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显示装置的制作方法

时间:2022-02-10 阅读: 作者:专利查询

显示装置的制作方法
显示装置
1.本技术要求于2020年7月15日提交的韩国专利申请第10-2020-0087559号的优先权,以及从其获得的所有权益,其内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
2.本发明的实施方式涉及显示装置。


背景技术:

3.显示装置(比如发射显示装置)包括显示面板,在显示面板上设置显示图像的屏幕。显示面板通过在基板上形成数个层和元件来制造。
4.显示面板可包括封装层,该封装层可阻挡水分或氧气的流入,以保护形成在基板上的元件免受外部环境的影响。另外,显示面板可包括抗反射层以减少外部光的反射。
5.近年来,已经开发了通过柔性基板而重量轻、耐冲击且易于变形的柔性显示面板。


技术实现要素:

6.实施方式提供了薄且重量轻并且能够改善可靠性的显示装置。
7.实施方式提供了显示装置,该显示装置包括:包括显示区和非显示区的基板,设置在显示区中的发光元件,覆盖发光元件的封装层,和设置在非显示区中且围绕显示区的挡板。挡板包括多个层,并且多个层包括有机层,该有机层包括高度朝向有机层的边缘减小然后增加的部分。
8.在实施方式中,有机层可包括黑色光致抗蚀剂。
9.在实施方式中,有机层可包括与边缘相邻的第一部分和设置在第一部分内侧的第二部分,并且第一部分的高度可大于第二部分的高度。
10.在实施方式中,在截面图中由有机层的边缘部分的上表面限定的曲线中可包括至少两个拐点。
11.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在非显示区中的电源电压传输线,并且有机层可包括与电源电压传输线接触的部分。
12.在实施方式中,显示装置可进一步包括将发光元件的电极和电源电压传输线电连接的连接构件,并且有机层可包括与连接构件接触的部分。
13.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在基板和电源电压传输线之间的绝缘层,并且有机层可包括与绝缘层接触的部分。
14.在实施方式中,封装层可包括无机层,并且无机层可在有机层之上延伸并且可接触有机层。
15.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在显示区中并且在其中限定了开孔的黑色像素限定层,并且与用于限定开孔的黑色像素限定层的边缘相邻的黑色像素限定层的第一部分的高度可大于设置成距开孔比第一部分距开孔更远的第二部分的高度。
16.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在黑色像素限定层上以与黑色像素限
定层重叠的阻光构件和滤色器。
17.实施方式提供了显示装置,该显示装置包括:包括显示区和非显示区的基板,设置在显示区中且在其中限定了开孔的黑色像素限定层,设置在显示区中且与开孔重叠的发光二极管,覆盖发光二极管的薄膜封装层,以及设置在非显示区中并围绕显示区的挡板。挡板可包括第一层以及覆盖第一层的上表面和侧表面的第二层,并且第二层包括与黑色像素限定层的材料相同的材料。
18.在实施方式中,黑色像素限定层和第二层可包括黑色光致抗蚀剂。
19.在实施方式中,第二层可包括与第二层的边缘相邻的第一部分和设置在第一部分内侧的第二部分,并且第一部分的高度可大于第二部分的高度。
20.在实施方式中,在截面图中由第二层的边缘部分的上表面和侧表面限定的曲线中可包括至少三个拐点。
21.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在非显示区中的电源电压传输线,并且第二层可包括与电源电压传输线接触的部分。
22.在实施方式中,显示装置可进一步包括将发光二极管的电极和电源电压传输线电连接的连接构件,并且第二层可包括与连接构件接触的部分。
23.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在基板和电源电压传输线之间的绝缘层,并且第二层可包括与绝缘层接触的部分。
24.在实施方式中,薄膜封装层可包括无机层,并且无机层可在第二层之上延伸并且可接触第二层。
25.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在基板和黑色像素限定层之间的平坦化层,并且第一层可包括与平坦化层的材料相同的材料。
26.在实施方式中,显示装置可进一步包括设置在黑色像素限定层上且与黑色像素限定层重叠的阻光构件和滤色器。
27.根据实施方式,可以提供薄且重量轻并且能够改善可靠性的显示装置。另外,尽管没有具体提及,但是在实施方式中,可以提供贯穿说明书可以认识到的有利效果。
附图说明
28.通过参考所附附图进一步详细地描述本公开的实施方式,本公开的上述和其他实施方式、优势和特征将变得更显而易见,在附图中:
