1.本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法及装置。


背景技术：

2.表面等离子体(surface plasmon，sp)超衍射光刻技术是一种可突破衍射极限的纳米光学光刻技术，主要是利用蝴蝶结纳米孔径(bowtie nano-aperture，bna)结构，在紫外光源的曝光条件下，产生表面等离子体激元(surface plasmon polaritons，spps)模式及类球形波(quasi-spherical waves，qsws)衍射场，将曝光图形传递到光刻胶(photoresist，pr)内进而实现超分辨率成像。作为一种高分辨率、低成本的纳米光学加工新技术，sp超衍射光刻技术已验证具有约为10nm的分辨率，并因其具有良好的纳米特征尺寸可控性和可伸缩性，已成功获得从一维到三维的多种表面微纳结构加工结果。此外，基于sp超衍射光刻技术近场成像的特性，通过调节近场倏逝波引起的邻近效应，提出了一种光学邻近效应修正方法，极大地提高了曝光图形的质量。然而，随着集成电路中对纳米结构器件的尺寸及质量的要求越来越高，纳米光刻技术的节点也降低到20nm以下，在如此小的特征尺寸(critical dimension，cd)范围内，曝光图形的线边缘粗糙度(line edge roughness，ler)成为了sp超衍射光刻技术中亟待解决的重要问题。
3.ler指的是光刻胶表面曝光图形的边缘粗糙度，一般情况下，ler不会随着曝光图形特征尺寸的减小而自动缩小。在微纳结构器件的加工中，由于ler不仅可以显著降低微纳结构器件的实际性能，而且会随着特征尺寸的缩小严重的限制光刻工艺的分辨率和保真度，因此，为了提高微纳结构器件的质量及其在实际应用中的性能，需要对光刻工艺中曝光图形的ler进行测量，并制定相应的ler减小方案。
4.目前通常通过蒙特卡洛模拟确定曝光图形的ler，蒙特卡洛模拟作为一种广泛应用的数学随机模型方法，在对纳米光刻工艺中ler的产生机理进行探究以及近似计算时是非常有用的。主要是由于蒙特卡洛模拟方法可以实现对曝光图形任意特征尺寸的ler值进行近似计算，并能针对纳米光刻各个工艺步骤中(曝光、显影、测量、刻蚀)可能产生ler的随机机制进行严格地建模分析。
5.但是，由于蒙特卡洛方法在执行时需要对每个随机步骤进行大量的运行，才能提供出正确的统计学结果，导致其存在着执行时间较长的缺陷，无法应用于大面积图形曝光，更重要的是，由于蒙特卡洛模拟是基于一系列的参数设定及大量的统计数据，往往也会导致一些ler产生的物理原因被忽略，导致并未对ler的产生机理及理论计算开展深入研究，不能够得到准确、可靠地评估sp超衍射光刻ler。


技术实现要素：

6.本发明的目的在于提供一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度
的解析方法及装置，以解决现有的能够得到准确、可靠地评估表面等离子体超衍射光刻线边缘粗糙度的问题。
7.第一方面，本发明提供一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法，所述方法包括：
8.基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数；
9.基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；
10.基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数；
11.基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数；
12.基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性；
13.根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系；
14.基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值；
15.确定所述线图形的近场光刻胶对比度；
16.基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。
17.采用上述技术方案的情况下，本技术实施例提供的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法，可以基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数；基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数；基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数；基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性；根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系；基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值；确定所述线图形的近场光刻胶对比度；基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。其不仅可以对表面等离子体超衍射光刻中线边缘粗糙度的产生机理进行本质分析，以及对不同特征尺寸下的线边缘粗糙度值进行精确评估，而且还能够为减小线边缘粗糙度提供理论依据，如通过减小蝴蝶结纳米孔径的孔径间隙尺寸，提高图形对数斜率关系，进而达到减小线边缘粗糙度，提高表面等离子体超衍射光刻曝光图形质量的目的。因此，相较于蒙特卡洛模拟，本发明中所提出的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中
线边缘粗糙度的解析方法更适合应用于大面积图形曝光中，极大地提高了表面等离子体超衍射光刻技术的实际应用性。
18.在一种可能的实现方式中，所述确定所述线图形的近场光刻胶对比度，包括：确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度；基于远场光刻胶对比度和近场衰减诱导的光刻胶对比度确定所述近场光刻胶对比度。
