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专利摘要

本发明提供一种晶圆键合方法及异质衬底制备方法,所述晶圆键合方法至少包括:S1:提供第一晶圆及第二晶圆,其中,所述第一晶圆具有第一键合面,所述第二晶圆具有第二键合面;S2:对所述第一晶圆及所述第二晶圆进行键合前预加热处理;S3:将所述第一晶圆的第一键合面与所述第二晶圆的第二键合面进行键合。
通过上述方案,本发明对晶圆键合前预加热,可以有效降低异质键合结构在高温后退火中的热应变,进而扩大异质键合的使用范围,提高异质集成材料的可靠性;同时,解决异质键合结构在高温后退火工艺中,因为热应变而发生的解键合以及键合结构碎裂的问题。

专利状态

基础信息

专利号
CN201710076760.4
申请日
2017-02-13
公开日
2017-05-24
公开号
CN106711027A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

黄凯 欧欣 张润春 游天桂 王曦

申请人

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址

200050 上海市长宁区长宁路865号

专利摘要

本发明提供一种晶圆键合方法及异质衬底制备方法,所述晶圆键合方法至少包括:S1:提供第一晶圆及第二晶圆,其中,所述第一晶圆具有第一键合面,所述第二晶圆具有第二键合面;S2:对所述第一晶圆及所述第二晶圆进行键合前预加热处理;S3:将所述第一晶圆的第一键合面与所述第二晶圆的第二键合面进行键合。
通过上述方案,本发明对晶圆键合前预加热,可以有效降低异质键合结构在高温后退火中的热应变,进而扩大异质键合的使用范围,提高异质集成材料的可靠性;同时,解决异质键合结构在高温后退火工艺中,因为热应变而发生的解键合以及键合结构碎裂的问题。

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