29.图1图示了显示装置的实施方式的示意性顶部平面图。
30.图2图示了沿着图1的实施方式的线a-a’截取的示意性截面图。
31.图3a图示了沿着图1的实施方式的线b-b’截取的示意性截面图,并且图3b为图3a的部分a的放大视图。
32.图4图示了沿着图1的实施方式的线a-a’截取的示意性截面图。
33.图5图示了沿着图1的实施方式的线b-b’截取的示意性截面图。
34.图6图示了显示面板的实施方式中的像素限定层的电子显微照片。
35.图7图示了显示面板的比较例中的像素限定层的电子显微照片。
36.图8图示了示出显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的像素限定层的锥角的图。
37.图9图示了示出显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的像素限定层的开孔宽度的图。
38.图10图示了显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的第一挡板的边缘部分的电子显微照片。
39.图11图示了显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的第二挡板的边缘部分的电子显微照片。
40.图12图示了显示面板的实施方式中的第一挡板的边缘部分的电子显微照片。
41.图13图示了显示装置的像素的实施方式的等效电路图。
42.图14图示了显示面板中的一个像素区的实施方式的示意性截面图。
具体实施方式
43.下文将参考所附附图更充分地描述本发明的实施方式,在所附附图中示出了实施方式。
44.此外,为了更好地理解和便于描述,所附附图中所示的构成元件的尺寸和厚度是任意给出的。
45.将理解,当元件,比如层、膜、区或基板,被称为在另一个元件“上”时,它可以直接在另一个元件上,或者也可以存在中间元件。相比之下,当元件被称为“直接”在另一个元件“上”时,不存在中间元件。
46.另外,除非明确地相反描述,否则词语“包括(comprise)”和变型比如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”将被理解为暗示包括所陈述的元件,但不排除任何其他元件。
47.另外,在说明书中,“连接”意指两个或更多个组件不仅直接连接,而且两个或更多个组件可通过其他组件间接连接,物理连接以及电连接,或者它可以根据位置或功能被称为不同的名称,但是可以包括连接基本上彼此一体的部件中的每一个。
48.另外,在说明书中,当部件“包括”某个组件时,这意指可进一步包括其他组件,除非具体地相反陈述。
49.在附图中,符号“x”、“y”和“z”用于指示方向,其中x用于指示第一方向,y用于指示垂直于第一方向的第二方向,并且z用于指示垂直于第一方向和第二方向的第三方向。第一方向x、第二方向y和第三方向z可分别对应于显示装置的水平方向、竖直方向和厚度方向。
50.如本文使用的“约”或“大致”包括陈述值并且意指在由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约”可意指在一个或多个标准偏差内,或在陈述值的
±
30%、
±
20%、
±
10%或
±
5%内。
51.除非在说明书中另有描述,否则“重叠”指示在平面图中重叠,并且指示在第三方向z上重叠。
52.图1图示了显示装置的实施方式的示意性顶部平面图。
53.参考图1,显示装置包括显示面板10、结合到显示面板10的柔性印刷电路膜20以及包括集成电路(“ic”)芯片30等的驱动单元。
54.显示面板10包括对应于其上显示图像的屏幕的显示区da,和非显示区na,并且设
置在显示区da周围的用于产生和/或传输施加到显示区da的各种信号和电压的电路和/或信号线设置在非显示区na中。非显示区na可设置为围绕显示区da的外周。在图1中,边界线bl的内侧和外侧分别对应于显示区da和非显示区na。
55.像素px以矩阵形式设置在显示面板10的显示区da中。然而,本发明不限于此,并且像素px可以以各种其他形状设置。信号线比如扫描线、数据线、驱动电压线和初始化电压线可以设置在显示区da中。扫描线可以大致在第一方向x上延伸,并且数据线和驱动电压线可以大致在第二方向y上延伸。初始化电压线可以包括大致在第一方向x上延伸的电压线和大致在第二方向y上延伸的电压线,并且可以以网格形状设置。每个像素px可以连接至扫描线、数据线、驱动电压线和初始化电压线等,以从这些信号线接收扫描信号、数据电压、驱动电压和初始化电压。每个像素px也可以接收公共电压。在实施方式中,像素px可以被实施为发光元件,比如发光二极管。
56.用于感测用户的触摸和/或非接触触摸的触摸传感器可设置在显示区da中。尽管图示了具有带圆角的四边形形状的显示区da,但是显示区da可具有各种形状,比如多边形形状、圆形形状和椭圆形形状等。