19.在一种可能的实现方式中，所述确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度，包括：获取所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的实验点映射图形；通过原子力显微镜确定所述实验点映射图形的多个横向点宽值；基于多个所述横向点宽值和对应的曝光剂量确定实验远场光刻胶对比度和实验近场光刻胶对比度；基于所述实验远场光刻胶对比度和所述实验近场光刻胶对比度确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
20.在一种可能的实现方式中，所述近场光刻胶对比度包括：
21.γ
near-1
＝γ
far-1
+γ
decay-1
；
22.其中，所述γ
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述γ
far
表示所述远场光刻胶对比度。γ
decay
表示所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
23.在一种可能的实现方式中，所述基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式，包括：基于所述线边缘粗糙度改变值确定线边缘粗糙度变动关系；基于所述线边缘粗糙度变动关系、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。
24.在一种可能的实现方式中，所述场强分布数据基于表面等离子体激元和所述类球形波的倏逝波模式确定，当曝光图形的特征尺寸为入射光源波长的1/10时，所述表面等离子体激元的场强以1/ρ2的形式递减，所述理论点扩展函数的解析公式包括：
[0025][0026]
其中，表示所述理论点扩展函数，ρ表示所述点横向长度；
spp
表示所述表面等离子体激元；
qsw
表示所述类球形波；a
spp
表示所述表面等离子体激元的振幅；a
qsw
表示所述类球形波倏逝波模式的振幅，φ-δ表示所述表面等离子体激元和所述类球形波之间的相位延迟。
[0027]
在一种可能的实现方式中，所述根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系，包括：
[0028]
根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系；
[0029]
根据所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系以及所述近场光刻胶对比度，确定所述图形对数斜率关系。
[0030]
在一种可能的实现方式中，所述基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数，包括：
[0031]
确定所述点图形边缘处的多个所述衰减常数；
[0032]
基于多个所述衰减常数和所述点映射图形中点图形与线图形之间的线性卷积关系，将所述实际点扩展函数与对应的不同特征尺寸下的所述线图形通过卷积计算，确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数。
[0033]
所述确定所述点图形边缘处的多个所述衰减常数，包括：
[0034]
获取所述点图形边缘处的曝光剂量；
[0035]
基于所述边缘处的曝光剂量进行拟合确定多个所述衰减常数。
[0036]
在一种可能的实现方式中，在所述基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式之后，所述方法还包括：
[0037]
基于所述线边缘粗糙度理论解析公式确定所述等离子体超衍射光刻的理论线边缘粗糙度；
[0038]
获取所述等离子体超衍射光刻在所述光刻胶表面的不同特征尺寸的线图形；
[0039]
对所述线图形进行图像处理，确定所述线图形对应的实验线边缘粗糙度；
[0040]
基于所述理论线边缘粗糙度和所述实验线边缘粗糙度确定所述线边缘粗糙度理论解析公式的精确度。
[0041]
在一种可能的实现方式中，所述线边缘粗糙度理论解析公式包括：
[0042][0043]
其中，所述σ
ler
表示线边缘粗糙度理论值；所述d
nor
表示归一化后的所述曝光剂量；所述r
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述ils表示所述图形对数斜率关系。
[0044]
第二方面，本发明还提供一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析装置，所述装置包括：
[0045]
第一确定模块，用于基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数；
[0046]
第二确定模块，用于基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；
[0047]
第三确定模块，用于基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数；
[0048]
第四确定模块，用于基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数；
[0049]
第五确定模块，用于基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性；
[0050]
第六确定模块，用于根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系；
[0051]
第七确定模块，用于基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值；
[0052]
第八确定模块，用于确定所述线图形的近场光刻胶对比度；
[0053]
第九确定模块，用于基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线
边缘粗糙度理论解析公式。
[0054]
