本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片容易产生粘滞力的技术问题。
本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层表面粗糙度较大的第一膜层，然后采用全刻蚀的方法对第一膜层刻蚀，此时，全刻蚀掉第一膜层后，第一硅平面层远离衬底基板的表面的粗糙度变大，然后再利用刻蚀的方式在第一硅平面层远离衬底基板的表面上进行刻蚀，产生凹槽和凸起，凸起的表面则具有粗糙的表面，形成具有粗糙表面的硅片。
当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件不能使用的概率。

吴伟昌 吕丽英 黎家健

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本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片容易产生粘滞力的技术问题。
本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层表面粗糙度较大的第一膜层，然后采用全刻蚀的方法对第一膜层刻蚀，此时，全刻蚀掉第一膜层后，第一硅平面层远离衬底基板的表面的粗糙度变大，然后再利用刻蚀的方式在第一硅平面层远离衬底基板的表面上进行刻蚀，产生凹槽和凸起，凸起的表面则具有粗糙的表面，形成具有粗糙表面的硅片。
当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件不能使用的概率。