57.其中设置用于从显示面板10的外侧接收信号的焊盘的焊盘部分pp可设置在显示面板10的非显示区na中。焊盘部分pp可设置成沿着显示面板10的一个边缘在第一方向x上延伸。柔性印刷电路膜20结合到焊盘部分pp,并且柔性印刷电路膜20的焊盘可电连接至焊盘部分pp的焊盘。
58.驱动单元可设置在显示面板10的非显示区na中,以产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号。驱动单元包括用于向数据线施加数据电压的数据驱动器,用于向扫描线施加扫描信号的扫描驱动器,以及用于控制数据驱动器和扫描驱动器的信号控制器。像素px可根据由扫描驱动器产生的扫描信号在预定时序接收数据电压。扫描驱动器可集成于显示面板10中,并且可设置在显示区da的至少一侧上。数据驱动器和信号控制器可提供为ic芯片(也称为驱动ic芯片)30,并且ic芯片30可设置(例如,安装)在显示面板10的非显示区na中。ic芯片30可设置(例如,安装)在柔性印刷电路膜20等上,以电连接至显示面板10。
59.显示面板10可包括完全覆盖显示区da的封装层en。封装层en可覆盖并密封显示区da,以防止水分或氧气渗入显示面板10中。封装层en的边缘可设置在显示面板10的边缘和显示区da之间。围绕显示区da的挡板dm可设置在非显示区na中。挡板dm可防止用于形成封装层en的材料(特别是比如单体的有机材料)溢出到显示面板10的外侧。显示面板10可包括至少一个挡板dm,并且每个挡板dm可完全围绕显示区da。
60.显示面板10可包括弯曲区域br。弯曲区域br可设置在显示区da和焊盘部分pp之间的非显示区na中。弯曲区域br可在第一方向x上横跨显示面板10设置。显示面板10可在弯曲区域br中绕着平行于第一方向x的弯曲轴以预定曲率半径弯曲。当显示面板10为顶部发射类型时,显示面板10可以弯曲,使得焊盘部分pp和柔性印刷电路膜20可设置在显示面板10的后面,焊盘部分pp和柔性印刷电路膜20距显示区da比弯曲区域br距显示区da更远。当包括显示面板10的显示装置应用于电子装置时,显示面板10可处于弯曲状态。弯曲区域br可绕着一个弯曲轴弯曲,或者可绕着两个或更多个弯曲轴弯曲。在附图中,尽管弯曲区域br被图示为设置在非显示区na中时,但弯曲区域br可遍及显示区da和非显示区na设置,或可设置在显示区da中。
61.图2图示了沿着图1的实施方式的线a-a’截取的示意性截面图,图3a图示了沿着图1的实施方式的线b-b’截取的示意性截面图,并且图3b为图3a的部分a的放大视图。
62.参考图2以及图3a和图3b,示意性图示了靠近显示面板10的左边缘的截面。显示面板10的右边缘的附近可具有与其左边缘的附近基本上对称的截面结构。
63.显示面板10包括基板110和设置在其上的各种层、线和元件。尽管多个像素布置在显示面板10的显示区da中,但是为了避免将要描述的附图的复杂性,将仅简要图示一个像素。另外,尽管每个像素包括晶体管、电容器和发光二极管,但是将着重于一个晶体管tr和与其连接的一个发光二极管led来描述显示面板10的堆叠结构。
64.基板110可为柔性基板。在实施方式中,基板110可包括聚合物,比如聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。在实施方式中,基板110可具有多层结构,该多层结构包括,例如,两个聚合物层和它们之间的隔离层。
65.隔离层111可设置在基板110上,并且缓冲层120可设置在隔离层111上。隔离层111可防止水分和氧气渗入显示面板10中。缓冲层120可阻挡可从基板110扩散到半导体层的杂质,并且可减少在形成半导体层的工艺中施加到基板110的应力。
66.晶体管tr的半导体层al可设置在缓冲层120上。半导体层al可包括与栅电极ge重叠的沟道区域以及设置在沟道区域的相对侧处的源区域和漏区域。在实施方式中,半导体层al可包括多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
67.第一栅绝缘层141可设置在半导体层al上。
68.包括晶体管tr的栅电极ge等的第一栅导体可设置在第一栅绝缘层141上。第一栅导体可在相同的工艺中由相同的材料提供。可包括存储电容器的电极等的第二栅绝缘层142可设置在第一栅导体上。第二栅导体可在相同的工艺中由相同的材料提供。第二栅导体可设置在第二栅绝缘层142上。层间绝缘层160可设置在第二栅导体上。
69.缓冲层120、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160可包括无机绝缘材料,比如氧化硅和氮化硅。在实施方式中,第一栅导体和第二栅导体中的每一个可包括金属,比如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti),或其合金。
70.第一数据导体(其可包括晶体管tr的源电极se和漏电极de、驱动电压传输线dvl、公共电压传输线cvl以及连接布线179)可设置在层间绝缘层160上。第一数据导体可在相同的工艺中由相同的材料提供。源电极se和漏电极de可通过层间绝缘层160、第二栅绝缘层142和第一栅绝缘层141中限定的接触孔而连接至半导体层al的源区域和漏区域。驱动电压传输线dvl和公共电压传输线cvl为电源电压传输线,驱动电压传输线dvl可传输驱动电压elvdd(参考图13),并且公共电压传输线cvl可传输公共电压elvss(参考图13)。
