分。
37.在实施方式中，掩模套件可进一步包括具有开口区的掩模框架，和在掩模框架上的掩模片，掩模片包括上表面、与上表面相对的下表面以及穿透上表面和下表面的掩模开口部分。支撑基板可设置在掩模片上。硅基板的第二表面可面向掩模片的上表面。
38.在实施方式中，掩模片和支撑基板中的一个可包括面向掩模片和支撑基板中的另一个的凹面部分。粘合构件可在凹面部分中。
附图说明
39.结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面、特征和优势将从下述描述中更显而易见，其中：
40.图1为根据实施方式的用于制造显示装置的设备的示意性横截面图；
41.图2为根据实施方式的掩模套件的示意性分解透视图；
42.图3为根据实施方式的掩模套件的示意性平面图；
43.图4为沿着图3的线iv-iv’截取的掩模套件的横截面图；
44.图5a为根据实施方式的图4的掩模套件的部分a的放大视图；
45.图5b为根据另一实施方式的图4的掩模套件的部分a的放大视图；
46.图5c为根据比较例的图4的部分a的放大视图，用于与图5a和图5b的实施方式进行比较；
47.图6为根据另一实施方式的掩模套件的横截面图；
48.图7为根据另一实施方式的掩模套件的示意性平面图；
49.图8为沿着图7的线viii-viii’截取的图7中显示的掩模套件的横截面图；
50.图9a至图9j为根据实施方式的制造掩模套件的方法的横截面图；
51.图10为根据另一实施方式的制造掩模套件的方法的横截面图；和
52.图11为根据实施方式的通过用于制造显示装置的设备制造的显示装置的示意性横截面图。
具体实施方式
53.现将更详细参考其实施例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本公开的实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文陈述的描述。因此，下面仅通过参考图来描述实施方式，以解释本公开的一个或多个实施方式的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b二者，a和c二者，b和c二者，a、b和c的所有，或其变体。
54.因为本公开允许各种变化和许多实施方式，所以将在附图中阐释并且在书面描述中详细描述实施方式。通过参考示例性实施方式和所附附图的下述详细描述，可更容易地理解本公开的优点和特征以及实现它们的方法。然而，这不旨在将本公开限于实践的特定模式，并且应认识到，不背离本公开的精神和技术范围的所有变化、等效方案和替代方案都囊括在本公开中。
55.在本公开的描述中，当认为相关技术的某些详细解释可不必要地使本公开的本质模糊时，将省略详细解释。
56.应理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件和另一组件。
57.如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
58.应进一步理解，如本文使用的术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”指定存在叙述的特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
59.将理解，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，其可直接或间接形成在另一层、区域或组件上。即，例如，可存在中间层、区域或组件。
60.为了方便解释，可放大附图中组件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，附图中组件的尺寸和厚度被任意阐释，所以下述实施方式不限于此。
61.当某个实施方式可不同地实施时，可与描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行，或以与描述的顺序相反的顺序进行。
62.将理解，当层、区域或组件被称为“连接至”另一层、区域或组件时，其可直接连接至另一层、区域或组件，或经中间层、区域或组件间接连接至另一层、区域或组件。例如，在本说明书中，当层、区域或组件被称为电连接至另一层、区域或组件时，其可直接电连接至另一层、区域或组件，或经中间层、区域或组件间接电连接至另一层、区域或组件。
63.进一步，当描述本公开的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。
64.为了易于描述，本文可使用空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下”、“上面”、“上”、“底部”和“顶部”等，以描述附图中阐释的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。应理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在囊括使用或操作中的设备的不同定向。例如，如果将附图中的装置翻转，则描述为在其他元件或特征“下面”或在其他元件或特征“之下”的元件将定向为在其他元件或特征“上面”或在其他元件或特征“之上”。因此，术语“下面”可囊括上面和下面的两种定向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，并且应相应地解释本文使用的空间相对描述符。
65.如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语被用作近似的术语，并且不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
66.如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可视为分别与术语“利用(utilize)”“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
67.除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语，比如在常用词典中限定的那些术语，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此限定。
68.图1为根据实施方式的用于制造显示装置的设备1000的示意性横截面图。图2为根据实施方式的掩模套件1500的示意性分解透视图。图3为根据实施方式的掩模套件1500的示意性平面图。图4为沿着图3的线iv-iv’截取的掩模套件1500的横截面图。
69.参考图1至图4，用于制造显示装置的设备1000可包括腔室1100、基板支撑件1200、掩模支撑件1300、源单元1400、掩模套件1500、电磁单元1600、视觉单元1700和压力控制单元1800。
