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专利摘要

本发明提供一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用,属于二维纳米材料和纳米器件制备技术领域。
本发明通过化学气相沉积,采用已自然氧化后的铜箔作为限域和反应物,通过调节反应温度和时间,制备高质量超薄BiOBr单晶,且暴露晶面为(00l)的固定取向,禁带宽度可达3.69eV;基于本发明二维超薄BiOBr单晶纳米片所制备的光电探测器对245nm到405nm的紫外光都能进行响应,且对可见光波段是基本没有响应的,因此器件被干扰的几率大幅下降;器件在波长为245nm时具有最高的探测性能;除此之外,该器件具有高频响应的特性,在9.5Hz~1000Hz展现了稳定的探测性能,器件探测速率高。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010066141.9
申请日
2020-01-20
公开日
2021-06-01
公开号
CN111235632B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

熊杰 龚传辉 储隽伟 晏超贻 饶高峰 汪洋 陈心睿 刘雨晴 王显福

申请人

电子科技大学

申请人地址

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

专利摘要

本发明提供一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用,属于二维纳米材料和纳米器件制备技术领域。
本发明通过化学气相沉积,采用已自然氧化后的铜箔作为限域和反应物,通过调节反应温度和时间,制备高质量超薄BiOBr单晶,且暴露晶面为(00l)的固定取向,禁带宽度可达3.69eV;基于本发明二维超薄BiOBr单晶纳米片所制备的光电探测器对245nm到405nm的紫外光都能进行响应,且对可见光波段是基本没有响应的,因此器件被干扰的几率大幅下降;器件在波长为245nm时具有最高的探测性能;除此之外,该器件具有高频响应的特性,在9.5Hz~1000Hz展现了稳定的探测性能,器件探测速率高。

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