一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法 下载此专利PDF版本

CN202010448726.7 阵列 应变 单晶

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专利摘要

本发明公开一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法。
首先，通过水热法制备单晶钛酸钠纳米线阵列；然后，在单晶钛酸钠纳米线阵列表面沉积介晶TiO

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN202010448726.7
申请日
2020-05-25
公开日
2021-07-20
公开号
CN111663183B
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

文伟 姚金呈 海舰航 吴进明

申请人

海南大学

申请人地址

570208 海南省海口市人民大道58号

专利摘要

本发明公开一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法。
首先，通过水热法制备单晶钛酸钠纳米线阵列；然后，在单晶钛酸钠纳米线阵列表面沉积介晶TiO

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