70.腔室1100可在其中具有空间(例如，内部体积)和一个开口侧(例如，在腔室1100一侧的开口)，通过开口侧，可取出或装载显示基板d。包括闸门阀等的屏蔽部件1110可设置在腔室1100的开口侧，以便选择性地打开或关闭。
71.基板支撑件1200可支撑放置在其上的显示基板d。例如，基板支撑件1200可被动地支撑放置在其上的显示基板d，通过在显示基板d的一个表面施加吸力来支撑显示基板d，或通过允许显示基板d的表面粘合至基板支撑件1200来支撑显示基板d。在实施方式中，可以固定至腔室1100的内侧的支架的形式提供基板支撑件1200。然而，本公开不限于此。例如，在另一实施方式中，基板支撑件1200可为能够在腔室1100中线性运动的梭子的形式，并且显示基板d可放置或定位在基板支撑件1200中或基板支撑件1200上。在下述描述中，为了方便解释，更详细地描述了其中基板支撑件1200为固定至腔室1100的内侧的支架的形式的情况。
72.掩模套件1500可放置在掩模支撑件1300上。掩模支撑件1300可设置在腔室1100中。掩模支撑件1300可为固定至腔室1100的内侧的支架的形式。在实施方式中，掩模支撑件1300可调节(例如，微调)掩模套件1500的位置。在该情况下，掩模支撑件1300可包括单独的驱动单元和/或对齐单元等，以在不同方向上移动掩模套件1500。
73.源单元1400可设置为面向掩模套件1500。源单元1400可含有沉积材料，并且可通过向沉积材料施加热而使沉积材料蒸发或升华。因此，源单元1400可供应沉积材料。
74.掩模套件1500可由掩模支撑件1300支撑。掩模套件1500可包括硅基板100、支撑基
板200、掩模片300、掩模框架400和粘合构件500。
75.硅基板100可设置在支撑基板200上。例如，硅基板100可设置为比支撑基板200更靠近显示基板d和/或电磁单元1600。硅基板100可设置为比支撑基板200离源单元1400更远。
76.在实施方式中，硅基板100可连接(例如，直接连接)至支撑基板200。例如，硅基板100可经中间粘合构件连接至支撑基板200，并且在其他实施方式中，硅基板100可直接连接至支撑基板200。在下述描述中，更详细地描述了其中硅基板100直接连接至支撑基板200的情况。
77.硅基板100可包括在作为单个掩模片的掩模片300上的多个硅基板。在实施方式中，硅基板100可设置为在掩模片300(例如，作为单个掩模片的掩模片300)上彼此分开或隔开。例如，硅基板100可设置在掩模片300(例如，作为单个掩模片的掩模片300)上，在第一方向(例如，x方向)上彼此分开或隔开，和/或在第二方向(例如，y方向)上彼此分开或隔开。在另一实施方式中，硅基板100的至少一部分可整体提供在作为单个掩模片的掩模片300上。
78.硅基板100可设置为对应于掩模片300的掩模开口部分300op。换句话说，硅基板100可与掩模片300的掩模开口部分300op重叠(例如，在第三方向(例如，z方向)上重叠)。在实施方式中，硅基板100可在作为单个掩模片的掩模片300上包括多个硅基板。此外，掩模片300可包括作为掩模开口部分300op的多个掩模开口部分。在该情况下，硅基板100可分别设置为对应于掩模开口部分300op。换句话说，硅基板100可分别与掩模开口部分300op重叠。
79.硅基板100可包括第一表面s1和与第一表面s1相对的第二表面s2。第一表面s1可设置为面向电磁单元1600和/或显示基板d。第二表面s2可设置为面向源单元1400。此外，第二表面s2可设置为面向掩模片300的上表面us。
80.硅基板100可包括第一开口部分op1。第一开口部分op1可穿透第一表面s1和第二表面s2。在一个或多个实施方式中，第一开口部分op1可延伸穿过第二表面s2。第一开口部分op1可具有锥形形状(例如，第一开口部分op1可由锥形侧壁限定)。在实施方式中，在第一表面s1中的第一开口部分op1的第一宽度d1可小于在第二表面s2中的第一开口部分op1的第二宽度d2。第一宽度d1可限定为面向彼此并且限定第一表面s1中的第一开口部分op1的硅基板100的内侧表面之间的最短距离。第二宽度d2可限定为面向彼此并且限定第二表面s2中的第一开口部分op1的硅基板100的内侧表面之间的最短距离。因为第一表面s1面向显示基板d，所以第一开口部分op1的宽度可在从源单元1400朝向显示基板d的方向上减小。在该情况下，硅基板100可在用于制造显示装置的设备1000中精确地控制沉积材料沉积在显示基板d上的位置。因此，可提高用于制造显示装置的设备1000的加工精度。
81.在实施方式中，第一开口部分op1的宽度可不断减小。例如，第一开口部分op1的宽度可在从第二表面s2朝向第一表面s1的方向上不断减小。在另一实施方式中，第一开口部分op1的内侧表面可包括曲面。在下述描述中，更详细地描述了其中第一开口部分op1的宽度不断减小的情况。
82.与本公开的一个或多个实施方式不同，当垂直地或法线方向上而不呈锥形地形成第一开口部分op1，并且用于制造显示装置的设备1000重复沉积工艺或进行沉积工艺时，第一开口部分op1可被由源单元1400供应的沉积材料堵塞。在该情况下，可缩短去除沉积在第一开口部分op1中或堵塞第一开口部分op1的沉积材料的清洁工艺的周期。随着源单元1400
使用的沉积材料的量增加，可降低用于制造显示装置的设备1000的效率(例如，吞吐量)。例如，效率可因为不得不更频繁地和/或更长时间地进行清洁工艺而降低。在本公开的一个或多个实施方式中，第一表面s1中的第一开口部分op1的第一宽度d1可小于第二表面s2中的第一开口部分op1的第二宽度d2。例如，第一开口部分op1可为锥形的。因此，与其中第一开口部分op1不为锥形的情况相比，可增加直到第一开口部分op1被由源单元1400供应的沉积材料堵塞的时间(持续时间)。因此，可增加用于制造显示装置的设备1000的效率。
83.硅基板100可包括硅(si)。在实施方式中，硅基板100可包括硅晶体。例如，硅基板100可包括多个硅原子。换句话说，硅基板100可为硅晶片。因为硅基板100为硅晶片，所以可通过将在下面更详细地描述的干法蚀刻工艺形成第一开口部分op1。
84.支撑基板200可支撑硅基板100。支撑基板200可设置在硅基板100的第二表面s2上。支撑基板200可设置在硅基板100和掩模片300之间。此外，支撑基板200可设置为比硅基板100离显示基板d和/或电磁单元1600更远。支撑基板200可设置为比硅基板100更靠近源单元1400。
85.支撑基板200的第二厚度t2可大于硅基板100的第一厚度t1。支撑基板200的第二厚度t2可限定为支撑基板200的上表面和支撑基板200的下表面之间的最短距离。硅基板100的第一厚度t1可限定为硅基板100的第一表面s1和硅基板100的第二表面s2之间的最短距离。在掩模套件1500的制造期间，当机械臂等接触(例如，直接接触)并且转移硅基板100时，硅基板100可被损坏。在掩模套件1500的制造期间，当机械臂等接触(例如，直接接触)并且转移厚度大于硅基板100的厚度的支撑基板200时，可防止或减少对硅基板100的损坏。
