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一种无残胶的UV减黏保护膜的制作方法

时间:2022-02-03 阅读: 作者:专利查询

一种无残胶的UV减黏保护膜的制作方法
一种无残胶的uv减黏保护膜
技术领域
1.本实用新型涉及一种无残胶的uv减黏保护膜,其主要应用于半导体材料领域。


背景技术:

2.近年来,半导体材料的应用越来越广泛,小型化,轻质化的半导体材料层出不穷,但在半导体材料的生产使用过程中,由于半导体材料的内部结构较复杂,在切割工序时轻微的偏差就有可能造成半导体材料的损坏,因此需要在半导体材料的外部包覆一层薄膜用来减少对半导体的损坏,但在拾取工序时,保护膜的存在可能会影响拾取的灵敏性,延长拾取时间,降低工作效率。因此我们设计了一种无残胶的uv减黏保护膜,在进行半导体切割时,保护膜可以有效的保护半导体材料,减少切割损伤,而经过紫外线照射后,保护膜的黏性大大下降,可以轻松的剥离,并且不会产生残胶,避免对拾取工序的影响,极大的保护了半导体材料。


技术实现要素:

3.本实用新型的目的在于提供一种无残胶的uv减黏保护膜,一方面可以具有较大的粘结力能很好的保护半导体材料免受损伤,另一方面在经过紫外线照射后,粘结力大大下降,可以轻松剥离且无残胶,避免对后续工序造成影响。
4.为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种无残胶的uv减黏保护膜,包括保护膜基材层,胶黏层和含氟合成树脂层,所述保护膜基材层在最底部,胶黏层在保护膜基材层上面,含氟合成树脂层在胶黏层上面。
5.作为一种优选的实施方式,所述保护膜基材层的厚度为10-200μm。
6.作为一种优选的实施方式,所述胶黏层的涂覆厚度为3-28μm。
7.作为一种优选的实施方式,所述含氟合成树脂层的厚度为15-50μm。
8.作为一种优选的实施方式,所述保护膜基材层与含氟合成树脂层通过胶黏层进行粘接。
9.作为一种优选的实施方式,所述保护膜基材层的材质选自聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环氧丙烷中的一种。
10.作为一种优选的实施方式,所述胶黏层为丙烯酸酯压敏胶。
11.作为一种优选的实施方式,所述含氟合成树脂层上设置有易撕条。
12.作为一种优选的实施方式,所述易撕条的面积为10-20mm2。
13.作为一种优选的实施方式,所述易撕条在含氟合成树脂层的外缘。
14.与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
15.(1)本实用新型提供的无残胶的uv减黏保护膜,具有优异的稳定性,耐热性和回缩性。
16.(2)本实用新型提供的无残胶的uv减黏保护膜,使用了特定的压敏胶具有优异的内聚强度,粘附性能和耐酸碱性能。
17.(3)本实用新型提供的无残胶的uv减黏保护膜,在半导体材料的切割工序时具有高粘结性,可以很好地保护材料,避免材料受损。
18.(4)本实用新型提供的无残胶的uv减黏保护膜,在半导体材料的拾取工序时,通过紫外线处理,粘合力大大减小,易于剥离且无残胶,避免了对后续步骤的影响。
附图说明
19.图1为本实用新型结构示意图。
20.图中:1保护膜基材层、2胶黏层、3含氟合成树脂层、4易撕条。
具体实施方式
21.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
22.请参阅图1,本实用新型提供一种技术方案:一种无残胶的uv减黏保护膜,包括保护膜基材层,胶黏层和含氟合成树脂层,所述保护膜基材层在最底部,胶黏层在保护膜基材层上面,含氟合成树脂层在胶黏层上面。
23.作为一种优选的实施方式,所述保护膜基材层的厚度为10-200μm。
24.作为一种优选的实施方式,所述胶黏层的涂覆厚度为3-28μm。
25.进一步优选,所述胶黏层的涂覆厚度为5-25μm。
26.本技术人发现胶黏层的厚度选择对保护膜的性能影响很大,尤其是当胶黏层的涂覆厚度为5-25μm时,测试性能最好。当粘结层的厚度过大时,紫外线处理无法在短时间内完成,在短时间内粘结力度依然较高,无法实现无残剥离;而当粘结层的厚度较小时,保护膜的粘结力较弱,粘结层与保护膜基材层的结合力度较小,不能对半导体材料起到较好的保护作用。
27.作为一种优选的实施方式,所述含氟合成树脂层的厚度为15-50μm。
28.作为一种优选的实施方式,所述含氟合成树脂层为pet离型膜。
29.作为一种优选的实施方式,所述保护膜基材层与含氟合成树脂层通过胶黏层进行粘接。
30.作为一种优选的实施方式,所述保护膜基材层的材质选自聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环氧丙烷中的一种。
31.作为一种优选的实施方式,所述胶黏层为丙烯酸酯压敏胶。
32.作为一种优选的实施方式,所述含氟合成树脂层上设置有易撕条。
33.本技术人发现,在含氟合成树脂层上设置一个易撕条,保护膜经过紫外线处理后可以在不与半导体材料接触的情况下,更加方便的将保护膜撕掉,甚至不需要人工的参与,还可以实现批量化操作,使用更加方便。
34.作为一种优选的实施方式,所述易撕条的面积为10-20mm2。
35.进一步优选,易撕条的形状选自矩形,圆形,三角形,五边形,六边形等。
36.作为一种优选的实施方式,所述易撕条在含氟合成树脂层的外缘。
37.进一步优选,易撕条在含氟合成树脂层的顶角或者边上。
38.下面通过实施例对本实用新型进行具体描述。有必要在此指出的是,以下实施例只用于对本实用新型作进一步说明,不能理解为对本实用新型保护范围的限制,该领域的专业技术人员根据上述本实用新型的内容做出的一些非本质的改进和调整,仍属于本实用新型的保护范围。
39.另外,如果没有其它说明,所用原料都是市售得到的。
40.实施例1
41.一种无残胶的uv减黏保护膜,包括保护膜基材层1,胶黏层2和含氟合成树脂层3,所述保护膜基材层1在最底部,胶黏层2在保护膜基材层1上面,含氟合成树脂层3在胶黏层2上面。
42.所述保护膜基材层1的材质为聚乙烯,所述保护膜基材层1的厚度为35μm。所述胶黏层2为丙烯酸酯压敏胶,所述胶黏层2的涂覆厚度为15μm。所述含氟合成树脂层为氟素pet离型膜,购自东莞市优伦电子材料科技有限公司,所述含氟合成树脂层3的厚度为30μm。所述含氟合成树脂层3上设置有易撕条,易撕条4为15mm2的矩形,在含氟合成树脂层3的顶角。
43.实施例2
44.一种无残胶的uv减黏保护膜,包括保护膜基材层1,胶黏层2和含氟合成树脂层3,所述保护膜基材层1在最底部,胶黏层2在保护膜基材层1上面,含氟合成树脂层3在胶黏层2上面。
45.所述保护膜基材层1的材质为环氧丙烷,所述保护膜基材层1的厚度为150μm。所述胶黏层2为丙烯酸酯压敏胶,所述胶黏层2的涂覆厚度为25μm。所述含氟合成树脂层为氟素pet离型膜,购自东莞市优伦电子材料科技有限公司,所述含氟合成树脂层3的厚度为20μm。所述含氟合成树脂层3上设置有易撕条4,易撕条4为10mm2的圆形,在含氟合成树脂层3的边上。