在一种可能的实现方式中，所述第八确定模块包括：
[0055]
第一确定子模块，用于确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度；
[0056]
第二确定子模块，用于基于远场光刻胶对比度和近场衰减诱导的光刻胶对比度确定所述近场光刻胶对比度。
[0057]
在一种可能的实现方式中，所述第一确定子模块包括：
[0058]
第一获取单元，用于获取所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的实验点映射图形；
[0059]
第一确定单元，用于通过原子力显微镜确定所述实验点映射图形的多个横向点宽值；
[0060]
第二确定单元，用于基于多个所述横向点宽值和对应的曝光剂量确定实验远场光刻胶对比度和实验近场光刻胶对比度；
[0061]
第三确定单元，用于基于所述实验远场光刻胶对比度和所述实验近场光刻胶对比度确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
[0062]
在一种可能的实现方式中，所述近场光刻胶对比度包括：
[0063]
γ
near-1
＝γ
far-1
+γ
decay-1
；
[0064]
其中，所述γ
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述γ
far
表示所述远场光刻胶对比度。γ
decay
表示所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
[0065]
在一种可能的实现方式中，所述第九确定模块包括：
[0066]
第三确定子模块，用于基于所述线边缘粗糙度改变值确定线边缘粗糙度变动关系；
[0067]
第四确定子模块，用于基于所述线边缘粗糙度变动关系、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。
[0068]
在一种可能的实现方式中，所述场强分布数据基于表面等离子体激元和所述类球形波的倏逝波模式确定，当曝光图形的特征尺寸为入射光源波长的1/10时，所述表面等离子体激元的场强以1/ρ2的形式递减，所述理论点扩展函数的解析公式包括：
[0069][0070]
其中，表示所述理论点扩展函数，ρ表示所述点横向长度；
spp
表示所述表面等离子体激元；
qsw
表示所述类球形波；a
spp
表示所述表面等离子体激元的振幅；a
qsw
表示所述类球形波倏逝波模式的振幅，φ-δ表示所述表面等离子体激元和所述类球形波之间的相位延迟。
[0071]
在一种可能的实现方式中，所述第六确定模块包括：
[0072]
第五确定子模块，用于根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系；
[0073]
第六确定子模块，用于根据所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系以及所述近场光刻胶对比度，确定所述图形对数斜率关系。
[0074]
在一种可能的实现方式中，所述第四确定模块包括：
[0075]
第七确定子模块，用于确定所述点图形边缘处的多个所述衰减常数；
[0076]
第八确定子模块，用于基于多个所述衰减常数和所述点映射图形中点图形与线图形之间的线性卷积关系，将所述实际点扩展函数与对应的不同特征尺寸下的所述线图形通过卷积计算，确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数。
[0077]
所述第七确定子模块包括：
[0078]
第二获取单元，用于获取所述点图形边缘处的曝光剂量；
[0079]
第四确定单元，用于基于所述边缘处的曝光剂量进行拟合确定多个所述衰减常数。
[0080]
在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
[0081]
第十确定模块，用于基于所述线边缘粗糙度理论解析公式确定所述等离子体超衍射光刻的理论线边缘粗糙度；
[0082]
获取模块，用于获取所述等离子体超衍射光刻在所述光刻胶表面的不同特征尺寸的线图形；
[0083]
第十一确定模块，用于对所述线图形进行图像处理，确定所述线图形对应的实验线边缘粗糙度；
[0084]
第十二确定模块，用于基于所述理论线边缘粗糙度和所述实验线边缘粗糙度确定所述线边缘粗糙度理论解析公式的精确度。
[0085]
在一种可能的实现方式中，所述线边缘粗糙度理论解析公式包括：
[0086][0087]
其中，所述σ
ler
表示线边缘粗糙度理论值；所述d
nor
表示归一化后的所述曝光剂量；所述r
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述ils表示所述图形对数斜率关系。
[0088]
第二方面提供的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析装置的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法的有益效果相同，此处不做赘述。
附图说明
[0089]
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
[0090]
图1示出了本技术实施例提供的一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法的流程示意图；
[0091]
图2示出了本技术实施例提供的另一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法的流程示意图；
[0092]
图3示出了本技术实施例提供的一种sp超衍射光刻bna开口处场强的分布示意图；
[0093]
图4示出了本技术实施例提供的一种点映射图形及不同特征尺寸下的psf的示意图；
[0094]
图5示出了本技术实施例提供的一种afm测得的点图形及其横向距离ρ处的衰减常数β(ρ)的示意图；
[0095]
图6示出了本技术实施例提供的一种传统光学光刻系统的光刻胶对比度曲线(far-field)以及sp超衍射光学光刻系统的光刻胶对比度曲线(near-field)的示意图；
[0096]