86.在实施方式中，支撑基板200可包括在掩模片300(例如，作为单个掩模片的掩模片300)上的多个支撑基板。在实施方式中，支撑基板200可设置为在掩模片300(例如，作为单个掩模片的掩模片300)上彼此分开或隔开。例如，支撑基板200可设置为在第一方向(例如，x方向)上和/或在第二方向(例如，y方向)上在掩模片300(例如，作为单个掩模片的掩模片300)上彼此分开或隔开。
87.支撑基板200可设置为对应于掩模片300的掩模开口部分300op。换句话说，支撑基板200可与掩模片300的掩模开口部分300op重叠(例如，在第三方向(例如，z方向)上重叠)。在实施方式中，支撑基板200可在作为单个掩模片的掩模片300上包括多个支撑基板。此外，掩模片300可包括作为掩模开口部分300op的多个掩模开口部分。在该情况下，支撑基板200可分别设置为对应于掩模开口部分300op。换句话说，支撑基板200可分别与掩模开口部分300op重叠。
88.支撑基板200可包括第二开口部分op2。第二开口部分op2可穿透支撑基板200的上表面和支撑基板200的下表面。例如，第二开口部分op2可延伸穿过支撑基板200。在实施方式中，第二开口部分op2可连接至第一开口部分op1(与第一开口部分op1连通)。因此，由源单元1400供应的沉积材料可通过穿过第二开口部分op2和第一开口部分op1而沉积在显示基板d上。在实施方式中，第二开口部分op2可连接至第一开口部分op1。换句话说，作为单个开口部分的第二开口部分op2可连接至第一开口部分op1中的每一个。
89.在实施方式中，支撑基板200可包括硅。换句话说，支撑基板200可包括硅晶体。例如，支撑基板200可包括多个硅原子。在该情况下，支撑基板200可为硅晶片，并且可包括与硅基板100的材料相同的材料。在另一实施方式中，支撑基板200可包括玻璃。
90.支撑基板200可连接(例如，直接连接)至硅基板100。例如，在一个或多个实施方式中，支撑基板200可直接连接至硅基板100的第二表面s2。直接连接至硅基板100的第二表面s2的支撑基板200可指在支撑基板200和硅基板100之间未设置粘合构件等。支撑基板200可结合和直接连接至硅基板100。当支撑基板200和硅基板100二者都包括硅晶体时，支撑基板200和硅基板100可彼此结合(例如，直接结合或熔融结合)。在该情况下，在实施方式中，支撑基板200和硅基板100直接连接的第二表面s2可包括si2o。在另一实施例中，当支撑基板200包括玻璃时，支撑基板200和硅基板100可为阳极结合的。
91.掩模片300可设置在支撑基板200下面。支撑基板200可设置在掩模片300上。在一个或多个实施方式中，支撑基板200可设置在掩模片300和硅基板100之间。此外，掩模片300可设置在掩模框架400上。掩模片300可设置在掩模框架400和支撑基板200之间。
92.掩模片300可包括上表面us和与上表面us相对的下表面ls。掩模片300的上表面us可面向硅基板100的第二表面s2。此外，掩模片300的上表面us可面向支撑基板200。掩模片300的下表面ls可面向掩模支撑件1300和/或源单元1400。
93.掩模片300可包括掩模开口部分300op。掩模开口部分300op可穿透掩模片300的上表面us和掩模片300的下表面ls。在一个或多个实施方式中，掩模开口部分300op可延伸穿过掩模片300。此外，掩模开口部分300op可连接至第二开口部分op2。在实施方式中，掩模片300可包括掩模开口部分300op。在该情况下，掩模开口部分300op可分别连接至第二开口部分op2。
94.在实施方式中，掩模开口部分300op的宽度可与第二开口部分op2的宽度相同(相等)或基本上相同(基本上相等)。在另一实施方式中，掩模开口部分300op的宽度可不同于第二开口部分op2的宽度。例如，掩模开口部分300op的宽度可大于或小于第二开口部分op2的宽度。
95.掩模片300可包括不锈钢、因瓦合金、ni、co、镍合金和/或镍-钴合金。因此，当电磁单元1600向掩模片300施加电力和/或磁力时，掩模片300可在靠近电磁单元1600的方向上接近显示基板d。在该情况下，硅基板100可与显示基板d接触(例如，紧密接触)。
96.支撑基板200和掩模片300中的一个可包括面向支撑基板200和掩模片300中的另一个的凹面部分cp。在实施方式中，支撑基板200可包括面向掩模片300(例如，掩模片300的表面)的凹面部分cp。在该情况下，支撑基板200的凹面部分cp可面向掩模片300的上表面us。在另一实施方式中，掩模片300可包括面向支撑基板200(例如，支撑基板200的表面)的凹面部分。在另一实施方式中，支撑基板200可包括面向掩模片300的凹面部分cp，并且掩模片300可包括面向支撑基板200的凹面部分。例如，支撑基板200的凹面部分cp可面向掩模片300的凹面部分cp。在下述描述中，更详细地描述了其中支撑基板200包括面向掩模片300的凹面部分cp的情况。
97.在实施方式中，支撑基板200可包括凹面部分cp。凹面部分cp可设置为对应于支撑基板200的顶点。可选地，凹面部分cp可设置为对应于支撑基板200的顶点和/或支撑基板200的侧面。
98.粘合构件500可设置在凹面部分cp中。粘合构件500可结合支撑基板200和掩模片300。在实施方式中，粘合构件500可包括粘合金属。粘合构件500可包括不生成脱气的材料。例如，粘合构件500可包括铟(in)。可选地，粘合构件500可包括in复合物。在另一实施例中，
粘合构件500可包括树脂和/或环氧树脂等。
99.掩模框架400可设置在掩模片300下面。换句话说，掩模片300可设置在掩模框架400上。掩模片300可设置在支撑基板200和掩模框架400之间。掩模片300可以拉伸状态固定至掩模框架400。掩模片300可通过焊接固定至掩模框架400。掩模框架400可放置在掩模支撑件1300上。
100.掩模框架400可包括开口区oa。掩模框架400的开口区oa可与掩模片300重叠。此外，开口区oa可连接至掩模片300的掩模开口部分300op。在实施方式中，开口区oa可连接至掩模开口部分300op。由源单元1400供应的沉积材料可穿过开口区oa。掩模框架400可包括围绕开口区oa的多个框架。框架可在第一方向(例如，x方向)上和/或在第二方向(例如，y方向)上延伸。掩模框架400可包括较少变形(即，不容易变形)的材料，即，具有高刚性的金属。
101.电磁单元1600可相对于掩模套件1500设置在与源单元1400相对的一侧。电磁单元1600可通过向掩模片300施加电力和/或磁力，向掩模套件1500施加朝向显示基板d的力。尤其，电磁单元1600可防止或减少掩模片300的下垂，并且进一步允许掩模片300接近显示基板d。此外，电磁单元1600可相对于掩模片300的长度方向使掩模片300和显示基板d之间保持恒定的间隔。在实施方式中，电磁单元1600可包括静电卡盘。在另一个实施例中，电磁单元1600可包括磁性卡盘。
