本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。
该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。

金田一麟平 藤川阳平 奥野好成

昭和电工株式会社

日本东京都

本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。
该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。