图7示出了本技术实施例提供的一种纳米光刻工艺中ler表征示意图和不同特征尺寸下光刻胶内曝光剂量分布曲线示意图；
[0097]
图8示出了本技术实施例提供的一种线图形及其线边缘提取示意图；
[0098]
图9示出了本技术实施例提供的一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析装置的结构示意图。
具体实施方式
[0099]
为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。例如，第一阈值和第二阈值仅仅是为了区分不同的阈值，并不对其先后顺序进行限定。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
[0100]
需要说明的是，本发明中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本发明中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
[0101]
本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b的结合，a和c的结合，b和c的结合，或a、b和c的结合，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
[0102]
图1示出了本技术实施例提供的一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法的流程示意图，如图1所示，所述定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法包括：
[0103]
步骤101：基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数。
[0104]
在本技术中，所述场强分布数据基于表面等离子体激元和所述类球形波的倏逝波模式确定，当曝光图形的特征尺寸为入射光源波长的1/10时，所述表面等离子体激元的场强以1/ρ2的形式递减，所述理论点扩展函数的解析公式包括：
[0105][0106]
其中，表示所述理论点扩展函数，ρ表示所述点横向长度；
spp
表示所述表面等离子体激元；
qsw
表示所述类球形波；a
spp
表示所述表面等离子体激元的振幅；a
qsw
表示所述类球形波倏逝波模式的振幅，φ-δ表示所述表面等离子体激元和所述类球形波之间的相
位延迟。
[0107]
在基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数之后，执行步骤102。
[0108]
步骤102：基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值。
[0109]
在本技术中，可以通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值。
[0110]
在基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值之后，执行步骤103。
[0111]
步骤103：基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数。
[0112]
步骤104：基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数。
[0113]
步骤105：基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性。
[0114]
步骤106：根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系。
[0115]
步骤107：基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值。
[0116]
通过对两侧局部位置坐标求差的方式确定线边缘粗糙度改变值。
[0117]
步骤108：确定所述线图形的近场光刻胶对比度。
[0118]
在本技术中，可以确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度；进一步的基于远场光刻胶对比度和近场衰减诱导的光刻胶对比度确定所述近场光刻胶对比度。
[0119]
步骤109：基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。
[0120]
在本技术中，所述线边缘粗糙度理论解析公式包括：
[0121][0122]
其中，所述σ
ler
表示线边缘粗糙度理论值；所述d
nor
表示归一化后的所述曝光剂量；所述r
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述ils表示所述图形对数斜率关系。
[0123]
综上所述，本技术实施例提供的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法，可以基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数；基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数；基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数；基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性；根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系；基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧
