半导体晶片表面保护剂 下载此专利PDF版本

CN201911218723.8 晶片 半导体 表面

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专利摘要

本发明提供抑制由碱性化合物腐蚀半导体晶片表面腐蚀、从而使半导体晶片低缺陷化的表面保护剂。
本发明的半导体晶片表面保护剂包含下述式(1)表示的化合物：R

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 发明公开

基础信息

专利号
CN201911218723.8
申请日
2019-12-03
公开日
2020-08-07
公开号
CN111500196A
主分类号
/C/C09/ 化学；冶金
标准类别
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

坂西裕一

申请人

株式会社大赛璐

申请人地址

日本大阪府

专利摘要

本发明提供抑制由碱性化合物腐蚀半导体晶片表面腐蚀、从而使半导体晶片低缺陷化的表面保护剂。
本发明的半导体晶片表面保护剂包含下述式(1)表示的化合物：R

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