本发明提供一种多层堆叠晶圆的研磨方法，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，并对两者进行熔胶键合，其中所述第二晶圆位于所述第一晶圆的上方；对所述第二晶圆的边缘进行切边处理；研磨所述第二晶圆；在所述第二晶圆上方提供第三覆盖晶圆，并将所述第二晶圆与其进行共熔键合；研磨所述第一晶圆；研磨所述第三覆盖晶圆；同时切割所述第三覆盖晶圆、所述第二晶圆和所述第一晶圆。
采用本发明的方法，省略了胶黏剂的填充、固化和残留物去除的工序，简化了工艺流程，降低了成本；避免研磨时因胶黏剂残留导致晶圆边缘出现碎裂，研磨后残胶污染晶圆的问题；避免切割时，刀片被胶包裹而钝化，影响切割品质并发生偏移。

陆建刚 施林波 陈福成

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种多层堆叠晶圆的研磨方法，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，并对两者进行熔胶键合，其中所述第二晶圆位于所述第一晶圆的上方；对所述第二晶圆的边缘进行切边处理；研磨所述第二晶圆；在所述第二晶圆上方提供第三覆盖晶圆，并将所述第二晶圆与其进行共熔键合；研磨所述第一晶圆；研磨所述第三覆盖晶圆；同时切割所述第三覆盖晶圆、所述第二晶圆和所述第一晶圆。
采用本发明的方法，省略了胶黏剂的填充、固化和残留物去除的工序，简化了工艺流程，降低了成本；避免研磨时因胶黏剂残留导致晶圆边缘出现碎裂，研磨后残胶污染晶圆的问题；避免切割时，刀片被胶包裹而钝化，影响切割品质并发生偏移。