局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值；确定所述线图形的近场光刻胶对比度；基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。其不仅可以对表面等离子体超衍射光刻中线边缘粗糙度的产生机理进行本质分析，以及对不同特征尺寸下的线边缘粗糙度值进行精确评估，而且还能够为减小线边缘粗糙度提供理论依据，如通过减小蝴蝶结纳米孔径的孔径间隙尺寸，提高图形对数斜率关系，进而达到减小线边缘粗糙度，提高表面等离子体超衍射光刻曝光图形质量的目的。因此，相较于蒙特卡洛模拟，本发明中所提出的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法更适合应用于大面积图形曝光中，极大地提高了表面等离子体超衍射光刻技术的实际应用性。
[0124]
图2示出了本技术实施例提供的另一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法的流程示意图，如图2所示，定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法包括：
[0125]
步骤201：基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数。
[0126]
示例的，可以对sp超衍射光刻中经过bna最终到达光刻胶表面的场强分布进行建模分析，推导出理论点扩展函数(point-spread function，psf)并对其进行归一化计算。由于psf不仅能够决定光刻胶内曝光图形的特征尺寸，并且能够表示出光刻胶内曝光场强的具体分布，因此，需要推导出psf的解析公式，
[0127]
图3示出了本技术实施例提供的一种sp超衍射光刻bna开口处场强的分布示意图，如图3所示，在紫外光源的曝光条件下，bna开口处的场强分布主要是由近场的tm波(transverse magnetic wave)和远场的te波(transverse electric wave)构成的,ψ0代表的是入射电磁矢量场，ψ
surf
代表的是其的横向传播分量，主要由spps和qsws的倏逝波模式决定，ψ
space
代表的是其的纵向传播分量。sp超衍射光刻bna开口处的场强分布主要由spps和qsws的倏逝波模式决定的，当曝光图形的特征尺寸约为入射光源波长的1/10时，qsws的场强以1/ρ2的形式递减，可推导为公式(1)，
[0128][0129]
其中，横向长度ym是点映射图形中横向点宽的一半值，xm是ym对应的x方向坐标值，余弦项是由bna的局部等离子体的偶极子辐射决定的，a
spp
和a
qsw
分别是由spps和qsws倏逝波模式的振幅，φ-δ代表的是spps和qsws之间的相位延迟。为了消除不同曝光剂量时光刻胶灵敏度对倏逝波衰减特性的影响，需要对psf进行归一化计算，如公式(2)所示。
[0130][0131]
其中，d
th
是临界剂量，代表的是最小曝光剂量下的光刻胶灵敏度。
[0132]
步骤202：基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值。
[0133]
在本技术中，可以利用sp超衍射光刻在光刻胶表面记录点映射图形，可以通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值。
[0134]
步骤203：基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数。
[0135]
进一步的，图4示出了本技术实施例提供的一种点映射图形及不同特征尺寸下的psf的示意图，如图4所示，可以利用sp超衍射光刻在光刻胶表面记录点映射图形，并利用原子力显微镜(atomic force microscope，afm)测量其的横向点宽，获得不同点宽处测量的psf(psf1和psf2)并对其进行归一化计算。
[0136]
步骤204：基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数。
[0137]
具体的，可以确定所述点图形边缘处的多个所述衰减常数；基于多个所述衰减常数和所述点映射图形中点图形与线图形之间的线性卷积关系，将所述实际点扩展函数与对应的不同特征尺寸下的所述线图形通过卷积计算，确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数。
[0138]
步骤205：基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性。
[0139]
可选的，可以对不同点宽处的衰减常数β进行计算，然后根据点图形与线图形间的线性卷积关系，将psf与不同特征尺寸下的线图形进行卷积计算，获得具有不同特征尺寸线图形的线扩散函数(line-spread function，lsf)，并对其进行归一化计算。psf边缘处的衰减常数β(ρ)可以近似为线性函数β(ρ)＝a+bρ，a是ρ＝0时的衰减常数值，而b是一个无量纲参数。常数a和b均是由的空间分布决定的，图5示出了本技术实施例提供的一种afm测得的点图形及其横向距离ρ处的衰减常数β(ρ)的示意图，如图5所示，因此可以通过对点图形边缘处的曝光剂量进行拟合获得β(ρ)。
[0140]
进一步的，可以获取所述点图形边缘处的曝光剂量；基于所述边缘处的曝光剂量进行拟合确定多个所述衰减常数，基于所述衰减常数确定所述横向衰减特性。
[0141]
步骤206：根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系。
[0142]
在本技术中，可以根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系；根据所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系以及所述近场光刻胶对比度，确定所述图形对数斜率关系。
[0143]
步骤207：确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
[0144]
在本技术中，可以获取所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的实验点映射图形；通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；基于多个所述横向点宽值和对应的曝光剂量确定实验远场光刻胶对比度和实验近场光刻胶对比度；基于所述实验远场光刻胶对比度和所述实验近场光刻胶对比度确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