71.栅电极ge、源电极se和漏电极de与半导体层al一起构成晶体管tr。晶体管tr可为发射显示装置的像素px中的驱动晶体管,或可为电连接至驱动晶体管的晶体管。在所图示的晶体管tr中,栅电极ge设置在半导体层al上方,但是晶体管的结构可以不同地改变。
72.第一平坦化层181可设置在第一数据导体上。可包括数据线171(参考图13)、驱动电压线172(参考图13)和连接电极le的第二数据导体可设置在第一平坦化层181上。连接电极le可通过第一平坦化层181中限定的接触孔而连接至晶体管tr的漏电极de。第二数据导体可在相同的工艺中由相同的材料提供。第二平坦化层182可设置在第二数据导体上。
73.在实施方式中,第一数据导体和第二数据导体中的每一个可包括金属,比如铝
(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)或钽(ta),或其金属合金。在实施方式中,第一数据导体和/或第二数据导体可为多层,比如钛(ti)/铝(al)/钛(ti)。
74.第一平坦化层181和第二平坦化层182中的每一个可包括有机绝缘材料,比如丙烯酸聚合物、硅氧烷聚合物或酰亚胺聚合物。第一平坦化层181和第二平坦化层182中的每一个可用于消除阶梯并进行平坦化,以增加要在其上设置的发光二极管led的发光效率。包括无机绝缘材料的钝化层可设置在第一平坦化层181和第一数据导体之间。可设置钝化层来代替第一平坦化层181。
75.发光二极管led的第一电极e1设置在第二平坦化层182上。第一电极e1可通过第二平坦化层182中限定的接触孔而连接至连接电极le。因为连接电极le连接至漏电极de,所以第一电极e1可通过连接电极le而电连接至漏电极de。在另一实施方式中,第一电极e1可直接连接至漏电极de。第一电极e1连接到的晶体管tr可为驱动晶体管或电连接至驱动晶体管的光发射控制晶体管。第一电极e1可包括反射导电材料或半透明导电材料,或可包括透明导电材料。在实施方式中,第一电极e1可包括透明导电材料,比如氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)。在实施方式中,第一电极e1可包括金属,比如锂(li)、钙(ca)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)或金(au)。
76.连接至公共电压传输线cvl的连接构件195可设置在第二平坦化层182上。第一平坦化层181和第二平坦化层182与公共电压传输线cvl重叠的部分可被去除,以便将连接构件195和公共电压传输线cvl连接。连接构件195可包括在与第一电极e1的工艺相同的工艺中的与第一电极e1的材料相同的材料。
77.其中限定了与第一电极e1重叠的开孔op的像素限定层360可设置在第二平坦化层182上。像素限定层360也可称为隔壁。像素限定层360可包括有机绝缘材料,比如丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物和酰胺类聚合物。像素限定层360可为包括黑色颜料或染料的黑色像素限定层360。黑色像素限定层360可改善对比度,并且可防止被设置在其下方的金属层的反射。
78.像素限定层360可通过光刻工艺图案化黑色光致抗蚀剂来提供。光致抗蚀剂可为其中分散有黑色颜料或染料的光敏化合物,并且光敏化合物可包括聚合物、单体和光聚合引发剂。负性光致抗蚀剂可用作黑色光致抗蚀剂。
79.现在将描述像素限定层360的形成。将黑色光致抗蚀剂涂布在第二平坦化层182上(第一电极e1设置在第二平坦化层182上),并且通过使用光刻工艺(例如使用掩模)选择性地照射光以及通过进行显影来图案化。涂布的光致抗蚀剂的光未照射到的区域可被显影剂去除,从而暴露第一电极e1的至少一部分。去除的区域可对应于开孔op。
80.在光致抗蚀剂显影后,通常进行固化。固化也可被称为烘烤、燃烧或烧制等。固化可在烘箱中在预定的温度(例如,约230摄氏度(℃)至约250℃)进行预定的时间(例如,约30分钟(min)至约60min)。在固化期间,光致抗蚀剂可由于高温而回流,以使光致抗蚀剂可扩散到开孔op,并且开孔op的宽度可减少。因为光致抗蚀剂的流动或扩散的影响对于所有开孔op来说是不均匀的,所以开孔op的宽度会出现分散或变化。开孔op的宽度的分散可使显示装置的亮度和颜色均匀性劣化。
81.在显影之后和固化之前进行充分曝光,以便改善光致抗蚀剂的流动(其可导致开
孔op的宽度的分散)。充分曝光可意指在不使用掩模的情况下向光致抗蚀剂照射光(例如,紫外光)。在固化期间光致抗蚀剂的流动在黑色光致抗蚀剂中可能特别成问题,这可能是由于在光刻工艺中黑色光致抗蚀剂的聚合不足。充分曝光进一步促进了光致抗蚀剂光聚合和光固化,并且在固化期间光致抗蚀剂的流动可减少,因为每单位体积可具有大曝光量的光致抗蚀剂的边缘部分用作挡板。即使像素限定层360是有机绝缘层,通过抑制光致抗蚀剂的流动,开孔op的边缘部分处的锥角α也可为约45
