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专利摘要

本发明公开了大尺寸掺杂YIG单晶薄膜材料及制备方法,属于薄膜材料技术领域,其化学分子式为Y

专利状态

基础信息

专利号
CN202010690241.9
申请日
2020-07-17
公开日
2020-11-10
公开号
CN111910252A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

李俊 陈运茂 魏占涛 游斌 姜帆 张平川 杨陆 蓝江河

申请人

中国电子科技集团公司第九研究所

申请人地址

621000 四川省绵阳市滨河北路西段268号

专利摘要

本发明公开了大尺寸掺杂YIG单晶薄膜材料及制备方法,属于薄膜材料技术领域,其化学分子式为Y

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