[0145]
在本技术中，对点映射图形的点宽及曝光剂量进行分析后，分别获得传统光学光刻及sp超衍射光学光刻的光刻胶对比度曲线，图6示出了本技术实施例提供的一种传统光学光刻系统的光刻胶对比度曲线(far-field)以及sp超衍射光学光刻系统的光刻胶对比度曲线(near-field)的示意图，如图6所示，可以基于基于所述实验远场光刻胶对比度和所述实验近场光刻胶对比度确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度，也即是分析sp超衍射光刻的近场衰减特性对光刻胶对比度的影响。
[0146]
步骤208：基于远场光刻胶对比度和近场衰减诱导的光刻胶对比度确定所述近场光刻胶对比度。
[0147]
具体的，以传统光学光刻中光刻胶对比度公式为原型，对近场光刻胶对比度进行建模计算。sp超衍射光刻作为一种近场光刻技术，不同于传统的光学光刻技术，其的光刻胶对比度不仅受到光刻胶的物理化学性能以及显影过程的影响，而且还要受到其近场衰减特性的影响。因此，为了能够精确地计算sp超衍射光刻的光刻胶对比度γ
near
，可以将其分为两部分：远场光刻胶对比度γ
far
和近场衰减诱导的光刻胶对比度γ
decay
，如公式(3)所示。
[0148]
γ
near-1
＝γ
far-1
+γ
decay-1
(3)，基于远场光刻胶对比度和近场衰减诱导的光刻胶对比度确定所述近场光刻胶对比度。
[0149]
近场光刻胶对比度计算公式，此公式是以传统光学光刻中光刻胶对比度的计算公式为原型，考虑到sp超衍射光刻的近场衰减特性之后进一步推导得出的，因此，其不仅适用于sp超衍射光刻，也适用于所有具有近场衰减特性的纳米光刻技术。
[0150]
步骤209：基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值。
[0151]
在本技术中，可以通过近场探针按照预设方向扫描获取点映射图形对应的线图形。
[0152]
在本技术中，以ler的一般测量公式为基础，推导出sp超衍射光刻的ler理论解析公式。图7示出了本技术实施例提供的一种纳米光刻工艺中ler表征示意图和不同特征尺寸下光刻胶内曝光剂量分布曲线示意图，如图7所示，当近场探针是以x方向扫描获得线图形的时候，其两侧局部位置坐标点为y1(x)和y2(x)，点间距设为τ，两侧线的平均边缘坐标值为和测量的特征尺寸为cd，两侧线边缘粗糙度改变值分别为δy1(xi)和δy2(xi)，以上参量具体的计算如公式(4)所示，
[0153][0154]
其中xi代表的是线边缘第ith个测量点，n＝l/τ代表的是总共测量点的个数，l是线图形的曝光长度。
[0155]
步骤210：基于所述线边缘粗糙度改变值确定线边缘粗糙度变动关系。
[0156]
在本技术中，如公式(5)所示，在传统光学光刻中，ler被定义为线边缘变动量的三倍标准偏差值。
[0157][0158]
在sp超衍射光刻中，其线边缘yi处的曝光剂量可以用泰勒级数近似表达为变动量为δyi＝(y-yi)。由于yi处的曝光剂量满足临界剂量的条件，d(yi)＝d
th
，而所述线图形的图形对数斜率关系线边缘处曝光剂量的波动δd
ex
＝d(y)-d(yi)，因此线边缘粗糙度变动关系δyi可被近似表达为公式(6)。
[0159][0160]
步骤211：基于所述线边缘粗糙度变动关系、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。
[0161]
在本技术中，当曝光剂量的标准偏差值为ler可被近似表达为公式(7)，
[0162][0163]
其中，d
nor
是归一化后的曝光剂量值，
[0164]
在本技术中，所述线边缘粗糙度理论解析公式包括：
[0165][0166]
其中，所述σ
ler
表示线边缘粗糙度理论值；所述d
nor
表示归一化后的所述曝光剂量；所述r
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述ils表示所述图形对数斜率关系。本发明中所提出的ler计算公式表明sp超衍射光刻工艺中ler的产生机理主要与曝光剂量、近场光刻胶对比度以及ils的随机波动效应有关，不仅揭露了sp超衍射光刻中ler产生的本质，并能为减小ler值提供理论依据，这对于进一步开展低成本、大面积、高质量的sp超衍射光刻研究具有十分重要的意义。
[0167]
需要说明的是，在本技术中，基于所述线边缘粗糙度理论解析公式确定所述等离子体超衍射光刻的理论线边缘粗糙度；获取所述等离子体超衍射光刻在所述光刻胶表面的不同特征尺寸的线图形；对所述线图形进行图像处理，确定所述线图形对应的实验线边缘粗糙度；基于所述理论线边缘粗糙度和所述实验线边缘粗糙度确定所述线边缘粗糙度理论解析公式的精确度。
[0168]
具体的，可以利用sp超衍射光刻在光刻胶表面记录不同特征尺寸的线图形，并利用afm及图像处理过程获得测量ler值。利用matlab对测得的线图形结果进行边缘提取，图8示出了本技术实施例提供的一种线图形及其线边缘提取示意图，如图8所示，可以利用matlab对测得的线图形结果进行边缘提取并进行ler计算，进一步的，对线图形不同特征尺寸下的计算所得的理论ler与实验所得的测量ler进行比较分析，以确认ler解析模型的精确度。
[0169]
在本技术中，首先是对sp超衍射光刻系统中聚焦元件bna开口处的场强分布进行了建模分析，发现线图形的边缘粗糙度主要是受到spps和qsws的倏逝波模式的影响，并通过对psf和lsf中衰减常数的计算，进一步表明近场倏逝波的横向衰减特性是导致sp超衍射光刻系统中ler较大的一个重要光学原因。
[0170]
其次是通过对sp超衍射光刻特有的近场衰减特性进行分析后，发现其的光刻胶对比度不同于传统光学光刻中的光刻胶对比度，还要受到其近场衰减特性诱导的影响，在此基础上推导出了可适用于所有纳米近场光刻技术的近场光刻胶对比度计算公式。
[0171]
此外，本发明中所提出的ler计算公式只是一个简单的，与曝光剂量、近场光刻胶对比度、ils有关的解析表达式，但其不仅可以对sp超衍射光刻中ler的产生机理进行本质分析，以及对不同特征尺寸下的ler值进行精确评估，而且还能够为减小ler提供理论依据，如通过减小bna的孔径间隙尺寸，提高ils值，进而达到减小ler，提高sp超衍射光刻曝光图形质量的目的。因此，相较于蒙特卡洛模拟，本发明中所提出的ler近似计算方法更适合应用于大面积图形曝光中，极大地提高了sp超衍射光刻技术的实际应用性。