102.视觉单元1700设置在腔室1100中，并且可拍摄显示基板d和掩模套件1500的位置。视觉单元1700可包括照相机，以拍摄显示基板d和掩模套件1500。可在由视觉单元1700捕获的图像的基础上(基于由视觉单元1700捕获的图像)来识别显示基板d和掩模套件1500的位置，并且可在图像的基础上(基于图像)(例如，基于使用图像识别的显示基板d和掩模套件1500的位置)来调整(例如，微调)掩模支撑件1300上掩模套件1500的位置。
103.压力控制单元1800连接至腔室1100，并且可调节腔室1100中的压力。例如，压力控制单元1800可将腔室1100中的压力调节为与大气压相同或相似。此外，压力控制单元1800可将腔室1100中的压力调节为与真空状态相同或相似。
104.压力控制单元1800可包括连接至腔室1100的连接管1810和提供在连接管1810上的泵1820。根据泵1820的操作，可通过连接管1810引入或供应外部空气，或可通过连接管1810将腔室1100中的气体引导或清洗至外侧。
105.图5a为根据实施方式的图4的掩模套件1500的部分a的放大视图。
106.参考图5a，掩模套件1500可包括硅基板100和支撑基板200。支撑基板200的上表面200us可面向硅基板100的第二表面s2。在实施方式中，如图5a中显示，支撑基板200的上表面200us可部分暴露于外侧。例如，与硅基板100在平行于第二表面s2的方向上的延伸相比，支撑基板200可在平行于第二表面s2的方向上延伸得更远。在该情况下，支撑基板200可在平行于第二表面s2的方向上伸出。在另一实施方式中，硅基板100的第二表面s2可部分暴露于外侧。例如，相比支撑基板200在平行于第二表面s2的方向上的延伸，硅基板100可在平行于第二表面s2的方向上延伸得更远。在该情况下，硅基板100可在平行于第二表面s2的方向上伸出。这样，当硅基板100和支撑基板200彼此直接连接时，硅基板100的侧表面100ss可不与支撑基板200的侧表面200ss对齐。硅基板100的侧表面100ss可与硅基板100的第二表面s2相交，并且可暴露于外侧。支撑基板200的侧表面200ss可与支撑基板200的上表面200us相交，并且可暴露于外侧。
107.硅基板100和支撑基板200各自可包括多个硅原子sa。如图5a中显示，硅原子sa可在第一排列方向d1上和在第二排列方向d2上排列。第一排列方向d1和第二排列方向d2可彼此相交。例如，第一排列方向d1和第二排列方向d2可形成锐角、直角或钝角。在下述描述中，更详细地描述了其中第一排列方向d1和第二排列方向d2形成直角的情况。
108.设置在硅原子sa当中最外侧(例如，硅基板100和支撑基板200的最外侧)的多个外硅原子可限定为多个外硅原子(osa)。换句话说，外硅原子osa可限定为设置在硅原子sa当中最外侧的硅原子。在实施方式中，硅基板100中包括的外硅原子osa可限定硅基板100的侧表面100ss。此外，支撑基板200中包括的外硅原子osa可限定支撑基板200的侧表面200ss。
109.硅原子sa可包括设置在硅原子sa的最外侧并且彼此相邻的第一外硅原子osa1(例如，支撑基板200的外硅原子)和第二外硅原子osa2(例如，硅基板100的外硅原子)，第二表面s2在第一外硅原子osa1(例如，支撑基板200的外硅原子)和第二外硅原子osa2(例如，硅基板100的外硅原子)之间。例如，外硅原子osa可包括彼此相邻的第一外硅原子osa1和第二外硅原子osa2，第二表面s2在第一外硅原子osa1和第二外硅原子osa2之间。换句话说，位于硅基板的多个硅原子当中最外侧的第一外硅原子和位于支撑基板的多个硅原子当中最外侧的第二外硅原子彼此相邻，第二表面在第一外硅原子和第二外硅原子之间。
110.从第一外硅原子osa1的中心osac1至第二外硅原子osa2的中心osac2的第三排列方向d3可与第一排列方向d1和第二排列方向d2相交或交叉。第一外硅原子osa1的中心osac1可限定为第一外硅原子osa1的原子核的位置。此外，第二外硅原子osa2的中心osac2可限定为第二外硅原子osa2的原子核的位置。换句话说，如图5a中显示，硅基板100中包括的硅原子sa和支撑基板200中包括的硅原子sa可彼此错位或偏移。这是因为，即使当硅基板100和支撑基板200包括相同的硅晶体并且彼此直接连接时，硅基板100和支撑基板200之间的原子键也可彼此不完全匹配(例如，可不对齐)。
111.图5b为根据另一实施方式的图4的掩模套件1500的部分a的放大视图。在图5b中，因为与图5a的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，不再重复其冗余描述。
112.参考图5b，掩模套件1500可包括硅基板100和支撑基板200。
113.当硅基板100和支撑基板200彼此直接连接时，硅基板100的侧表面100ss和支撑基板200的侧表面200ss可彼此相交。换句话说，硅基板100的侧表面100ss和支撑基板200的侧表面200ss不包括在相同的平面中，并且可彼此相交。
114.硅基板100和支撑基板200各自可包括硅原子sa。例如，支撑基板200可包括多个第一硅原子sa1，并且硅基板100可包括多个第二硅原子sa2。
115.在实施方式中，第一硅原子sa1可在第一排列方向d1上和在与第一排列方向d1相交或交叉的第二排列方向d2上排列。第一排列方向d1和第二排列方向d2可彼此相交或交叉以形成任何合适的角。例如，第一排列方向d1和第二排列方向d2可形成锐角、直角或钝角。在下述描述中，更详细地描述了其中第一排列方向d1和第二排列方向d2形成直角的情况。
116.在实施方式中，第二硅原子sa2可在第一排列方向d1上和在与第一排列方向d1和第二排列方向d2相交或交叉的第三排列方向d3上排列。因此，第一硅原子sa1的排列方向和第二硅原子sa2的排列方向可彼此不同。换句话说，可在硅基板100的第二表面s2中生成界面缺陷。界面缺陷可限定为用于分离具有不同晶体结构和不同晶体方向的材料的两个部分的二维界面。
117.图5c为根据比较例的图4的部分a的放大视图，用于与图5a和图5b的实施方式进行比较。
118.参考图5c，在比较例中，掩模套件可包括硅基板100-1。然而，在该情况下，掩模套件可不包括支撑基板。硅基板100-1可包括硅原子sa。硅原子sa可在第一排列方向d1上和在第二排列方向d2上排列。
119.与根据本公开的一个或多个实施方式不同，当硅基板100-1不直接连接至支撑基板时，可规则地排列硅原子。换句话说，硅基板100-1中包括的硅原子sa可不如图5a中阐释的那样错位。可选地，在硅基板100-1中包括的硅原子sa中可不生成如图5b中阐释的界面缺陷。在本公开的一个或多个实施方式中，因为硅基板100和支撑基板200彼此直接连接，所以如图5a中阐释的硅原子sa可错位，和/或如图5b中阐释的可产生界面缺陷。
