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专利摘要

本发明公开了一种大面积有序的PS微球单层胶体晶体及其制备方法,本发明通过利用有机溶剂分子对自组装的单层胶体进行原位退火,并结合流量控制沉积技术,将纳米级的胶体微球在任意衬底上排列成六方密堆的单层结构胶体晶体的方法,该方法在降低生产成本的同时保证单层胶体晶体的质量和制备效率,制备过程简单,时间较短,制备成本低,从而实现工业化生产。
该方法制备的大面积有序的PS微球单层胶体晶体,PS微球以六方密堆的形式有序排列成胶体球单层结构,PS微球之间间隔均匀,具有较高的质量。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010430669.X
申请日
2020-05-20
公开日
2020-08-28
公开号
CN111593411A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

罗志 罗谱强 胡志伟

申请人

暨南大学

申请人地址

510632 广东省广州市天河区黄埔大道西601号

专利摘要

本发明公开了一种大面积有序的PS微球单层胶体晶体及其制备方法,本发明通过利用有机溶剂分子对自组装的单层胶体进行原位退火,并结合流量控制沉积技术,将纳米级的胶体微球在任意衬底上排列成六方密堆的单层结构胶体晶体的方法,该方法在降低生产成本的同时保证单层胶体晶体的质量和制备效率,制备过程简单,时间较短,制备成本低,从而实现工业化生产。
该方法制备的大面积有序的PS微球单层胶体晶体,PS微球以六方密堆的形式有序排列成胶体球单层结构,PS微球之间间隔均匀,具有较高的质量。

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