专利摘要
具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备,所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P
专利状态
基础信息
- 专利号
- CN202011012078.7
- 申请日
- 2020-09-22
- 公开日
- 2020-12-22
- 公开号
- CN112117337A
- 主分类号
- /B/B81/ 作业;运输
- 标准类别
- 微观结构技术
- 批准发布部门
- 国家知识产权局
- 专利状态
- 审查中-实审
发明人
张峰 付钊 洪荣墩 蔡加法 陈厦平 林鼎渠 吴少雄 吴正云
申请人
厦门大学
申请人地址
361005 福建省厦门市思明区思明南路422号
专利摘要
具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备,所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P
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