120.图6为根据另一实施方式的掩模套件1500-1的横截面图。在图6中，因为与图4的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，不再重复其冗余描述。
121.参考图6，掩模套件1500-1可包括硅基板100、支撑基板200、掩模片300、掩模框架400、粘合构件500和中间粘合构件600。根据图6的实施方式的掩模套件1500-1与根据图4的实施方式的掩模套件1500的不同之处在于前者包括中间粘合构件600。
122.在实施方式中，支撑基板200可包括硅。例如，支撑基板200可包括硅晶体。在另一实施方式中，支撑基板200可包括玻璃。
123.中间粘合构件600可设置在硅基板100和支撑基板200之间。中间粘合构件600可结合硅基板100和支撑基板200。在实施方式中，中间粘合构件600可包括粘合金属。中间粘合构件600可包括不生成脱气的材料。例如，中间粘合构件600可包括in。可选地，中间粘合构件600可包括in复合物。在另一实施例中，中间粘合构件600可包括树脂和/或环氧树脂等。
124.图7为根据另一实施方式的掩模套件1500-2的示意性平面图。图8为沿着图7的线viii-viii’截取的图7中显示的掩模套件1500-2的横截面图。在图7和图8中，因为与图3和图4的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，不再重复其冗余描述。
125.参考图7和图8，掩模套件1500-2可包括硅基板100、支撑基板200、掩模片300、掩模框架400和粘合构件500。
126.硅基板100可包括第一开口部分op1。第一开口部分op1可穿透第一表面s1和第二表面s2。在一个或多个实施方式中，第一开口部分op1可延伸穿过硅基板100。
127.第一开口部分op1可具有锥形形状。硅基板100可包括多个第一开口部分op1。
128.支撑基板200可包括第二开口部分op2。第二开口部分op2可穿透支撑基板200的上表面和支撑基板200的下表面。例如，第二开口部分op2可延伸穿过支撑基板200。在实施方式中，支撑基板200可包括第二开口部分op2。换句话说，作为单个支撑基板的支撑基板200可包括第二开口部分op2。第二开口部分op2可设置为彼此分开或隔开。
129.在实施方式中，第二开口部分op2可连接至第一开口部分op1。作为单个开口部分的第二开口部分op2可设置为与第一开口部分op1重叠。因此，作为单个开口部分的第二开口部分op2可连接至第一开口部分op1。
130.掩模片300可包括掩模开口部分300op。掩模开口部分300op可穿透掩模片300的上表面us和掩模片300的下表面ls。例如，掩模开口部分300op可延伸穿过掩模片300。
131.在实施方式中，掩模开口部分300op可连接至第二开口部分op2。换句话说，作为单
个掩模开口部分的掩模开口部分300op可连接至第二开口部分op2。
132.图9a至图9j为根据实施方式的制造掩模套件的方法的横截面图。
133.参考图9a，可制备掩模基板ms。掩模基板ms可为绝缘体上硅(soi)晶片。在实施方式中，掩模基板ms可包括第一层100a、第二层100b和第三层100c。第一层100a可为将作为掩模套件的硅基板的一部分。可堆叠(例如，顺序堆叠)第一层100a、第二层100b和第三层100c。第一层100a和第三层100c可包括硅。在实施方式中，第一层100a和第三层100c可包括硅晶体。例如，第一层100a和第三层100c可包括多个硅原子。第二层100b可包括硅氧化物(例如，sio2)。
134.第一开口部分可形成在第一层100a中。在一个或多个实施方式中，光致抗蚀剂层pr可形成在第一层100a上。光致抗蚀剂层pr可选择为正型或负型中的任何一种，并且形成在第一层100a上。在正型光致抗蚀剂层中，稍后在显影工艺中蚀刻曝光区，并且在负型光致抗蚀剂层中，蚀刻除暴光区之外的区。在下述描述中，更详细地描述了其中光致抗蚀剂层pr为正型的情况。
135.可通过使用各种合适的方法，比如旋涂、喷涂和/或浸渍等将光致抗蚀剂溶液施加至第一层100a而形成光致抗蚀剂层pr。
136.此外，在将光致抗蚀剂层pr涂覆在第一层100a的上表面上之前，可另外进行将第一层100a的上表面(其上待涂覆光致抗蚀剂层pr)抛光的工艺。
137.接下来，可暴露光致抗蚀剂层pr。可暴露光致抗蚀剂层pr的至少一部分。例如，当使用光掩模时，可暴露光致抗蚀剂层pr的与光掩模的开口部分重叠的区。
138.接下来，可通过显影工艺去除光致抗蚀剂层pr的一部分。因此，可在光致抗蚀剂层pr上形成光致抗蚀剂层开口部分prop。光致抗蚀剂层开口部分prop可与第一层100a的形成第一开口部分的区重叠。
139.接下来，可通过使用光致抗蚀剂层pr作为掩模来蚀刻第一层100a。蚀刻可为干法蚀刻。可在朝向第一层100a的方向上在光致抗蚀剂层开口部分prop中进行干法蚀刻。换句话说，在干法蚀刻工艺期间第一层100a的在光致抗蚀剂层开口部分prop处的部分或第一层100a的被光致抗蚀剂层开口部分prop暴露的部分可被蚀刻。
140.参考图9b，第一层100a可包括第一表面s1和与第一表面s1相对的第二表面s2。第一表面s1可为面向第二层100b的表面。在该情况下，因为在朝向第一层100a的方向上在光致抗蚀剂层开口部分prop中进行干法蚀刻，所以第一层100a的第一表面s1中的第一开口部分op1的第一宽度d1可形成为小于第二表面s2中的第一开口部分op1的第二宽度d2。因此，第一层100a的第一表面s1中或第一层100a的第一表面s1处的第一开口部分op1的第一宽度d1可小于第二表面s2中或第二表面s2处的第一开口部分op1的第二宽度d2。
141.在实施方式中，第一开口部分op1的宽度可形成为不断减小。例如，第一开口部分op1的宽度可形成为从第二表面s2起在朝向第一表面s1的方向上不断减小。在另一实施方式中，第一开口部分op1的内侧表面可包括曲面。在下述描述中，更详细地描述了其中第一开口部分op1的宽度不断减小的情况。
142.参考图9c，可去除光致抗蚀剂层pr。因此，第一层100a的第二表面s2可暴露于外侧。
143.参考图9d和图9e，可制备包括第二开口部分op2的支撑基板200。支撑基板200的第
二厚度t2可比第一层100a的第一厚度t1厚。第二开口部分op2可穿透支撑基板200的上表面和支撑基板200的下表面。例如，第二开口部分op2可延伸穿过支撑基板200。
144.支撑基板200可设置在第一层100a上。例如，支撑基板200可设置在第一层100a的第二表面s2上。第一开口部分op1可连接至第二开口部分op2。
145.在实施方式中，支撑基板200可包括与第一层100a的材料相同的材料。例如，支撑基板200可包括硅。在另一实施方式中，支撑基板200可包括玻璃。
146.支撑基板200可直接连接至第一层100a。例如，支撑基板200可直接连接至第一层100a的第二表面s2。
