本发明公开了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件，涉及微电子机械系统技术领域，用于在制造具有悬空结构的MEMS器件时提高刻蚀图形的尺寸精度，提升MEMS器件的品质。
所述MEMS器件的制造方法包括：提供一基底，基底上形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于预定区域内的部分，形成凹槽；预定区域为悬空结构与基底之间的区域；在凹槽内形成第二牺牲层，第二牺牲层的上表面与第一牺牲层的上表面平齐，第二牺牲层的致密性低于第一牺牲层的致密性；在第一牺牲层和第二牺牲层上形成悬空结构层，悬空结构层包括位于第一牺牲层上的支撑结构、以及位于第二牺牲层上的悬空结构；去除第二牺牲层，释放悬空结构。
所述MEMS器件的制造方法用于制造具有悬空结构的MEMS器件。

徐家艳 彭四伟

地球山(北京)科技有限公司

100102 北京市朝阳区利泽中一路1号9层办公A902

本发明公开了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件，涉及微电子机械系统技术领域，用于在制造具有悬空结构的MEMS器件时提高刻蚀图形的尺寸精度，提升MEMS器件的品质。
所述MEMS器件的制造方法包括：提供一基底，基底上形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于预定区域内的部分，形成凹槽；预定区域为悬空结构与基底之间的区域；在凹槽内形成第二牺牲层，第二牺牲层的上表面与第一牺牲层的上表面平齐，第二牺牲层的致密性低于第一牺牲层的致密性；在第一牺牲层和第二牺牲层上形成悬空结构层，悬空结构层包括位于第一牺牲层上的支撑结构、以及位于第二牺牲层上的悬空结构；去除第二牺牲层，释放悬空结构。
所述MEMS器件的制造方法用于制造具有悬空结构的MEMS器件。