[0172]
本发明的目的在于提供一种能够对sp超衍射光刻工艺中ler产生的根源进行定量分析，并能对不同特征尺寸下的ler进行精确评估的近似解析方法。首先通过对sp超衍射光刻bna结构开口处的场强分布进行分析后发现，sp超衍射光刻的点扩展函数(point-spread function，psf)主要是由spps和qsws的倏逝波模式决定的，利用sp超衍射光刻在光刻胶表面记录点映射图形，对其的横向点宽进行测量后可拟合出psf。然后，对线图形曝光剂量与psf进行卷积计算可获得sp超衍射光刻的线扩散函数(line-spread function，lsf)，通过对psf和lsf中的倏逝波的横向衰减常数进行拟合可分析出其对ils和近场光刻胶对比度的影响。之后，以纳米光刻中ler的一般测量公式为基础可进一步推导出sp超衍射光刻中ler的理论近似计算模型，该模型表明sp超衍射光刻中的ler是与曝光剂量、ils和光刻胶对比度有关的函数。由于该ler解析公式是一个实验验证模型，能够真实的反映出sp超衍射光刻各个工艺步骤中ler产生的机理，不仅可以验证ler的产生是一个复杂的随机过程，还能进一步表明sp超衍射光刻特有的表面倏逝波衰减特性在其ler的产生中起到了显著作用，为减小ler、降低特征尺寸误差、提高曝光图形质量的均一性提供了理论依据，具有较强的实际应用性。
[0173]
综上所述，本技术实施例提供的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法，可以基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数；基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数；基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应
的线图形的实际线扩展函数；基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性；根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系；基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值；确定所述线图形的近场光刻胶对比度；基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。其不仅可以对表面等离子体超衍射光刻中线边缘粗糙度的产生机理进行本质分析，以及对不同特征尺寸下的线边缘粗糙度值进行精确评估，而且还能够为减小线边缘粗糙度提供理论依据，如通过减小蝴蝶结纳米孔径的孔径间隙尺寸，提高图形对数斜率关系，进而达到减小线边缘粗糙度，提高表面等离子体超衍射光刻曝光图形质量的目的。因此，相较于蒙特卡洛模拟，本发明中所提出的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法更适合应用于大面积图形曝光中，极大地提高了表面等离子体超衍射光刻技术的实际应用性。
[0174]
图9示出了本技术实施例提供的一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析装置的结构示意图，如图9所示，所述装置包括：
[0175]
第一确定模块301，用于基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数；
[0176]
第二确定模块302，用于基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；
[0177]
第三确定模块303，用于基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数；
[0178]
第四确定模块304，用于基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数；
[0179]
第五确定模块305，用于基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性；
[0180]
第六确定模块306，用于根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系；
[0181]
第七确定模块307，用于基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值；
[0182]
第八确定模块308，用于确定所述线图形的近场光刻胶对比度；
[0183]
第九确定模块309，用于基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。
[0184]
在一种可能的实现方式中，所述第八确定模块包括：
[0185]
第一确定子模块，用于确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度；
[0186]
第二确定子模块，用于基于远场光刻胶对比度和近场衰减诱导的光刻胶对比度确定所述近场光刻胶对比度。
[0187]
在一种可能的实现方式中，所述第一确定子模块包括：
[0188]
第一获取单元，用于获取所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的实验点
映射图形；
[0189]
第一确定单元，用于通过原子力显微镜确定所述实验点映射图形的多个横向点宽值；
[0190]
第二确定单元，用于基于多个所述横向点宽值和对应的曝光剂量确定实验远场光刻胶对比度和实验近场光刻胶对比度；
[0191]
第三确定单元，用于基于所述实验远场光刻胶对比度和所述实验近场光刻胶对比度确定所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
[0192]
在一种可能的实现方式中，所述近场光刻胶对比度包括：