147.在实施方式中，当与第一层100a一样，支撑基板200包括硅晶体时，支撑基板200可直接结合或熔融结合至第一层100a。
148.首先，可去除支撑基板200和第一层100a中的每一个的表面上的杂质。在实施方式中，可干洗支撑基板200和第一层100a。例如，可在支撑基板200和第一层100a上进行等离子体处理工艺、紫外/臭氧清洁工艺和/或湿法化学清洁工艺。
149.接下来，支撑基板200和第一层100a可彼此对齐，并且支撑基板200和第一层100a可彼此粘合。例如，面向彼此的支撑基板200的下表面和第一层100a的第二表面s2可彼此粘合。在室温下，相当部分的硅烷醇(si-oh)基可聚合，形成si2o(-si-o-si-部的单元)和水分子(h2o)。在实施方式中，当支撑基板200和第一层100a彼此直接连接时，可在第二表面s2上形成si2o。
150.接下来，可进行退火工艺以增加支撑基板200和第一层100a的结合强度。退火工艺可提供一定量的热能，使得更多的硅烷醇(si-oh)基彼此反应，并且可形成新的化学键。结果，可增加支撑基板200和第一层100a的结合强度。h2o可能沿着第二表面s2扩散。
151.在另一实施方式中，当支撑基板200包括玻璃时，支撑基板200和第一层100a可为彼此阳极结合的。
152.首先，支撑基板200可设置在第一层100a上。支撑基板200可直接设置在第一层100a上。
153.接下来，可向第一层100a和支撑基板200施加静电场。例如，电极可连接至第一层100a和支撑基板200中的每一个。可在约200℃至约500℃(例如，200℃至500℃)的温度下，将静电场施加至第一层100a和支撑基板200。在该情况下，在实施方式中，可在第二表面s2上形成si2o。
154.接下来，可冷却第一层100a和支撑基板200。因此，第一层100a和支撑基板200可通过阳极结合工艺直接彼此连接。
155.参考图9f，在实施方式中，可在掩模基板ms和支撑基板200上形成硅氧化物膜of。例如，可在第一层100a、第三层100c和支撑基板200的表面上形成硅氧化物膜of。在实施方式中，可在热氧化工艺中形成硅氧化物膜of。
156.硅氧化物膜of可防止或基本上防止掩模基板ms或支撑基板200在湿法蚀刻工艺中被蚀刻。硅氧化物膜of可包括sio2。硅氧化物膜of可包括与第二层100b的材料相同的材料。
157.在实施方式中，当在形成掩模套件的工艺中仅进行干法蚀刻工艺时，可省略形成硅氧化物膜of的工艺。在下述描述中，更详细地描述了其中在掩模基板ms和支撑基板200的表面上形成硅氧化物膜of的情况。
158.参考图9f、图9g和图9h，可去除第三层100c。在实施方式中，可将第三层100c抛光。可减少第三层100c的厚度。此外，可去除在第三层100c上形成的硅氧化物膜of的一部分。在实施方式中，抛光工艺可为化学机械抛光(cmp)工艺。
159.可暴露第三层100c的至少一部分。例如，因为去除了在第三层100c上形成的硅氧化物膜of的一部分，所以可暴露第三层100c的至少一部分。例如，第三层100c可包括面向第一层100a的第一表面s1的第三层100c的上表面100csa。此外，第三层100c可包括与第三层100c的上表面100csa相对的第三层100c的下表面100csb。第三层100c的下表面100csb可暴露于外侧。
160.在实施方式中，可通过湿法蚀刻工艺去除第三层100c。第三层100c的下表面100csb可不被硅氧化物膜of覆盖，并且可暴露于外侧。因此，可通过湿法蚀刻工艺去除第三层100c。因为第一层100a和支撑基板200被硅氧化物膜of覆盖，所以可防止或基本上防止第一层100a和支撑基板200被湿法蚀刻。在另一实施方式中，可通过干法蚀刻工艺去除第三层100c。
161.参考图9h和图9i，可去除第二层100b。在实施方式中，当去除第二层100b时，也可去除硅氧化物膜of。因为第二层100b和硅氧化物膜of二者都包括sio2，所以可在相同的工艺中同时(例如，同步)去除第二层100b和硅氧化物膜of。因此，可减少制造掩模套件的时间。在另一实施方式中，在去除第二层100b之后，可去除硅氧化物膜of。在另一实施方式中，在去除硅氧化物膜of之后，可去除第二层100b。
162.可通过上述工艺制造掩模套件的硅基板100和支撑基板200。掩模基板的第一层100a可为掩模套件的硅基板100。
163.参考图9j，提供有掩模开口部分300op的掩模片300可设置在支撑基板200上。支撑基板200可设置在硅基板100和掩模片300之间。
164.掩模片300可包括上表面us和与上表面us相对的下表面ls。掩模片300的上表面us可设置为面向第一层100a的第二表面s2。此外，掩模片300的上表面us可设置为面向支撑基板200。
165.在一个或多个实施方式中，支撑基板200和掩模片300可通过粘合构件彼此粘合。
166.掩模框架400可设置在掩模片300下面。换句话说，掩模片300可设置在掩模框架400上。掩模片300可设置在支撑基板200和掩模框架400之间。掩模片300可通过焊接固定至掩模框架400，并且掩模片300可处于拉伸状态。
167.支撑基板200的第二厚度t2可大于硅基板100的第一厚度t1。在掩模套件1500的制造期间，当机械臂等直接接触并且转移硅基板100时，硅基板100可被损坏。在掩模套件1500的制造期间，当机械臂等直接接触并且转移比硅基板100厚的支撑基板200时，可防止对硅基板100的损坏。因此，因为使用支撑基板200防止了对硅基板100的损坏，所以可制造掩模套件1500。
168.图10为根据另一实施方式的制造掩模套件的方法的横截面图。在图10中，因为与图9d的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，不再重复其冗余描述。
169.参考图10，包括第二开口部分op2的支撑基板200可设置在第一层100a上。支撑基板200可通过使用中间粘合构件600粘合至第一层100a。
170.在实施方式中，中间粘合构件600可首先粘合至支撑基板200。接下来，中间粘合构
件600可粘合至第一层100a。因此，第一层100a和支撑基板200可经中间粘合构件600彼此连接。在另一实施方式中，中间粘合构件600可首先粘合至第一层100a。接下来，中间粘合构件600可粘合至支撑基板200。因此，第一层100a和支撑基板200可通过中间粘合构件600彼此连接。在另一实施方式中，在将中间粘合构件600粘合至第一层100a和支撑基板200中的每一个之后，第一层100a和支撑基板200可通过中间粘合构件600彼此连接。
171.返回参考图1，用于制造显示装置的设备1000可用于制造下面更详细地描述的显示装置。在一个或多个实施方式中，当压力控制单元1800使腔室1100的内侧(例如，腔室内侧的压力)达到与大气压相同或相似的状态时，闸门阀操作使得腔室1100的开口部分被打开。
