本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层进行图形化处理；再制备图形化的键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合固化处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备得到具有图形化的单晶薄膜。
通过图形化单晶薄膜制备方法以解决现有技术中存在的整片晶圆的键合剥离时，键合压力不易控制，且应力堆积过大，容易损伤器件需要的单晶薄膜区域的技术问题。

罗文博 简珂 吴传贵 帅垚

电子科技大学

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层进行图形化处理；再制备图形化的键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合固化处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备得到具有图形化的单晶薄膜。
通过图形化单晶薄膜制备方法以解决现有技术中存在的整片晶圆的键合剥离时，键合压力不易控制，且应力堆积过大，容易损伤器件需要的单晶薄膜区域的技术问题。