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专利摘要

本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片,解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时,容易产生粘滞力的技术问题。
本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法,在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层,然后采用XeF

专利状态

基础信息

专利号
CN202011053233.X
申请日
2020-09-29
公开日
2021-01-01
公开号
CN112158796A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

吴伟昌 吕丽英 黎家健

申请人

瑞声声学科技(深圳)有限公司

申请人地址

518057 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴三道6号南京大学深圳产学研大楼A座

专利摘要

本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片,解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时,容易产生粘滞力的技术问题。
本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法,在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层,然后采用XeF

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