172.然后，可通过腔室1100的开口部分将显示基板d从外侧装载至腔室1100中。显示基板d可为正在制造的显示装置。可使用各种适当的方法将显示基板d装载至腔室1100中。在实施方式中，显示基板d可通过设置在腔室1100外侧的机械臂等从外侧装载至腔室1100中。在另一实施方式中，当以梭子的形式提供基板支撑件1200时，基板支撑件1200可从腔室1100的内侧被运送至腔室1100的外侧。接下来，通过设置在腔室1100外侧的单独的机械臂等，可将显示基板d放置在基板支撑件1200上，并且可将基板支撑件1200从腔室1100的外侧装载至腔室1100的内侧。
173.在实施方式中，掩模套件1500可设置在腔室1100中。在另一实施方式中，类似于显示基板d，掩模套件1500可从腔室1100的外侧装载至腔室1100中。在该情况下，掩模套件1500可设置在腔室1100中，以面向用于供应沉积材料的源单元1400。
174.当显示基板d被装载至腔室1100中时，可将显示基板d放置在基板支撑件1200上。在该情况下，显示基板d可相对于掩模套件1500设置在与源单元1400相对的一侧。换句话说，当显示基板d放置在基板支撑件1200上时，掩模套件1500可在显示基板d和源单元1400之间。视觉单元1700可拍摄显示基板d和掩模套件1500的位置。掩模支撑件1300可在由视觉单元1700识别的显示基板d和掩模套件1500的位置的基础上(基于由视觉单元1700识别的显示基板d和掩模套件1500的位置)来调整(例如，微调)掩模套件1500的位置。
175.接下来，通过使用电磁单元1600，掩模套件1500可接近显示基板d。
176.接下来，随着源单元1400操作，沉积材料可被供应至掩模套件1500的一侧。沉积材料可穿过掩模套件1500以沉积在显示基板d上。例如，沉积材料可穿过掩模框架400的开口区oa、掩模片300的掩模开口部分300op、支撑基板200的第二开口部分op2和硅基板100的第一开口部分op1，并且可沉积在显示基板d上。泵1820可抽吸腔室1100中的气体并将气体排放到外侧，使得腔室1100中的压力可保持在与真空相同或相似的状态。
177.上述掩模套件1500可包括硅基板100和支撑基板200。硅基板100的第一开口部分op1可具有锥形形状。因此，用于制造显示装置的设备1000可精确地控制沉积材料在显示基板d上的沉积位置，并且从而可制造具有高分辨率的显示装置。
178.下面更详细地描述通过使用上述设备1000制造的显示装置。
179.显示装置为用于显示图像的装置，其可为移动装置，例如，游戏装置、多媒体装置、超小型pc。显示装置可包括液晶显示装置、电泳显示装置、有机发光显示装置、无机el显示装置、场发射显示装置、表面传导电子发射显示装置、量子点显示装置、等离子体显示装置和/或阴极射线显示装置等。在下述描述中，尽管有机发光显示器装置描述为根据实施方式
的显示装置的示例，但是根据本公开的一个或多个实施方式，可使用如上述的各种适当类型的显示装置。
180.图11为根据实施方式的通过用于制造显示装置的设备制造的显示装置的示意性横截面图。
181.参考图11，显示装置1可包括基板10、显示层dl和薄膜封装层tfe。显示层dl和薄膜封装层tfe可设置(例如，顺序设置)在基板10上。显示层dl可包括像素电路层pcl和显示元件层del。
182.基板10可包括玻璃或聚合物树脂，比如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素等。
183.隔离层可进一步提供在显示层dl和基板10之间。隔离层可防止或基本上防止外部外来材料的侵入，并且可为包括无机材料，比如硅氮化物(sin
x
)和/或sio2的单层或多层。
184.像素电路层pcl可设置在基板10上。像素电路层pcl可包括薄膜晶体管tft，以及设置在薄膜晶体管tft的组成元件上面和/或下面的缓冲层11、第一栅绝缘层13a、第二栅绝缘层13b、夹层绝缘层15和平坦化绝缘层17。
185.缓冲层11可设置在基板10上。缓冲层11可包括无机绝缘材料，比如sin
x
、氮氧化硅(sion)和/或sio2，并且可为包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
186.薄膜晶体管tft可包括半导体层12、栅电极14、源电极16a和漏电极16b。半导体层12可包括多晶硅。可选地，半导体层12可包括非晶硅、氧化物半导体和/或有机半导体等。半导体层12可包括沟道区12c以及设置在沟道区12c的相应侧的源区12a和漏区12b。
187.栅电极14可与沟道区12c重叠。栅电极14可包括金属材料(例如，低电阻金属材料)。栅电极14可包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)等的导电材料，并且可为包括上述材料的多层或单层。
188.在半导体层12和栅电极14之间的第一栅绝缘层13a可包括无机绝缘材料，比如sio2、sin
x
、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和/或氧化锌(zno)等。
189.第二栅绝缘层13b可覆盖栅电极14。与第一栅绝缘层13a一样，第二栅绝缘层13b可包括无机绝缘材料，比如sio2、sin
x
、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2和/或zno等。
190.存储电容器cst的上电极cst2可设置在第二栅绝缘层13b上面。上电极cst2可与其下方的栅电极14重叠。彼此重叠的栅电极14和上电极cst2(第二栅绝缘层13b在栅电极14和上电极cst2之间)可形成存储电容器cst。换句话说，栅电极14可用作存储电容器cst的下电极cst1。
191.这样，存储电容器cst和薄膜晶体管tft可彼此重叠。在一些实施方式中，存储电容器cst可不与薄膜晶体管tft重叠。
192.上电极cst2可包括al、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、mo、ti、钨(w)和/或cu，并且可为上述材料的单层或多层。
193.夹层绝缘层15可覆盖上电极cst2。夹层绝缘层15可包括sio2、sin
x
、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2和/或zno等。夹层绝缘层15可为包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
194.源电极16a和漏电极16b各自可位于夹层绝缘层15上。源电极16a和漏电极16b可包
括具有高导电性的材料。源电极16a和漏电极16b可包括包含mo、al、cu和/或ti等的导电材料，并且可为包括上述材料的多层或单层。在实施方式中，源电极16a和漏电极16b可具有ti/al/ti的多层结构。