°
或更大,例如,约45
°
至约65
°

82.发射层el可设置在第一电极e1上。除了发射层el之外,空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个可设置在第一电极e1上。
83.发光二极管led的第二电极e2设置在发射层el上。第二电极e2可通过连接构件195而电连接至公共电压传输线cvl,以接收公共电压elvss。在实施方式中,第二电极e2可包括透明导电材料,比如ito或izo。在实施方式中,第二电极e2可包括金属,比如钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)或银(ag)。至少一个保护层或功能层可设置在第二电极e2上。
84.第一电极e1、发射层el和第二电极e2可构成发光二极管led,其可为有机发光二极管。第一电极e1可为作为空穴注入电极的阳极,并且第二电极e2可为作为电子注入电极的阴极,或反之亦然。第一电极e1也可称为像素电极,并且第二电极e2也可称为公共电极。
85.封装层en可设置在第二电极e2上。封装层en可封装发光二极管led以防止水分或氧气从外侧渗透。封装层en可包括堆叠在第二电极e2上的一个或多个无机层和一个或多个有机层。在所图示的实施方式中,封装层en为薄膜封装层,该薄膜封装层包括第一无机层391、第二无机层393和它们之间的有机层392。第一无机层391和覆盖有机层392的侧表面的第二无机层393比有机层392宽,并且第一无机层391和第二无机层393可在封装层en的边缘区域中彼此接触。在实施方式中,有机层392可包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂等。封装层en可以以基板的形式提供。
86.第一挡板dm1和第二挡板dm2可设置在非显示区na中、层间绝缘层160上方。当提供封装层en的有机层392时,第一挡板dm1和第二挡板dm2可防止有机材料(比如单体)流出,并且因此,封装层en的有机层392的边缘可至少设置在第二挡板dm2内侧,即,在第二挡板dm2和显示区da之间,或在第一挡板dm1和显示区da之间。构成封装层en的第一无机层391和第二无机层393可在第一挡板dm1和第二挡板dm上方延伸。在该情况下,第一无机层391与第二无机层393之间的接触面积可增加,以增加第一无机层391和第二无机层393之间的粘附。第一无机层391可接触第一挡板dm1和第二挡板dm2的表面。
87.第一挡板dm1可设置成距显示区da比第二挡板dm2距显示区da更近。第一挡板dm1可围绕显示区da,并且第二挡板dm2可围绕显示区da和第一挡板dm1。第二挡板dm2可高于第一挡板dm1,或反之亦然,但不限于此,并且第一挡板dm1和第二挡板dm2可基本上相同。
88.第一挡板dm1可包括第一层l11和第二层l12。第二层l12可完全覆盖第一层l11。即,第二层l12不仅可覆盖第一层l11的上表面,而且还可覆盖其侧表面,并且可接触第一层l11的上表面和侧表面。第一层l11可包括在与第二平坦化层182的工艺相同的工艺中的与第二平坦化层182的材料相同的材料。第二层l12可包括在与像素限定层360的工艺相同的工艺中的与像素限定层360的材料相同的材料。
89.第二挡板dm2可包括第一层l21、第二层l22和第三层l23。第一层l21可包括在与第
一平坦化层181的工艺相同的工艺中的与第一平坦化层181的材料相同的材料。第二层l22可包括在与第二平坦化层182相同的工艺中的与第二平坦化层182的材料相同的材料。第三层l23可包括在与像素限定层360的工艺相同的工艺中的与像素限定层360的材料相同的材料。第二层l22可完全覆盖第一层l21。第三层l23可完全覆盖第二层l22和第一层l21。连接构件195可设置在第二层l22和第三层l23之间。
90.当第一挡板dm1的第二层l12在与像素限定层360的工艺相同的工艺中由与像素限定层360的材料相同的材料组成或包括该材料时,第二层l12可在光刻工艺之后和固化之前被充分曝光。因此,可提供第二层l12,使得在不与第一层l11重叠的区域中,与其边缘相邻的部分的第一高度h1可大于其内部的参考高度h0。为了方便起见,在图3a和图3b中,尽管第二层l12的厚度由第一高度h1和参考高度h0表示,但是第一高度h1和参考高度h0旨在为距基板110的表面的高度。在实施方式中,具有第一高度h1的部分可远离边缘约1.0微米(μm)至约2.0μm,并且第一高度h1可大于参考高度h0约0.3μm至约0.5μm。第一高度h1可在约1.5μm至约2.2μm的范围内。如上所述,具有大于参考高度h0的第一高度h1的部分可用作用于形成封装层en的有机层392的材料的溢出突起,并且可以有效地防止形成有机层392的材料越过第一挡板dm1。
