本发明提供一种纳米异质结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑结构，在所述支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管，其中至少一个第二碳纳米管的延伸方向与所述第一碳纳米管的延伸方向相互交叉；找出一组相互交叉的第一碳纳米管和第二碳纳米管，标识该组第一碳纳米管和第二碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管去除；以及将上述结构进行退火处理。
本发明进一步提供一种应用该纳米异质结构的纳米晶体管的制备方法。

张金 魏洋 姜开利 范守善

清华大学 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

本发明提供一种纳米异质结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑结构，在所述支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管，其中至少一个第二碳纳米管的延伸方向与所述第一碳纳米管的延伸方向相互交叉；找出一组相互交叉的第一碳纳米管和第二碳纳米管，标识该组第一碳纳米管和第二碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管去除；以及将上述结构进行退火处理。
本发明进一步提供一种应用该纳米异质结构的纳米晶体管的制备方法。