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专利摘要

各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及微机电系统结构,所述微机电系统装置包括设置在衬底与微机电系统衬底之间的导电接合结构。
内连结构上覆在衬底上。
微机电系统衬底上覆在内连结构上且包括可移动的膜。
介电结构设置在内连结构与微机电系统衬底之间。
所述导电接合结构夹置在内连结构与微机电系统衬底之间。
导电接合结构在介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开。
导电接合结构、微机电系统衬底及内连结构至少局部地界定空腔。
可移动的膜上覆在空腔上且在导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010090792.1
申请日
2020-02-13
公开日
2020-12-29
公开号
CN112141995A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

林宏桦 洪嘉明 黄信华 谢元智

申请人

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

专利摘要

各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及微机电系统结构,所述微机电系统装置包括设置在衬底与微机电系统衬底之间的导电接合结构。
内连结构上覆在衬底上。
微机电系统衬底上覆在内连结构上且包括可移动的膜。
介电结构设置在内连结构与微机电系统衬底之间。
所述导电接合结构夹置在内连结构与微机电系统衬底之间。
导电接合结构在介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开。
导电接合结构、微机电系统衬底及内连结构至少局部地界定空腔。
可移动的膜上覆在空腔上且在导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。

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