本发明涉及半导体器件及其形成方法。
根据本发明的实施例，形成半导体器件的方法包括在具有第一表面和相对的第二表面的工件的第一表面上形成牺牲层。
薄膜形成在牺牲层上。
通孔从第二表面蚀刻穿过工件以露出牺牲层的表面。
牺牲层的至少一部分从第二表面移除以形成薄膜下的空腔。
空腔与薄膜对齐。

C.阿伦斯 S.巴尔岑 A.德赫 W.弗里萨

英飞凌科技股份有限公司

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号

本发明涉及半导体器件及其形成方法。
根据本发明的实施例，形成半导体器件的方法包括在具有第一表面和相对的第二表面的工件的第一表面上形成牺牲层。
薄膜形成在牺牲层上。
通孔从第二表面蚀刻穿过工件以露出牺牲层的表面。
牺牲层的至少一部分从第二表面移除以形成薄膜下的空腔。
空腔与薄膜对齐。