本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置，利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。
该设备特征为：1.至少具有两个温度控制区域，分别用于材料的升华和单晶的生长；2.两个温度控制区域相邻平行，温度可快速、独立调控；3.第一层单晶生长结束后，无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换，进行后续第二层单晶生长。

后藤修 陈默 曾兴为 魏潇赟 孟鸿

北京大学深圳研究生院

518000 广东省深圳市西丽深圳大学城北大园区H栋208室

本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置，利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。
该设备特征为：1.至少具有两个温度控制区域，分别用于材料的升华和单晶的生长；2.两个温度控制区域相邻平行，温度可快速、独立调控；3.第一层单晶生长结束后，无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换，进行后续第二层单晶生长。