91.参考高度h0和第一高度h1可以是截面图中由第二层l12的上表面限定的曲线中的拐点。即,第二层l12可沿着朝向边缘的方向逐渐减小至参考高度h0,在经过参考高度h0之后可逐渐增加至第一高度h1,并且在经过第一高度h1之后可逐渐减小。在实施方式中,第二层l12的锥角可为约45
°
或更大,例如,约45
°
至约65
°

92.当第二挡板dm2的第三层l23包括在与像素限定层360的工艺相同的工艺中的与像素限定层360的材料相同的材料时,第三层l23可在光刻工艺之后和固化之前被充分曝光。第三层l23可具有对应于上述的第一挡板dm1的第二层l12的边缘部分的结构和特征。
93.裂纹挡板cd可设置为靠近显示面板10的边缘。当冲击或应力被施加到显示面板10的边缘时,裂纹可在隔离层111、缓冲层120、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160(这些可为无机绝缘层)中产生,以扩展。在靠近显示面板10的边缘可去除无机绝缘层的至少一部分,并且裂纹挡板cd可覆盖被去除的部分,以防止这种裂纹扩展。裂纹挡板cd可为单个层或多个层,并且可包括在与第一平坦化层181、第二平坦化层182和/或像素限定层360的工艺相同的工艺中的与第一平坦化层181、第二平坦化层182和/或像素限定层360的材料相同的材料。当裂纹挡板cd包括在与像素限定层360的工艺相同的工艺中的与像素限定层360的材料相同的材料时,裂纹挡板cd可具有对应于上述的第一挡板dm1的第二层l12的结构和特征。
94.保护膜50可设置在基板110的后表面上。保护膜50可通过覆盖基板110的后表面来保护基板110免受物理接触等的影响。保护膜50可通过粘合剂附接至基板110的后表面,或可通过在基板110的后表面上涂布树脂并将其固化来提供。
95.现在将描述弯曲区域br。可设置用于将设置在弯曲区域br的相对侧处的第一布线128和第二布线129电连接的连接布线179。因此,从ic芯片30输出的信号可通过第二布线129、连接布线179和第一布线128传输到显示区da和扫描驱动器等。因为当弯曲区域br弯曲时连接布线179弯曲,所以连接布线179可包括具有良好的柔性和小的杨氏模量的金属。连接布线179可包括在与源电极se和漏电极de的工艺相同的工艺中的与源电极se和漏电极de
的材料相同的材料。当连接布线179的柔性增加时,对应变的应力减少,从而减小弯曲期间劣化(例如,破裂)或断开的风险。
96.第一保护层165设置在弯曲区域br中、基板110和连接布线179之间。第一保护层165可包括有机绝缘材料,比如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物或硅氧烷类聚合物。第二保护层183、第三保护层185和/或第四保护层365设置在连接布线179上。第二保护层183、第三保护层185和第四保护层365可包括在分别与第一平坦化层181、第二平坦化层182和像素限定层360的工艺相同的工艺中的与第一平坦化层181、第二平坦化层182和像素限定层360的材料相同的材料。弯曲保护层400可设置在第四保护层365上,以释放拉伸应力并保护连接布线179。弯曲保护层400也可被称为应力中和层。弯曲保护层400可包括有机绝缘材料,比如丙烯酸树脂。
97.隔离层111、缓冲层120、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层160(这些可为无机绝缘层)可从弯曲区域br去除。这是因为无机绝缘层在弯曲时容易产生裂纹,并且布线可被裂纹损坏。
98.保护膜50可设置以完全覆盖基板110的后表面,但是不可设置在弯曲区域br中,以便减少弯曲区域br的弯曲应力。
99.图4图示了沿着图1的实施方式的线a-a’截取的示意性截面图,并且图5图示了沿着图1的实施方式的线b-b’截取的示意性截面图。
100.图4和图5中图示的实施方式与图2、图3a和图3b中图示的实施方式的不同在于第一挡板dm1和第二挡板dm2。具体地,第一挡板dm1可包括第一层l11、第二层l12和第三层l13,并且第二挡板dm2可包括第一层l21、第二层l22、第三层l23和第四层l24。即,与图2、图3a和图3b中图示的第一挡板dm1和第二挡板dm2相比,第一挡板dm1进一步包括第二层l12上的第三层l13,并且第二挡板dm2进一步包括第三层l23上的第四层l24。
101.第一挡板dm1的第三层l13和第二挡板dm2的第四层l24可包括有机绝缘材料,比如丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物或酰胺聚合物。第三层l13和第四层l24可包括在与可形成在显示区da中、像素限定层360上的间隔件(未图示)的工艺相同的工艺中的与可形成在显示区da中、像素限定层360上的间隔件的材料相同的材料。间隔件可形成以接触掩模,该掩模在沉积发射层el时使用,以防止掩模对先前形成的结构的损坏。即使第三层l13和第四层l24分别位于第二层l12和第三层l23上,第二层l12和第三层l23也可具有对应于上述的第二层l12和第三层l23的结构和特征。
