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专利摘要

本发明公开了一种难熔氧化物单晶的制备设备,所述难熔氧化物单晶的制备设备包括围封装置、冶炼装置、原料准备装置和电源装置,围封装置包括本体和第一手套,本体设有提供微负压操作环境的围封腔、第一操作接口和第一连接接口,第一操作接口和第一连接接口均与围封腔连通,第一手套设在第一操作接口上,冶炼装置设在围封腔内,原料准备装置包括基体和第二手套,基体设有空腔、第二操作接口和第二连接接口,第二操作接口和第二连接接口均与空腔连通,第二手套设在第二操作接口上,第二连接接口与第一连接接口相连,电源装置设在围封装置外侧且与冶炼装置相连。
本发明的难熔氧化物单晶的制备设备可以防止有害物质泄露,且可以进行二氧化铀等放射性物质单晶的制备。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910807148.9
申请日
2019-08-29
公开日
2019-12-03
公开号
CN110528087A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

鲁仰辉 罗帅 于成伟 夏海鸿

申请人

国家电投集团科学技术研究院有限公司

申请人地址

102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层

专利摘要

本发明公开了一种难熔氧化物单晶的制备设备,所述难熔氧化物单晶的制备设备包括围封装置、冶炼装置、原料准备装置和电源装置,围封装置包括本体和第一手套,本体设有提供微负压操作环境的围封腔、第一操作接口和第一连接接口,第一操作接口和第一连接接口均与围封腔连通,第一手套设在第一操作接口上,冶炼装置设在围封腔内,原料准备装置包括基体和第二手套,基体设有空腔、第二操作接口和第二连接接口,第二操作接口和第二连接接口均与空腔连通,第二手套设在第二操作接口上,第二连接接口与第一连接接口相连,电源装置设在围封装置外侧且与冶炼装置相连。
本发明的难熔氧化物单晶的制备设备可以防止有害物质泄露,且可以进行二氧化铀等放射性物质单晶的制备。

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