本发明提出一种小型半导体电嘴结构及加工方法，电嘴结构由壳体、绝缘体、中心电极和衬套组成；壳体采用分段结构焊接而成，上壳体采用4J34铁镍钴合金，下壳体采用GH3044高温合金，绝缘体为管状台阶结构，采用GLC‑58高铝瓷，绝缘体小径端外侧面及端面有半导体釉；中心电极插入绝缘体内，绝缘体装于壳体内部，衬套装于绝缘体和壳体之间，在钎焊部位通过陶瓷金属化钎焊将中心电极、绝缘体和壳体三者焊接为一体。
本发明实现了总长为43mm，放电端外径

张宁 张玉娟 章雅玲 任拓 高淑娟

陕西航空电气有限责任公司

713107 陕西省咸阳市兴平市西城区45号信箱

本发明提出一种小型半导体电嘴结构及加工方法，电嘴结构由壳体、绝缘体、中心电极和衬套组成；壳体采用分段结构焊接而成，上壳体采用4J34铁镍钴合金，下壳体采用GH3044高温合金，绝缘体为管状台阶结构，采用GLC‑58高铝瓷，绝缘体小径端外侧面及端面有半导体釉；中心电极插入绝缘体内，绝缘体装于壳体内部，衬套装于绝缘体和壳体之间，在钎焊部位通过陶瓷金属化钎焊将中心电极、绝缘体和壳体三者焊接为一体。
本发明实现了总长为43mm，放电端外径