102.图6图示了显示面板的实施方式中的像素限定层的电子显微照片,并且图7图示了显示面板的比较例中的像素限定层的电子显微照片。图8图示了示出显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的像素限定层的锥角的图,并且图9图示了示出显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的像素限定层的开孔的宽度的图。
103.图6中图示的实施方式中的显示面板的像素限定层360通过涂布黑色光致抗蚀剂并通过光刻工艺将其图案化,随后充分曝光并固化而提供。图7中图示的显示面板的比较例的像素限定层通过涂布黑色光致抗蚀剂并通过光刻工艺将其图案化,随后固化而提供。在用于形成图6的像素限定层360的工艺中,与图7的像素限定层相比,在光刻工艺和固化工艺之间增加了充分曝光工艺。
104.参考图6,与限定像素限定层360的开孔op的边缘相邻的部分的第一高度h1大于设
置成距开孔op比具有第一高度h1的部分距开孔op更远的部分的参考高度h0。相比之下,参考图7,随着距像素限定层的边缘的距离增加,高度逐渐增加。
105.参考图8,显示面板10的实施方式的像素限定层#1-1、#1-2、#1-3和#1-4的锥角在其左侧图示,并且显示面板的比较例的像素限定层#2-1、#2-2、#2-3和#2-4的锥角在其右侧图示。该实施方式中的像素限定层具有约58
°
至约61
°
的范围内的锥角。像素限定层的比较例具有约22
°
至26
°
的范围内的锥角。像素限定层的实施方式的锥角大于像素限定层的比较例的锥角约2.5倍。这是因为,如在该实施方式中,光致抗蚀剂的流量通过固化之前的充分曝光而减少。
106.参考图9,四个箱形图中的两个左边的箱形图表示在显示面板10的实施方式中的像素限定层的固化之前和之后的开孔的宽度,并且两个右边的箱形图表示在显示面板的比较例中的像素限定层的固化之前和之后的开孔的宽度。在实施方式和比较例中,与之前相比,固化之后像素限定层的开孔的宽度减少。这是因为在固化期间,开孔的形状由于光致抗蚀剂的流动而改变。在固化之后,像素限定层的实施方式的开孔的宽度的标准偏差为0.16,但是像素限定层的比较例的开孔的宽度的标准偏差为0.32。从这些结果可以看出,通过如实施方式中那样在固化之前进行充分曝光,像素限定层中的开孔的分散得到显著改善。
107.图10图示了显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的第一挡板的边缘部分的电子显微照片,并且图11图示了显示面板的实施方式和显示面板的比较例中的第二挡板的边缘部分的电子显微照片。
108.图10中图示的部分对应于第一挡板dm1的第二层l12,并且图11中图示的部分对应于第二挡板dm2的第三层l23。第一挡板dm1的第二层l12和第二挡板dm2的第三层l23包括在与像素限定层360的工艺相同的工艺中的与像素限定层360的材料相同的材料。因此,黑色光致抗蚀剂在固化之前被图案化并曝光。
109.参考图10,在显示面板的比较例中,第一挡板的第二层的高度朝向其边缘逐渐减小。在显示面板的实施方式中,第一挡板dm1的第二层l12的高度基本恒定,然后沿着朝向其边缘的方向相对快速地减小。参考图11,在显示面板的比较例中,第二挡板的第三层的高度朝向其边缘逐渐减小。在显示面板的实施方式中,第二挡板dm2的第三层l23的高度基本上恒定,略微增加,然后沿着朝向其边缘的方向相对快速地减小。第一挡板dm1和第二挡板dm2的这种形态特性被认为是由于这样的事实:光致抗蚀剂通过充分曝光进一步经受光聚合和光固化,从而抑制了光致抗蚀剂在固化期间的流动。
110.图12图示了显示面板的实施方式中的第一挡板的边缘部分的电子显微照片。
111.图12的显微照片示出了图10的显微照片中所示出的第一挡板dm1的第二层l12的截面结构,但是对应于远离显示区da的边缘部分。第一挡板dm1的第二层l12的高度逐渐减小,略微增加,然后沿着朝向其边缘的方向快速减小。即,第二层l12包括具有逐渐减小的高度的部分p0、具有逐渐增加的高度的部分p1以及具有沿着朝向边缘的方向逐渐减小然后迅速减小的高度的部分p2。通过该高度变化,与边缘相邻的部分(例如,部分p1和p2之间的边界)的第一高度h1大于其内侧(例如,部分p0和p1之间的边界)的参考高度h0。本文中,如上所述,第一高度h1和参考高度h0各自指示距基板110的表面的高度。另外,第二层l12包括从其侧表面稍微凹陷的部分p3。因此,由第二层l12的边缘部分的上表面和侧表面限定的曲线中可存在三个拐点。测得锥角为60.8
°

112.图13图示了显示装置的像素的实施方式的等效电路图。
113.参考图13,像素px可包括连接至信号线127、151、152、153、158、171和172的晶体管t1至t7,存储电容器cs,以及发光二极管led。