195.平坦化绝缘层17可包括有机绝缘层。平坦化绝缘层17可包括有机绝缘材料，例如，选自通用聚合物(比如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和/或聚苯乙烯(ps))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯基醇聚合物及其掺混物中的一种或多种。
196.显示元件层del可设置在像素电路层pcl上。显示元件层del可包括有机发光二极管oled，并且有机发光二极管oled的像素电极21可经平坦化绝缘层17的接触孔电连接至薄膜晶体管tft。
197.有机发光二极管oled可发射，例如，红光、绿光或蓝光，或，在另一实施例中，可发射红光、绿光、蓝光或白光。
198.像素电极21可包括导电氧化物，比如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和/或氧化铝锌(azo)等。在另一实施方式中，像素电极21可包括反射膜，反射膜包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或其化合物。在另一实施方式中，像素电极21可进一步包括在上述反射膜上面/下面由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。
199.具有暴露像素电极21的中心部分的开口19op的像素限定层19可设置在像素电极21上。像素限定层19可包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口19op可限定由有机发光二极管oled发射的光的发射区。例如，开口19op的宽度可为发射区的宽度。发射区的宽度可限定为显示装置1中提供的子像素px的宽度。
200.发射层22可设置在像素限定层19的开口19op中。发射层22可包括发射某种颜色的光的聚合物或低分子有机材料。可通过使用用于制造显示装置的设备1000形成发射层22。换句话说，用于制造显示装置的设备1000可将沉积材料沉积，以在像素限定层19的开口19op中形成发射层22。
201.在一个或多个实施方式中，第一功能层和第二功能层可设置在发射层22上面和下方。第一功能层可包括，例如，空穴传输层(htl)和空穴注入层(hil)。第二功能层可为设置在发射层22上的任选组成元件。第二功能层可包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第一功能层和/或第二功能层可为形成为完全覆盖基板10的公共层，与下面更详细地描述的公共电极23一样。
202.公共电极23可包括具有低功函的导电材料。例如，公共电极23可包括(半)透明层，(半)透明层包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、锂(li)、ca和/或其合金等。可选地，公共电极23可进一步在包括上述材料的(半)透明层上包括，比如ito、izo、zno或in2o3的层。
203.在实施方式中，薄膜封装层tfe可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，图11阐释了薄膜封装层tfe包括顺序堆叠的第一无机封装层31、有机封装层32和第二无机封装层33。
204.第一无机封装层31和第二无机封装层33可包括al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno、sio2、sin
x
和sion中的一种或多种无机材料。有机封装层32可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯等。在实施方式中，有机封装层32可包
括丙烯酸酯。
205.在另一实施方式中，薄膜封装层tfe可具有这样的结构，其中基板10和作为透明构件的上基板通过密封构件耦合，并且基板10和上基板之间的内部空间被密封。干燥剂和/或填料等可位于内部空间中。密封构件可为密封剂，并且在另一实施方式中，密封构件可包括通过激光固化的材料。例如，密封构件可为熔料。在一个或多个实施方式中，密封构件可包括有机密封剂，比如聚氨酯类树脂、环氧类树脂和丙烯酸类树脂，或无机密封剂，比如聚硅氧烷等。例如，聚氨酯丙烯酸酯等可用作聚氨酯类树脂。例如，丙烯酸丁酯和/或丙烯酸乙基己酯等可用作丙烯酸类树脂。密封构件可包括通过加热固化的材料。
206.包括触摸电极的触摸电极层设置在薄膜封装层tfe上，并且光学功能层可设置在触摸电极层上。触摸电极层可根据外部输入(例如，触摸事件)而获得坐标信息。光学功能层可降低输入至显示装置1的外部光的反射率和/或提高从显示装置1发射的光的颜色纯度。在实施方式中，光学功能层可包括延迟器和偏振器。延迟器可为膜型或液晶涂层型，并且可包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可为膜型或液晶涂层型。膜型(或膜)可包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型(或涂层)可包括以一组或一定排列方式而排列的液晶。延迟器和偏振器可进一步包括保护膜。
207.在另一实施方式中，光学功能层可包括黑色矩阵和滤色器。考虑从显示装置1的子像素px中的每一个中发射的光的颜色，可布置滤色器。在一个或多个实施方式中，可将滤色器布置为与显示装置1的子像素px重叠。滤色器中的每一个可包括红色、绿色或蓝色颜料或染料。可选地，除了上述颜料或染料之外，滤色器中的每一个可进一步包括量子点。可选地，一些滤色器可不包括上述颜料或染料，并且可包括散射颗粒，比如氧化钛。
208.在另一实施方式中，光学功能层可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可彼此相消干涉，并且因此可降低外部光的反射率。
209.粘合构件可设置在触摸电极层和光学功能层之间。一般而言，任何适当的粘合构件可设置在触摸电极层和光学功能层之间。例如，粘合构件可为压敏粘合剂(psa)。
210.如上述，根据本公开的一个或多个实施方式，因为掩模套件包括硅基板和支撑基板，所以可提供用于制造具有增强的可靠性和提高的沉积效率的显示装置的设备。
211.此外，根据本公开的一个或多个实施方式，因为支撑基板设置在第一层上，所以可提供用于制造具有增强的可靠性和提高的沉积效率的显示装置的设备。
212.此外，根据本公开的一个或多个实施方式，因为掩模套件包括硅基板和支撑基板，所以可提供用于制造具有提高的沉积效率的显示装置的设备。
213.应理解，本文描述的实施方式应视为仅仅是描述性意义的，并且不为了限制的目的。每个实施方式中特征或方面的描述通常应视为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求及其等效方案限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。