[0193]
γ
near-1
＝γ
far-1
+γ
decay-1
；
[0194]
其中，所述γ
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述γ
far
表示所述远场光刻胶对比度。γ
decay
表示所述近场衰减诱导的光刻胶对比度。
[0195]
在一种可能的实现方式中，所述第九确定模块包括：
[0196]
第三确定子模块，用于基于所述线边缘粗糙度改变值确定线边缘粗糙度变动关系；
[0197]
第四确定子模块，用于基于所述线边缘粗糙度变动关系、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。
[0198]
在一种可能的实现方式中，所述场强分布数据基于表面等离子体激元和所述类球形波的倏逝波模式确定，当曝光图形的特征尺寸为入射光源波长的1/10时，所述表面等离子体激元的场强以1/ρ2的形式递减，所述理论点扩展函数的解析公式包括：
[0199][0200]
其中，表示所述理论点扩展函数，ρ表示所述点横向长度；
spp
表示所述表面等离子体激元；
qsw
表示所述类球形波；a
spp
表示所述表面等离子体激元的振幅；a
qsw
表示所述类球形波倏逝波模式的振幅，φ-δ表示所述表面等离子体激元和所述类球形波之间的相位延迟。
[0201]
在一种可能的实现方式中，所述第六确定模块包括：
[0202]
第五确定子模块，用于根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系；
[0203]
第六确定子模块，用于根据所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系之间的对应关系以及所述近场光刻胶对比度，确定所述图形对数斜率关系。
[0204]
在一种可能的实现方式中，所述第四确定模块包括：
[0205]
第七确定子模块，用于确定所述点图形边缘处的多个所述衰减常数；
[0206]
第八确定子模块，用于基于多个所述衰减常数和所述点映射图形中点图形与线图形之间的线性卷积关系，将所述实际点扩展函数与对应的不同特征尺寸下的所述线图形通过卷积计算，确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数。
[0207]
所述第七确定子模块包括：
[0208]
第二获取单元，用于获取所述点图形边缘处的曝光剂量；
[0209]
第四确定单元，用于基于所述边缘处的曝光剂量进行拟合确定多个所述衰减常数。
[0210]
在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
[0211]
第十确定模块，用于基于所述线边缘粗糙度理论解析公式确定所述等离子体超衍射光刻的理论线边缘粗糙度；
[0212]
获取模块，用于获取所述等离子体超衍射光刻在所述光刻胶表面的不同特征尺寸的线图形；
[0213]
第十一确定模块，用于对所述线图形进行图像处理，确定所述线图形对应的实验线边缘粗糙度；
[0214]
第十二确定模块，用于基于所述理论线边缘粗糙度和所述实验线边缘粗糙度确定所述线边缘粗糙度理论解析公式的精确度。
[0215]
在一种可能的实现方式中，所述线边缘粗糙度理论解析公式包括：
[0216][0217]
其中，所述σ
ler
表示线边缘粗糙度理论值；所述d
nor
表示归一化后的所述曝光剂量；所述r
near
表示所述近场光刻胶对比度；所述ils表示所述图形对数斜率关系。
[0218]
本技术实施例提供的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析装置，可以基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定所述光源的理论点扩展函数；基于所述等离子体超衍射光刻中光源在光刻胶表面的点映射图形，通过原子力显微镜确定所述点映射图形的多个横向点宽值；基于所述理论点扩展函数和多个所述横向点宽值，分别确定多个所述横向点宽值对应的实际点扩展函数；基于所述横向点宽值对应的多个衰减常数和所述实际点扩展函数确定不同特征尺寸下对应的线图形的实际线扩展函数；基于所述实际线扩展函数和所述实际点扩展函数确定所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性；根据所述光源的近场倏逝波的横向衰减特性确定所述近场光刻胶对比度和所述图形对数斜率关系；基于所述实际线扩展函数对应的线图形的两侧局部位置坐标确定所述线图形两侧的线边缘粗糙度改变值；确定所述线图形的近场光刻胶对比度；基于所述线边缘粗糙度改变值、所述线图形的曝光剂量、所述近场光刻胶对比度和所述线图形的图形对数斜率关系确定所述等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式。其不仅可以对表面等离子体超衍射光刻中线边缘粗糙度的产生机理进行本质分析，以及对不同特征尺寸下的线边缘粗糙度值进行精确评估，而且还能够为减小线边缘粗糙度提供理论依据，如通过减小蝴蝶结纳米孔径的孔径间隙尺寸，提高图形对数斜率关系，进而达到减小线边缘粗糙度，提高表面等离子体超衍射光刻曝光图形质量的目的。因此，相较于蒙特卡洛模拟，本发明中所提出的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法更适合应用于大面积图形曝光中，极大地提高了表面等离子体超衍射光刻技术的实际应用性。
[0219]
本发明提供的一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析装置，可以实现如图1至图8任一所示的定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的方法，为避免重复，这里不再赘述。
[0220]
尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明
过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
[0221]
尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。