目录

专利摘要

本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法,包括:制备铜铟镓预制层;在铜铟镓预制层上制备硒薄膜层,硒与铜镓之和的摩尔比大于1;将铜铟镓预制层置于退火炉中加热至第一预定温度后恒温第一预定时间;将铜铟镓预制层从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间,以使预制层硒化,然后从退火炉中抽除硒蒸汽;将铜铟镓预制层从第二预定温度加热至第三预定温度后恒温第三预定时间,并在第三预定时间内通入硫化氢气体,以使预制层硫化,制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。
本发明将铜铟镓预制层的硒化和硫化设置在不同温度下分步进行,避免硒化的过度和不均匀性,同时也保证了硫化的质量,提高光吸收层的品质。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910873604.X
申请日
2019-09-12
公开日
2021-07-16
公开号
CN110565060B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

高传增 王顺 李文杰 李伟民 罗海林 冯叶 陈明 钟国华 杨春雷

申请人

深圳先进技术研究院

申请人地址

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

专利摘要

本发明公开了一种薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法,包括:制备铜铟镓预制层;在铜铟镓预制层上制备硒薄膜层,硒与铜镓之和的摩尔比大于1;将铜铟镓预制层置于退火炉中加热至第一预定温度后恒温第一预定时间;将铜铟镓预制层从第一预定温度加热至第二预定温度后恒温第二预定时间,以使预制层硒化,然后从退火炉中抽除硒蒸汽;将铜铟镓预制层从第二预定温度加热至第三预定温度后恒温第三预定时间,并在第三预定时间内通入硫化氢气体,以使预制层硫化,制备获得铜铟镓硒硫光吸收层。
本发明将铜铟镓预制层的硒化和硫化设置在不同温度下分步进行,避免硒化的过度和不均匀性,同时也保证了硫化的质量,提高光吸收层的品质。

相似专利技术