114.晶体管t1至t7包括驱动晶体管t1、开关晶体管t2、补偿晶体管t3、初始化晶体管t4、操作控制晶体管t5、发射控制晶体管t6和旁路晶体管t7。
115.信号线127、151、152、153、158、171和172可包括初始化电压线127、扫描线151、前级扫描线152、发射控制线153、旁路控制线158、数据线171和驱动电压线172。
116.扫描线151可将扫描信号gw传输到开关晶体管t2和补偿晶体管t3。前级扫描线152可将前级扫描信号gi传输到初始化晶体管t4。发射控制线153可将发射控制信号em传输到操作控制晶体管t5和发射控制晶体管t6。旁路控制线158可将旁路信号gb传输到旁路晶体管t7。旁路控制线158可连接至前级扫描线152。
117.数据线171可接收数据电压vdat,并且驱动电压线172和初始化电压线127可分别接收驱动电压elvdd和初始化电压vint。初始化电压vint可初始化驱动晶体管t1。
118.各个晶体管t1至t7包括栅电极g1至g7,源电极s1至s7和漏电极d1至d7,并且存储电容器cs包括第一电极c1和第二电极c2。晶体管t1至t7和存储电容器cs的电极可如图13中所图示的那样连接。发光二极管led(其可为有机发光二极管)的阳极可通过发射控制晶体管t6连接至驱动晶体管t1的漏电极d1,以接收驱动电流id。发光二极管led的阴极可接收公共电压elvss。
119.在像素px的电路结构中,可对晶体管的数量、电容器的数量以及它们之间的连接进行各种修改。
120.将参考图14描述实施方式中的显示面板的截面结构。
121.图14图示了显示面板中的一个像素区的实施方式的示意性截面图。尽管已参考图2以及图3a和图3b描述了截面结构,但是将集中在显示区da给出进一步描述。
122.参考图14,显示面板10可具有这样的结构,其中数个层、布线和元件堆叠在基板110上,以配置并驱动像素px。
123.隔离层111和缓冲层120可设置在柔性基板110上。晶体管tr的半导体层al可设置在缓冲层120上。
124.第一栅绝缘层141可设置在半导体层al上。可包括晶体管tr的栅电极ge、旁路控制线158和存储电容器cs的第一电极c1等的第一栅导体可设置在第一栅绝缘层141上。栅电极ge可与半导体层al的沟道区域重叠。
125.第二栅绝缘层142可设置在第一栅导体上。可包括存储电容器cs的第二电极c2等的第二栅导体可设置在第二栅绝缘层142上。层间绝缘层160可设置在第二栅导体上。
126.可包括晶体管tr的源电极se和漏电极de、初始化电压线127、扫描线151、前级扫描线152以及发射控制线153等的第一数据导体可设置在层间绝缘层160上。初始化电压线127、扫描线151、前级扫描线152和发射控制线153中的至少一个可包括在第一栅导体或第二栅导体中。
127.第一平坦化层181可设置在第一数据导体上。可包括数据线171、驱动电压线172和连接电极le的第二数据导体可设置在第一平坦化层181上。数据线171和/或驱动电压线172可包括在第一数据导体中。第二平坦化层182可设置在第二数据导体上。
128.发光二极管led的第一电极e1设置在第二平坦化层182上。第一电极e1可通过连接电极le电连接至漏电极de。
129.其中限定了与第一电极e1重叠的开孔op的黑色像素限定层360可设置在第二平坦化层182上。发射层el可设置在第一电极e1上,并且发光二极管led的第二电极e2可设置在发射层el上。至少一个保护层或功能层可设置在第二电极e2上。
130.封装层en可设置在第二电极e2上。封装层en可为薄膜封装层,该薄膜封装层包括第二电极e2上堆叠的一个或多个无机层和一个或多个有机层。封装层en可以以基板的形式提供。
131.包括触摸电极te的触摸传感器层ts可设置在封装层en上。触摸传感器层ts可用于感测用户接触和/或非接触触摸。触摸电极te可包括金属网、透明导电材料或导电聚合物等。触摸传感器层ts可设置在封装层en上,或可设置在独立基板上以附接至封装层en。无机绝缘层可设置在封装层en和触摸传感器层ts之间。
132.阻光构件220可设置在触摸传感器层ts上。阻光构件220可包括黑色颜料或染料,并且可减少或防止由显示面板10的金属层等引起的光反射。阻光构件220可设置成不与作为发射区域的开孔op重叠。阻光构件220也可被称为黑矩阵。
133.滤色器230可设置在触摸传感器层ts上。滤色器230可透射红光、绿光和蓝光中的任何一种。表示不同颜色的滤色器230可在与阻光构件220重叠的区域中重叠。滤色器230和阻光构件220可组合以用作抗反射层。在这种结构中,可能不期望偏振层作为抗反射层,并且显示面板10的厚度可减少。滤色器230可包括量子点或磷光体,并且可将由发光二极管led发射的光转换成红光或绿光。外涂层240可设置在滤色器230上。
134.保护膜50可设置在基板110之下。
135.虽然已经结合目前被认为是实用的实施方式描述了本发明,但是要理解,本发明不限于所公开的实施方式,而是相反,旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。